1、单项选择题  在热扩散工艺中的预淀积步骤中，磷的扩散温度为（）。

A.600～750℃
B.900～1050℃
C.1100～1250℃
D.950～1100℃

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本题答案：B
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2、多项选择题  在半导体工艺中，淀积的薄膜层应满足的参数包含有（）。

A.均匀性
B.表面平整度
C.自由应力
D.纯净度
E.电容

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本题答案：A, B, C, D, E
本题解析：暂无解析

3、多项选择题  树脂使用过程中需保持一定温度，阳树脂和阴树脂分别不能高于（）度，使用温度不能过低，低于0度会使树脂冻裂。

A.80
B.60
C.40
D.20
E.10

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本题答案：A, C
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4、单项选择题  在各种离子源常用的放电方式中，EOS是指有（）。

A.电子振荡放电
B.离子自动放电
C.低电压弧光放电
D.双等离子电弧放电

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本题答案：A
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5、多项选择题  下列扩散杂质源中，（）不仅是硅常用的施主杂质，也是锗常用的施主杂质。

A.硼
B.锡
C.锑
D.磷
E.砷

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本题答案：C, D
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6、单项选择题  用高能粒子从某种物质的表面撞击出原子的物理过程叫（）。

A.蒸镀
B.离子注入
C.溅射
D.沉积

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本题答案：C
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7、单项选择题  溅镀法，因为其阶梯覆盖的能力不良，很容易造成因填缝不完全所留下的（）。

A.鸟嘴
B.空洞
C.裂痕
D.位错

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本题答案：B
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8、单项选择题  激光退火目前有（）激光退火两种。

A.一般和特殊
B.脉冲和连续
C.高温和低温
D.快速和慢速

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本题答案：B
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9、单项选择题 &nbs p;大硅片上生长的（）的不均匀和各个部位刻蚀速率的不均匀会导致刻蚀图形转移的不均匀性。

A.薄膜厚度
B.图形宽度
C.图形长度
D.图形间隔

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本题答案：A
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10、单项选择题  为了保证保护装置能可靠地动作，27.5A的接地电流只能保证断开动作电流不超过多少的继电保护装置。（）

A.18.3A
B.13.8A
C.11A
D.9.2A

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本题答案：A
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11、单项选择题  下列几种氧化方法相比，哪种方法制得的二氧化硅薄膜的电阻率会高些（）。

A.干氧氧化
B.湿氧氧化
C.水汽氧化
D.与氧化方法无关

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本题答案：A
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12、多项选择题  离子注入的主要气体源中，易燃、易爆的有（）。

A.砷化氢
B.二硼化氢
C.三氟化硼
D.硅烷
E.氧气

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本题答案：A, B, D
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13、单项选择题  （）方法是大规模集成电路生产中用来沉积不同金属的应用最为广泛的技术。

A.蒸镀
B.离子注入
C.溅射
D.沉积

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本题答案：C
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14、单项选择题  多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对（）的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。

A.二氧化硅
B.氮化硅
C.单晶硅
D.多晶硅

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本题答案：A
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15、多项选择题  电气测量仪表若按照电流的种类来分，有（）。

A.低压仪表
B.高压仪表
C.直流仪表
D.交流仪表
E.交直流仪表

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本题答案：C, D, E
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16、单项选择题  如果固体中的原子排列情况是紊乱的，就称之为（）。

A.单晶靶
B.超晶靶
C.多晶靶
D.非晶靶

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本题答案：D
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17、多项选择题  为了满足半导体器件对金属材料的低电阻连接以及可靠的要求，金属材料应该满足（）。

A.低电阻率
B.易与p或n型硅形成欧姆接触
C.可与硅或二氧化硅反应
D.易于光刻
E.便于进行键合

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本题答案：A, B, D, E
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18、单项选择题  阳树脂用盐酸做再生液，浓度为（）溶液可用原水配制。

A.5％
B.10%
C.15%
D.20%

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本题答案：B
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19、单项选择题  目前，最广泛使用的退火方式是（）。

A.热退火
B.激光退火
C.电子束退火
D.离子束退火

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本题答案：A
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20、单项选择题  在空位扩散中，如果迁移的空位的原子是杂质原子，扩散称为（）。

A.填隙扩散
B.杂质扩散
C.推挤扩散
D.自扩散

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本题答案：B
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21、单项选择题  离子源腔体中的气体放电形成（）而引出正离子的。

