1、单项选择题  早期，研究离子注入技术是用（）来进行的。

A.重离子加速器
B.热扩散炉
C.质子分析仪
D.轻离子分析器

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本题答案：A
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2、单项选择题  （）主要是以化学反应方式来进行薄膜沉积的。

A.PVD
B.CVD
C.溅射
D.蒸发

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本题答案：B
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3、单项选择题  铜互连金属多层布线中，磨料的粒径一般为（）。

A.5~10nm
B.20~30nm
C.50~80nm
D.100~200nm

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本题答案：B
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4、单项选择题  降低靶的温度，有利于非晶层的形成，所以临界注入量随之（）。

A.增大
B.减小
C.不变
D.变为0

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本题答案：B
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5、单项选择题  dry vacuum pump的意思是（）。

A.扩散泵
B.谁循环泵
C.干式真空泵
D.路兹泵

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本题答案：C
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6、单项选择题  我们可以从测量去离子水的酸度来判别阴阳树脂谁先失效，阴树脂先失效，水呈（）性。

A.酸
B.碱
C.弱酸
D.弱碱

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本题答案：A
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7、单项选择题  当注入剂量增加到某个值时，损伤量不再增加，趋于饱和。开始饱和的注入剂量称为（）。

A.临界剂量
B.饱和剂量
C.无损伤剂量
D.零点剂量

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本题答案：A
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8、单项选择题  如果固体中的原子排列情况是紊乱的，就称之为（）。

A.单晶靶
B.超晶靶
C.多晶靶
D.非晶靶

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本题答案：D
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9、单项选择题  检验水中是否有盐酸，可用（）溶液滴入水中，如果出现白色沉淀，就表示水中有盐酸。

A.氧化铜
B.硝酸镁
C.硝酸银
D.氯化铜

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本题答案：C
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10、多项选择题  直流二极管辉光放电系统是由（）构成。

A.抽真空的玻璃管
B.抽真空后再充入某种低压气体的玻璃管
C.两个电极
D.加速器
E.增益管

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本题答案：B, C
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11、单项选择题  ESD产生（）种不同的静电总类。

A.1
B.4
C.3
D.2

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本题答案：D
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12、单项选择题  局域网中使用中继器的作用是（）。

A.可以实现两个以上同类网络的联接
B.可以实现异种网络的互连
C.实现信号的收集、缓冲及格式的变换
D.实现传递信号的放大和整形

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本题答案：D
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13、单项选择题  （）是与气体辉光放电现象密切想关的一种薄膜淀积技术。

A.蒸镀
B.离子注入
C.溅射
D.沉积

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本题答案：C
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14、单项选择题  光刻工艺中，脱水烘焙的最初温度是（）。

A.150－200℃
B.200℃左右
C.250℃左右
D.300℃左右

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本题答案：A
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15、单项选择题  干氧氧化中，氧化炉内的气体压力应（）一个大气压。

A.稍高于
B.大大于
C.等于
D.没有要求

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本题答案：A
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16、单项选择题  静电偏转电极和静电扫描器都是（）电容器。

A.片状
B.针尖状
C.圆筒状
D.平行板

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本题答案：D
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17、单项选择题  在实际工作中，常常需要知道离子注入层内损伤量按（）的分布情况。

A.长度
B.深度
C.宽度
D.表面平整度

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本题答案：B
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18、多项选择题  扩散工艺使杂质由半导体晶片表面向内部扩散，改变了晶片（），所以晶片才能被人们所使用。

A.内部的杂质分布
B.表面的杂质分布
C.整个晶体的杂质分布
D.内部的导电类型
E.表面的导电类型

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本题答案：A, E
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19、单项选择题  （）的气体源中一般包含H+，C+，B+，Cl+，O+等离子。

A.Cl2
B.BCl3
C.CO2
D.H2

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本题答案：B
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20、单项选择题  射程在垂直入射方向的平面内的投影长度称之为（）。

A.投影射程
B.射程纵向分量
C.射程横向分量
D.有效射程

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本题答案：C
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21、单项选择题  扩散炉中的管道一般都是用（）制作。

A.陶瓷
B.玻璃
C.石英
D.金属

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本题答案：C
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22、单项选择题  在空位扩散中，如果迁移到空位的原子是基质原子，扩散属于（）。