A.等离子体
B.不等离子体
C.正离子体
D.液电流

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本题答案：A
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22、多项选择题  静电释放带来的问题有哪些（）。

A.金属电迁移
B.金属尖刺现象
C.芯片产生超过1A的峰值电流
D.栅氧化层击穿
E.吸引带电颗粒或极化并吸引中性颗粒到硅片表面

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本题答案：C, D, E
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23、单项选择题  dry vacuum pump的意思是（）。

A.扩散泵
B.谁循环泵
C.干式真空泵
D.路兹泵

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本题答案：C
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24、单项选择题  下列关于曝光后烘烤的说法正确的是（）。

A.烘烤的目的是除去光刻胶中的水分
B.烘烤可以减轻曝光中的驻波效应
C.烘烤的温度一般在300℃左右
D.烘烤的时间越长越好

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本题答案：B
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25、单项选择题  离子源的作用是使所需要的杂质原子电离成（）离子，并通过一个引出系统形成离子束。

A.正
B.负
C.中性
D.以上答案都可以

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本题答案：A
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26、多项选择题  关于正胶和负胶在显影时的特点，下列说法正确的是（）。

A.负胶的感光区域溶解
B.正胶的感光区域溶解
C.负胶的感光区域不溶解
D.正胶的感光区域不溶解
E.负胶的非感光区域溶解

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本题答案：B, C, E
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27、单项选择题  在深紫外曝光中，需要使用（）光刻胶。

A.DQN
B.CA
C.ARC
D.PMMA

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本题答案：A
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28、单项选择题  通常选熔断器熔断电流为电路额定电流的（）。

A.1～1.8倍
B.1.3～1.8倍
C.1.3～2.1倍
D.1.5～2.3倍

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本题答案：C
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29、单项选择题  在生产过程中必须使用（）来完成浅沟槽隔离STI。

A.单晶硅刻蚀
B.多晶硅刻蚀
C.二氧化硅刻蚀
D.氮化硅刻蚀

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本题答案：A
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30、单项选择题  静电释放的英文简述为（）。

A.ESC
B.SED
C.ESD
D.SEM

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本题答案：C
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31、单项选择题  分析器是一种（）分选器。

A.电子
B.中子
C.离子
D.质子

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本题答案：C
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32、单项选择题  复合床和混合床可以串联使用。复合床就是指将阳树脂和阴树脂分别装在两个（）内串接起来。

A.交换柱
B.混合床
C.混合柱
D.复合柱

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本题答案：A
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33、单项选择题  在磁分析器中常用（）分析磁铁。

A.柱形
B.扇形
C.方形
D.圆形

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本题答案：B
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34、单项选择题  悬浮在空气中的颗粒称为（）。

A.悬浮物
B.尘埃
C.污染颗粒
D.浮质

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本题答案：D
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35、多项选择题  涂胶之前，要保证晶片的质量以及涂胶工序的顺利进行，下列操作正确的是（）。

A.进行去水烘烤以保证晶片干燥
B.在晶片表面涂上增粘剂以保证晶片黏附性好
C.刚刚处理好的晶片应立即涂胶
D.贮存的晶片在涂胶前必须再次清洗及干燥
E.也可以直接使用贮存的晶片

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本题答案：A, B, C, D
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36、单项选择题  检验水中是否有盐酸，可用（）溶液滴入水中，如果出现白色沉淀，就表示水中有盐酸。

A.氧化铜
B.硝酸镁
C.硝酸银
D.氯化铜

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本题答案：C
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37、单项选择题  通常热扩散分为两个大步骤，其中第一个步骤是（）。

A.再分布
B.等表面浓度扩散
C.预淀积
D.等总掺杂剂量扩散

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本题答案：C
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38、单项选择题  用电容－电压技术来测量扩散剖面分布是用了（）的原理。

A.pn结理论
B.欧姆定律
C.库仑定律
D.四探针技术

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本题答案：A
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39、单项选择题  由静电释放产生的电流泄放最大电压可以达（）。

A.几伏
B.几十伏
C.几百伏
D.几万伏

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本题答案：D
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40、单项选择题  电离气体与普通气体的不同之处在于：后者是由电中性的分子或原子组成的，前者则是（）和中性粒子组成的集合体。

A.离子
B.原子团
C.电子
D.带电粒子

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本题答案：D
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41、多项选择题  下列物质中是结晶形态二氧化硅的有（）。

A.硅土
B.石英
C.磷石英
D.玻璃
E.水晶

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本题答案：B, C, E
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42、单项选择题  物理气相沉积简称（）。

A.LVD
B.PED
C.CVD
D.PVD

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本题答案：D
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43、单项选择题  钠、钾等大离子在二氧化硅结构中是（）杂质。

A.替位式
B.间隙式
C.施主
D.可能是替位式也可能是间隙式

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本题答案：B
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44、单项选择题  由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的，所以其（）就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。

A.刻蚀速率
B.选择性
C.各向同性
D.各向异性

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本题答案：B
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45、单项选择题  光刻的主要工艺流程按照操作顺序是（）。

A.涂胶、前烘、曝光、坚膜、显影、去胶
B.涂胶、前烘、坚膜、曝光、显影、去胶
C.涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、去胶
D.前烘、涂胶、曝光、坚膜、显影、去胶

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本题答案：C
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46、多项选择题  二氧化硅层中的钠离子可能来源于（）。

A.玻璃器皿
B.高温器材
C.人体沾污
D.化学试剂
E.去离子水

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本题答案：A, B, C, D, E
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47、单项选择题  下列哪些因素不会影响到显影效果的是（）。

A.显影液的温度
B.显影液的浓度
C.显影液的溶解度
D.显影液的化学成分

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本题答案：C
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48、单项选择题  有机性气体大多产生在下列哪道工艺（）。

A.离子注入
B.刻蚀
C.扩散
D.光刻

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本题答案：D
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49、单项选择题  （）是通过把被蒸物体加热，利用被蒸物在高温时的饱和蒸汽压来进行薄膜沉积的。

A.蒸镀
B.溅射
C.离子注入
D.CVD

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本题答案：A
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50、单项选择题  在刻蚀二氧化硅过程中假如我们在CF4的（）内加入适量的氢气，能够降低刻蚀的速率。

A.气体
B.等离子体
C.固体
D.液体

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本题答案：B
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51、单项选择题  当二氧化硅膜很薄时，膜厚与时间（）。

A.t2成正比
B.t2成反比
C.t成正比
D.t成反比

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本题答案：C
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52、单项选择题  （）是与气体辉光放电现象密切想关的一种薄膜淀积技术。

A.蒸镀
B.离子注入
C.溅射
D.沉积

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本题答案：C
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53、单项选择题  决定吸附原子彼此间能否形成一个稳定的核团，以便于进行凝结的主要因素主宰于所形成的核团是否（）而定。

A.动能最低
B.稳定
C.运动
D.静止

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本题答案：B
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54、单项选择题  不可以对SiO2进行干法刻蚀所使用的气体是（）。

A.CHF3
B.C2F6
C.C3F8
D.HF

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本题答案：D
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55、单项选择题  硅-二氧化硅系统中含有的最主要而对器件稳定性影响最大的离子是（）。

A.钠
B.钾
C.氢
D.硼

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本题答案：A
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56、单项选择题  为了避免（）在经过氯化物等离子体刻蚀之后的残留物使其发生腐蚀，必须在刻蚀完毕之后再增加一道工序来除去这些表面残留物。

A.多晶硅
B.单晶硅
C.铝硅铜合金
D.铜

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本题答案：C
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57、单项选择题  刻蚀是把进行光刻前所沉积的薄膜厚度约在数千到数百A之间中没有被（）覆盖及保护的部分，以化学作用或是物理作用的方式加以去除，以完成转移掩膜图案到薄膜上面的目的。

A.二氧化硅
B.氮化硅
C.光刻胶
D.去离子水

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本题答案：C
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58、单项选择题  硅晶片上之所以可以产生薄膜，出始于布满在晶片表面的许多气体分子或其它粒子，它们主要是通过（）到达晶片表面的。

A.粒子的扩散
B.化学反应
C.从气体源通过强迫性的对流传送
D.被表面吸附

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本题答案：A
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59、多项选择题  扩散工艺使杂质由半导体晶片表面向内部扩散，改变了晶片（），所以晶片才能被人们所使用。

A.内部的杂质分布
B.表面的杂质分布
C.整个晶体的杂质分布
D.内部的导电类型
E.表面的导电类型

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本题答案：A, E
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60、单项选择题  当热氧化的最初阶段，（）为限制反应速率的主要原因。

A.温度
B.硅-二氧化硅界面处的化学反应
C.氧的扩散速率
D.压力

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本题答案：B
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61、多项选择题  去正胶常用的溶剂有（）