A.推挤扩散
B.杂质扩散
C.填隙扩散
D.自扩散

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本题答案：D
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23、单项选择题  （）就是用功率密度很高的激光束照射半导体表面，使其中离子注入层在极短的时间内达到高温，消除损伤。

A.热退火
B.激光退火
C.连续激光退火
D.脉冲激光退火

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本题答案：B
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24、单项选择题  由于水中阴阳离子都有导电能力，所以水的（）越高，水中离子数就越少。

A.电阻率
B.电导率
C.电阻
D.电导

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本题答案：A
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25、单项选择题  离子散射方向与入射方向的夹角，称为（）。

A.渐近角
B.偏折角
C.散射角
D.入射角

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本题答案：C
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26、单项选择题  半导体硅常用的受主杂质是（）。

A.锡
B.硫
C.硼
D.磷

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本题答案：C
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27、单项选择题  树脂的外形为（）的球状颗粒。

A.淡黄色或褐色
B.黑色或棕色
C.淡红色或褐色
D.淡蓝色或棕色

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本题答案：A
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28、单项选择题  以下属于口腔医务人员个人保护措施的是（）

A.手套
B.口罩
C.防护镜
D.保护性工作服
E.以上均是

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本题答案：E
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29、单项选择题  有机性气体大多产生在下列哪道工艺（）。

A.离子注入
B.刻蚀
C.扩散
D.光刻

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本题答案：D
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30、单项选择题  溅镀法，因为其阶梯覆盖的能力不良，很容易造成因填缝不完全所留下的（）。

A.鸟嘴
B.空洞
C.裂痕
D.位错

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本题答案：B
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31、多项选择题  净化室里废气收集管系统分为两类，分别是（）。

A.一般排气系统
B.特殊排气系统
C.制程排气系统
D.专用排气系统
E.排气排水系统

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本题答案：A, C
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32、单项选择题  在确定扩散率的实验中，扩散层电阻的测量可以用（）测量。

A.SIMS技术
B.扩展电阻技术
C.微分电导率技术
D.四探针技术

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本题答案：D
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33、多项选择题  下列物质中是结晶形态二氧化硅的有（）。

A.硅土
B.石英
C.磷石英
D.玻璃
E.水晶

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本题答案：B, C, E
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34、多项选择题  二氧化硅薄膜厚度的测量方法有（）。

A.比色法
B.双光干涉法
C.椭圆偏振光法
D.腐蚀法
E.电容-电压法

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本题答案：A, B, C, D, E
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35、单项选择题  铜与氯形成的化合物挥发能力不好，因而铜的刻蚀无法以化学反应来进行，而必须施以（）。

A.等离子体刻蚀
B.反应离子刻蚀
C.湿法刻蚀
D.溅射刻蚀

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本题答案：D
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36、单项选择题  分析器是一种（）分选器。

A.电子
B.中子
C.离子
D.质子

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本题答案：C
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37、单项选择题  危害半导体工艺的典型金属杂质是（）。

A.2族金属
B.碱金属
C.合金金属
D.稀有金属

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本题答案：B
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38、多项选择题  二氧化硅层中的钠离子可能来源于（）。

A.玻璃器皿
B.高温器材
C.人体沾污
D.化学试剂
E.去离子水

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本题答案：A, B, C, D, E
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39、单项选择题  一般分析扩散系数，考虑两种条件，即恒定表面浓度条件和（）。

A.恒定总掺杂剂量
B.不恒定总掺杂剂量
C.恒定杂志浓度
D.不恒定杂志浓度

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本题答案：A
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40、单项选择题  请在下列选项中选出硅化金属的英文简称：（）。

A.Oxide
B.Nitride
C.Silicide
D.Polycide

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本题答案：C
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41、多项选择题  去正胶常用的溶剂有（）

A.丙酮
B.氢氧化钠溶液
C.丁酮
D.甲乙酮
E.热的氯化碳氢化合物

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本题答案：A, B, C, D
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42、单项选择题  在刻蚀二氧化硅过程中假如我们在CF4的（）内加入适量的氢气，能够降低刻蚀的速率。

A.气体
B.等离子体
C.固体
D.液体

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本题答案：B
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43、单项选择题  硅-二氧化硅系统中含有的最主要而对器件稳定性影响最大的离子是（）。

A.钠
B.钾
C.氢
D.硼

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本题答案：A
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44、单项选择题  用电容－电压技术来测量扩散剖面分布是用了（）的原理。