A.丙酮
B.氢氧化钠溶液
C.丁酮
D.甲乙酮
E.热的氯化碳氢化合物

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本题答案：A, B, C, D
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62、多项选择题  干氧氧化法具备以下一系列的优点（）。

A.生长的二氧化硅薄膜均匀性好
B.生长的二氧化硅干燥
C.生长的二氧化硅结构致密
D.生长的二氧化硅是很理想的钝化膜
E.生长的二氧化硅掩蔽能力强

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本题答案：A, B, C, D, E
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63、单项选择题  沾污引起的电学缺陷引起（），硅片上的管芯报废以及很高的芯片制造成本。

A.不会影响成品率
B.晶圆缺陷
C.成品率损失
D.晶圆损失

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本题答案：C
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64、多项选择题  净化室将硅片制造设备与外部环境隔离，免受诸如（）的沾污。

A.颗粒
B.金属
C.有机分子
D.静电释放（ESD）
E.水

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本题答案：A, B, C, D
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65、单项选择题  在集成电路工艺中，光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是（）。

A.刻蚀
B.氧化
C.淀积
D.光刻

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本题答案：D
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66、单项选择题  （）是测量在刻蚀过程中物质被移除的速率有多快的一种参数。

A.刻蚀速率
B.刻蚀深度
C.移除速率
D.刻蚀时间

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本题答案：A
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67、单项选择题  为了解决中性束对注入均匀性的影响，可在系统中设有（），使离子束偏转后再达到靶室。

A.磁分析器
B.正交电磁场分析器
C.静电偏转电极
D.束流分析仪

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本题答案：C
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68、多项选择题  下列有关曝光系统的说法正确的是（）。

A.投影式同接触式相比，掩模版的利用率比较高
B.接触式的分辨率优于接近式
C.接近式的分辨率受到衍射的影响
D.投影式曝光系统中不会产生衍射现象
E.投影式曝光是目前采用的主要曝光系统

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本题答案：A, B, C, E
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69、单项选择题  买来的新树脂往往是Na型或Cl型，新树脂使用前必须分别用酸（阳树脂），碱（阴树脂）浸泡约（）个小时，把Na型或Cl型转换成H型或OH型。

A.3
B.4
C.5
D.6

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本题答案：B
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70、单项选择题  树脂的外形为（）的球状颗粒。

A.淡黄色或褐色
B.黑色或棕色
C.淡红色或褐色
D.淡蓝色或棕色

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本题答案：A
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71、单项选择题  晶体中，每个原子在晶格中有一定的平衡位置，原子在此位置时其势能为（）。

A.极大值
B.极小值
C.既不极大也不极小
D.小于动能

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本题答案：B
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72、单项选择题  损伤的分布与注入离子在在靶内的（）的分布密切相关。

A.能量淀积
B.动量淀积
C.能量振荡
D.动量振荡

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本题答案：A
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73、单项选择题  在刻蚀（）过程中假如我们在CF5的等离子体内加入适量的氧气，能够提高刻蚀的速率。

A.铜
B.铝
C.金
D.二氧化硅

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本题答案：D
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74、单项选择题  下列哪些元素在硅中是快扩散元素：（）。

A.Na
B.B
C.P
D.As

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本题答案：A
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75、多项选择题  在半导体工艺中，如果淀积的薄膜不是连续的，存在一些空隙，则（）。

A.使薄膜的介电常数变大
B.可能引入杂质
C.可能使薄膜层间短路
D.使薄膜介电常数变小
E.可能使薄膜厚度增加

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本题答案：B, C
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76、单项选择题  降低靶的温度，有利于非晶层的形成，所以临界注入量随之（来源:91考试网 91ExaM.org）。

A.增大
B.减小
C.不变
D.变为0

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本题答案：B
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77、单项选择题  早期，研究离子注入技术是用（）来进行的。

A.重离子加速器
B.热扩散炉
C.质子分析仪
D.轻离子分析器

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本题答案：A
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78、多项选择题  晶片表面上的粒子是通过（）到达晶片的表面。

A.粒子扩散
B.从气体源通过强迫性的对流传送
C.化学反应
D.被表面吸附
E.静电吸引

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本题答案：A, B, C, D
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79、单项选择题  电子束蒸发的设备中产生电子束的装置称为（）。

A.电子源
B.电子泵
C.电子管
D.电子枪

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本题答案：D
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80、单项选择题  （）是以物理的方法来进行薄 91eXaM.org膜沉积的一种技术。

A.LPCVD
B.PECVD
C.CVD
D.PVD

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本题答案：D
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81、单项选择题  将具有交换能力的阳树脂和阴树脂按一定比例混合后，装在聚氯乙稀或有机玻璃做的圆柱形交换柱内，自来水（）通过交换柱就能称为高纯度去离子水。

A.自上而下
B.自下而上
C.自左而右
D.自右而左

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本题答案：A
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82、单项选择题  奉献社会的实质是（）。

A.获得社会的好评
B.尽社会义务
C.不要回报的付出
D.为人民服务

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本题答案：C
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83、单项选择题  在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在900～1050℃的条件下，扩散时间大约（）为宜。

A.4～6h
B.50min～2h
C.10～40min
D.5～10min

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本题答案：C
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84、单项选择题  由于水中阴阳离子都有导电能力，所以水的（）越高，水中离子数就越少。

A.电阻率
B.电导率
C.电阻
D.电导

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本题答案：A
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85、单项选择题  采用热氧化方法制备的二氧化硅从结构上看是（）的。

A.结晶形态
B.非结晶形态
C.可能是结晶形态的，也可能是非结晶形态的
D.以上都不对

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本题答案：B
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86、单项选择题  离子从进入靶起到停止点所通过的总路程称作（）。

A.离子距离
B.靶厚
C.射程
D.注入深度

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本题答案：C
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87、单项选择题  铜互连金属多层布线中，磨料的粒径一般为（）。

A.5~10nm
B.20~30nm
C.50~80nm
D.100~200nm

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本题答案：B
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88、多项选择题  直流二极管辉光放电系统是由（）构成。

A.抽真空的玻璃管
B.抽真空后再充入某种低压气体的玻璃管
C.两个电极
D.加速器
E.增益管

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本题答案：B, C
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89、单项选择题  如果磷在二氧化硅中扩散，对扩散率影响最大的因素是：（）。

A.扩散剂总量
B.压强
C.温度
D.浓度

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本题答案：D
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90、单项选择题  干氧氧化法有一些优点，但同时它的缺点有（）。

A.生长出的二氧化硅中引入很多可动离子
B.氧化的速度慢
C.生长的二氧化硅缺陷多
D.生长的二氧化硅薄膜钝化效果差

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本题答案：B
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91、单项选择题  我们可以通过简单的结深测量和（）测量来获得扩散层的重要信息。

A.横向电阻
B.平均电阻率
C.薄层电阻
D.扩展电阻

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本题答案：C
本题解析：暂无解析

92、单项选择题  下列材料中电阻率最低的是（）。

A.铝
B.铜
C.多晶硅
D.金

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本题答案：D
本题解析：暂无解析

93、多项选择题  下列哪些因素会影响临界注入量的大小：（）。

A.注入离子的质量
B.靶的种类
C.注入温度
D.注入速度
E.注入剂量

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本题答案：A, B, C, D
本题解析：暂无解析

94、单项选择题  下面那一种薄膜工艺中底材会被消耗（）。

A.薄膜沉积
B.薄膜成长
C.蒸发
D.溅射

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本题答案：B
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95、多项选择题  解决氧化层中的钠离子沾污的方法有（）。

A.加强工艺操作
B.加强人体和环境卫生
C.使用高纯化学试剂、高纯水和超净设备
D.采用HCl氧化工艺
E.硅片清洗后，要充分烘干，表面无水迹

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本题答案：A, B, C, D, E
本题解析：暂无解析

96、多项选择题  沾污是指半导体制造过程中引入半导体硅片的任何危害微芯片（）的不希望有的物质。

A.功能
B.成品率
C.物理性能
D.电学性能
E.外观

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本题答案：B, D
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97、单项选择题  二氧化硅薄膜的折射率是表征其（）学性质的重要参数。

A.电
B.磁
C.光
D.热

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本题答案：C
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98、单项选择题  静电偏转电极和静电扫描器都是（）电容器。

A.片状
B.针尖状
C.圆筒状
D.平行板

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本题答案：D
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99、多项选择题  对于非晶靶，离子注入的射程分布取决于（）。

A.入射离子的能量
B.入射离子的质量
C.入射离子的原子序数
D.靶原子的质量、原子序数、原子密度
E.注入离子的总剂量

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本题答案：A, B, C, D, E
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100、单项选择题  在直流二极管辉光放电系统的玻璃管中，自由电子在碰撞氩原子之前可运动的平均距离又叫（）。

A.平均运动范围
B.平均速度
C.平均碰撞距离
D.平均自由程

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本题答案：D
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