A.pn结理论
B.欧姆定律
C.库仑定律
D.四探针技术

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本题答案：A
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45、单项选择题  在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在950～1100℃的条件下，扩散时间大约（）为宜。

A.4～6h
B.50min～2h
C.10～40min
D.5～10min

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本题答案：C
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46、单项选择题  由于离子交换树脂反应，它既可以去除水中杂质离子，又可以将失效树脂进行处理，恢复交换能力，所以称为（）反应。

A.置换
B.化学
C.不可逆
D.可逆

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本题答案：D
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47、单项选择题  真空蒸发又被人们称为（）。

A.真空沉积
B.真空镀膜
C.真空外延
D.真空

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本题答案：B
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48、单项选择题  损伤的分布与注入离子在在靶内的（）的分布密切相关。

A.能量淀积
B.动量淀积
C.能量振荡
D.动量振荡

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本题答案：A
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49、多项选择题  解决氧化层中的钠离子沾污的方法有（）。

A.加强工艺操作
B.加强人体和环境卫生
C.使用高纯化学试剂、高纯水和超净设备
D.采用HCl氧化工艺
E.硅片清洗后，要充分烘干，表面无水迹

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本题答案：A, B, C, D, E
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50、单项选择题  引出系统要求能引出分散性较好的强束流，还希望具有较（）的气阻。

A.无序
B.稳定
C.小
D.大

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本题答案：D
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51、单项选择题  下列关于曝光后烘烤的说法正确的是（）。

A.烘烤的目的是除去光刻胶中的水分
B.烘烤可以减轻曝光中的驻波效应
C.烘烤的温度一般在300℃左右
D.烘烤的时间越长越好

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本题答案：B
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52、单项选择题  真空镀膜室内，在蒸发源加热器与衬底加热器之间装有活动挡板，用来（）。

A.隔挡气体交换
B.控制蒸发的过程
C.辅助热量交换
D.温度调节

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本题答案：B
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53、多项选择题  哪种方法可以增加缺陷的积累率而降低临界注入量：（）。

A.低温注入
B.常温注入
C.高温注入
D.分子注入
E.双注入

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本题答案：A, D, E
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54、多项选择题  超大规模集成电路需要光刻工艺具备的要求有（）。

A.高分辨率
B.高灵敏度
C.精密的套刻对准
D.大尺寸
E.低缺陷

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本题答案：A, B, C, D, E
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55、单项选择题  在靶片前方设一抑制栅，作用是将（）抑制回去，从而保证测量的准确性。

A.二次电子
B.二次中子
C.二次质子
D.无序离子

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本题答案：A
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56、单项选择题  请在下列选项中选出多晶硅化金属的英文简称：（）。

A.Oxide
B.Nitride
C.Silicide
D.Polycide

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本题答案：D
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57、多项选择题  下列扩散杂质源中，（）不仅是硅常用的施主杂质，也是锗常用的施主杂质。

A.硼
B.锡
C.锑
D.磷
E.砷

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本题答案：C, D
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58、单项选择题  采用热氧化方法制备的二氧化硅从结构上看是（）的。

A.结晶形 91exam .net态
B.非结晶形态
C.可能是结晶形态的，也可能是非结晶形态的
D.以上都不对

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本题答案：B
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59、单项选择题  在VLSI工艺中，常用的前烘方法是（）。

A.热空气对流法
B.真空热平板传导法
C.红外线辐射法
D.射频感应加热法

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本题答案：B
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60、单项选择题  在热扩散工艺中的预淀积步骤中，磷的扩散温度为（）。

A.600～750℃
B.900～1050℃
C.1100～1250℃
D.950～1100℃

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本题答案：B
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61、多项选择题  对于非晶靶，离子注入的射程分布取决于（）。

A.入射离子的能量
B.入射离子的质量
C.入射离子的原子序数
D.靶原子的质量、原子序数、原子密度
E.注入离子的总剂量

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本题答案：A, B, C, D, E
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62、多项选择题  有关光刻胶的显影下列说法错误的是（）。

A.负胶受显影液的影响比较小
B.正胶受显影液的影响比较小
C.正胶的曝光区将会膨胀变形
D.使用负胶可以得到更高的分辨率
E.负胶的曝光区将会膨胀变形

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本题答案：A, C, D
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63、单项选择题  扩散工艺现在广泛应用于制作（）。

A.晶振
B.电容
C.电感
D.PN结

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本题答案：D
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64、单项选择题  下列哪些因素不会影响到显影效果的是（）。

A.显影液的温度
B.显影液的浓度
C.显影液的溶解度
D.显影液的化学成分

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本题答案：C
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65、单项选择题  （）是通过把被蒸物体加热，利用被蒸物在高温时的饱和蒸汽压来进行薄膜沉积的。

A.蒸镀
B.溅射
C.离子注入
D.CVD

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本题答案：A
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66、单项选择题  （）是因为吸附原子在晶片表面上彼此碰撞并结合所形成的。

A.晶核
B.晶粒
C.核心
D.核团

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本题答案：A
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67、多项选择题  关于正胶和负胶在显影时的特点，下列说法正确的是（）。 91E XAM.net

A.负胶的感光区域溶解
B.正胶的感光区域溶解
C.负胶的感光区域不溶解
D.正胶的感光区域不溶解
E.负胶的非感光区域溶解

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本题答案：B, C, E
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68、单项选择题  当二氧化硅膜很薄时，膜厚与时间（）。

A.t2成正比
B.t2成反比
C.t成正比
D.t成反比

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本题答案：C
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69、单项选择题  企业的战略一般由四个要素组成，即经营范围、资源配置、竞争优势以及协同合作，其中协同合作是指企业通过共同的努力达到（ 91eXAm.net）。

A.分力之和大于简单相加的结果
B.分力之和等于简单相加
C.共享开发工具、共享信息
D.共同分担着开发失败的风险

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本题答案：A
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70、多项选择题   ;静电释放带来的问题有哪些（）。

A.金属电迁移
B.金属尖刺现象
C.芯片产生超过1A的峰值电流
D.栅氧化层击穿
E.吸引带电颗粒或极化并吸引中性颗粒到硅片表面

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本题答案：C, D, E
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71、单项选择题  半导体硅常用的施主杂质是（）。

A.锡
B.硫
C.硼
D.磷

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本题答案：D
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72、单项选择题  二氧化硅薄膜的折射率是表征其（）学性质的重要参数。

A.电
B.磁
C.光
D.热

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本题答案：C
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73、单项选择题  在刻蚀（）过程中假如我们在CF5的等离子体内加入适量的氧气，能够提高刻蚀的速率。

A.铜
B.铝
C.金
D.二氧化硅

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本题答案：D
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74、单项选择题  晶体中，每个原子在晶格中有一定的平衡位置，原子在此位置时其势能为（）。

A.极大值
B.极小值
C.既不极大也不极小
D.小于动能

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本题答案：B
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75、单项选择题  用真空蒸发与溅射法在硅片或二氧化硅膜上涂敷金属材料，是形成电极的（）。

A.重要步骤
B.次要步骤
C.首要步骤
D.不一定

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本题答案：C
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76、单项选择题  目前，最广泛使用的退火方式是（）。

A.热退火
B.激光退火
C.电子束退火
D.离子束退火

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本题答案：A
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77、单项选择题  菲克一维扩散定律公式中的J是代表单位面积溶质（）。

A.传输率
B.载流子浓度
C.扩散梯度
D.扩散系数

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本题答案：A
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78、单项选择题  当注入剂量增加到某个值时，损伤量不再增加，趋于饱和。饱和正是对应连续（）的形成。

A.非晶层
B.单晶层
C.多晶层
D.超晶层

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本题答案：A
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79、多项选择题  离子注入的主要气体源中，易燃、易爆的有（）。

A.砷化氢
B.二硼化氢
C.三氟化硼
D.硅烷
E.氧气

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本题答案：A, B, D
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80、单项选择题  电子束蒸发的设备中产生电子束的装置称为（）。

A.电子源
B.电子泵
C.电子管
D.电子枪

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本题答案：D
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81、多项选择题  电气测量仪表若按照电流的种类来分，有（）。

A.低压仪表
B.高压仪表
C.直流仪表
D.交流仪表
E.交直流仪表

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本题答案：C, D, E
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82、多项选择题  下列有关ARC工艺的说法正确的是（）。

A.ARC可以是硅的氮化物
B.可用干法刻蚀除去
C.ARC膜可以通过PVD或者CVD的方法形成
D.ARC在刻蚀中也可做为掩蔽层
E.ARC膜也可以通过CVD的方法形成

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本题答案：A, B, C, D, E
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83、单项选择题  为了避免（）在经过氯化物等离子体刻蚀之后的残留物使其发生腐蚀，必须在刻蚀完毕之后再增加一道工序来除去这些表面残留物。

A.多晶硅
B.单晶硅
C.铝硅铜合金
D.铜

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本题答案：C
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84、单项选择题  复合床和混合床可以串联使用。复合床就是指将阳树脂和阴树脂分别装在两个（）内串接起来。

A.交换柱
B.混合床
C.混合柱
D.复合柱

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本题答案：A
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85、单项选择题  将具有交换能力的阳树脂和阴树脂按一定比例混合后，装在聚氯乙稀或有机玻璃做的圆柱形交换柱内，自来水（）通过交换柱就能称为高纯度去离子水。

A.自上而下
B.自下而上
C.自左而右
D.自右而左

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本题答案：A
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86、单项选择题  激光退火目前有（）激光退火两种。

A.一般和特殊
B.脉冲和连续
C.高温和低温
D.快速和慢速

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本题答案：B
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87、多项选择题  在半导体制造中，熔断丝可以应用在（）。

A.MOS栅极
B.保护性元件
C.电容器极板
D.制造只读存储器PROM
E.晶圆背面电镀

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本题答案：B, D
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88、单项选择题  硅晶片上之所以可以产生薄膜，出始于布满在晶片表面的许多气体分子或其它粒子，它们主要是通过（）到达晶片表面的。

A.粒子的扩散
B.化学反应
C.从气体源通过强迫性的对流传送
D.被表面吸附

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本题答案：A
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89、单项选择题  在酸性浆料中，最常使用的氧化剂为（）。

A.硝酸
B.硝酸铜
C.硫酸
D.磺酸

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本题答案：A
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90、单项选择题  在将清洗完的硅片放进扩散炉扩散时，需要将硅片先装入（），然后再装入扩散炉。 91E XAM.net

A.耐热陶瓷器皿
B.金属器皿
C.石英舟
D.玻璃器皿

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本题答案：C
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91、多项选择题  在对层间绝缘膜进行CMP时，层间绝缘膜的表面会随下列那些因素产生变化（）。

A.电路图形结构的凹凸
B.尺寸大小
C.位置分布
D.高度
E.密集程度

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本题答案：A, B, C, D, E
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92、单项选择题  化合物半导体砷化镓常用的施主杂质是（）。

A.锡
B.硼
C.磷
D.锰

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本题答案：A
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93、单项选择题  （）方法是大规模集成电路生产中用来沉积不同金属的应用最为广泛的技术。

A.蒸镀
B.离子注入
C.溅射
D.沉积

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本题答案：C
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94、单项选择题  （）由钟罩、蒸气源加热器、衬底加热器、活 动挡板和底盘构成。

A.真空镀膜机
B.真空镀膜室
C.真空镀膜器
D.真空镀膜仪

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本题答案：B
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95、单项选择题  大硅片上生长的（）的不均匀和各个部位刻蚀速率的不均匀会导致刻蚀图形转移的不均匀性。

A.薄膜厚度
B.图形宽度
C.图形长度
D.图形间隔

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本题答案：A
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96、单项选择题  离子从进入靶起到停止点所通过的总路程称作（）。

A.离子距离
B.靶厚
C.射程
D.注入深度

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本题答案：C
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97、单项选择题  在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，CA的含义是（）。

A.化学增强
B.化学减弱
C.厚度增加
D.厚度减少

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本题答案：A
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98、多项选择题  为了满足半导体器件对金属材料的低电阻连接以及可靠的要求，金属材料应该满足（）。

A.低电阻率
B.易与p或n型硅形成欧姆接触
C.可与硅或二氧化硅反应
D.易于光刻
E.便于进行键合

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本题答案：A, B, D, E
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99、单项选择题  离子源产生的离子在（）的加速电场作用下得到加速。

A.分析器
B.扫描器
C.加速器
D.偏转器

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本题答案：C
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100、多项选择题  在半导体工艺中，如果淀积的薄膜不是连续的，存在一些空隙，则（）。

A.使薄膜的介电常数变大
B.可能引入杂质
C.可能使薄膜层间短路
D.使薄膜介电常数变小
E.可能使薄膜厚度增加

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本题答案：B, C
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