1、问答题   衬底清洗过程包括哪几个步骤？

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本题答案：（1）擦洗表面的大块污物；（2）浸泡；（3）化学腐蚀；
本题解析：试题答案（1）擦洗表面的大块污物；（2）浸泡；（3）化学腐蚀；（4）水清洗；（5）干燥。

2、单项选择题  恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为什么分布？（）

A、高斯函数
B、余误差函数
C、指数函数
D、线性函数

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本题答案：B
本题解析：暂无解析

3、填空题  工艺人员完成工艺操作后要认真、及时填来源:91考试网 91ExAm.org写工艺记录，做到记录内容详细、（）、（）、书写工整、（）。

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本题答案：真实；完整；数据准确
本题解析：试题答案真实；完整；数据准确

4、单项选择题  离子注入层的深度主要取决于离子注入的（）。

A.能量
B.剂量

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本题答案：A
本题解析：暂无解析

5、填空题  白光照射二氧化硅时，不同的厚度有不同的（）。

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本题答案：干涉色
本题解析：试题答案干涉色

6、单项选择题  从离子源引出的是：（）

A、原子束
B、分子束
C、中子束
D、离子束

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本题答案：D
本题解析：暂无解析

7、单项选择题  人们规定：（）电压为安全电压.

A.36伏以下
B.50伏以下
C.24伏以下

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本题答案：A
本题解析：暂无解析

8、问答题  为什么说洁净技术是半导体芯片制造过程中的一项重要技术？

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本题答案：半导体芯片制造，尤其是随着高度集成复杂电路和微波器件的
本题解析：试题答案半导体芯片制造，尤其是随着高度集成复杂电路和微波器件的发展，要求获得细线条、高精度、大面积的图形，各种形式的污染都将严重影响半导体芯片成品率和可靠性。生产中的污染，除了由于化学试剂不纯、气体纯化不良、去离子质量不佳引入之外，环境中的尘埃、杂质及有害气体、工作人员、设备、工具、日用杂品等引入的尘埃、毛发、皮屑、油脂、手汗、烟雾等都是重要汚染来源。例如，PN结表面污染上尘埃、皮屑、油脂等将引起反向漏电或表面沟道，手汗引起的Na离子沾污会使MOS器件阈值电压飘移，甚至导致晶体管电流放大系数不稳定，空气中尘埃的沾污将引起器件性能下降，以致失效；光刻涂胶后尘埃的沾污将使二氧化硅层形成针孔或小岛；大颗粒尘埃附着在光刻胶表面，会使掩膜版与芯片间距不一致，使光刻图形模糊；高温扩散过程中，附着在硅片上的尘埃将引起局部掺杂和快速扩散，使结特性变坏。所以洁净技术是半导体芯片制造过程中的一项重要技术。

9、单项选择题  二氧化硅在扩散时能对杂质起掩蔽作用进行（）扩散。

A.预
B.再
C.选择

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本题答案：C
本题解析：暂无解析

10、填空题  抛光片的质量检测项目包括：几何参数，直径、（）、主参考面、副参考面、平整度、弯曲度等；（），电阻率，载流子浓度，迁移率等；晶体质量，晶向，位错密度。

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本题答案：厚度；电学参数
本题解析：试题答案厚度；电学参数

11、填空题  半导体材料的主要晶体结构有（）型、闪锌矿型、（）型。

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本题答案：金刚石；纤锌矿
本题解析：试题答案金刚石；纤锌矿

12、单项选择题  光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半导体晶片表面的掩膜层上的工艺（）

A.刻制图形
B.绘制图形
C.制作图形

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本题答案：A
本题解析：暂无解析

13、单项选择题  将预先制好的掩膜直接和涂有光致抗蚀剂的晶片表面接触，再用紫外光照射来进行曝光的方法，称为（）曝光。

A.接触
B.接近式
C.投影

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本题答案：A
本题解析：暂无解析

14、填空题  对标准单元设计EDA系统而言，标准单元库应包含以下内容：（）、和（）、（）、（）。

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本题答案：逻辑单元符号库；功能单元库；拓扑单元库；版图单元库
本题解析：试题答案逻辑单元符号库；功能单元库；拓扑单元库；版图单元库

15、问答题  集成电容主要有哪几种结构？

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本题答案：①金属-绝缘体-金属（MIM）结构；
②多晶
本题解析：试题答案①金属-绝缘体-金属（MIM）结构；
②多晶硅/金属-绝缘体-多晶硅结构；
③金属叉指结构；
④PN结电容；
⑤MOS电容。

16、填空题  全定制、半定制版图设计中用到的单元库包含（）、（）、（）和（）。

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本题答案：符号图；抽象图；线路图；版图
本题解析：试题答案符号图；抽象图；线路图；版图

17、填空题  半导体材料有两种载流子参加导电，具有两种导电类型。一种是（），另一种是（）。

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本题答案：电子；空穴
本题解析：试题答案电子；空穴

18、填空题  离子注入是借其（）强行进入靶材料中的一个（）物理过程。

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本题答案：动能；非平衡
本题解析：试题答案动能；非平衡

19、单项选择题  下列晶体管结构中，在晶体管输出电流很大时常使用的是：（）

A、单基极条图形
B、双基极条图形
C、基极和集电极引线孔都是马蹄形结构
D、梳状结构

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本题答案：D
本题解析：暂无解析

20、填空题  光刻工艺一般都要经过涂胶、（）、曝光、（）、坚膜、腐蚀、（）等步骤。

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本题答案：前烘；显影；去胶
本题解析：试题答案前烘；显影；去胶

21、填空题  外延生长方法比较多，其中主要的有（）外延、（）外延、金属有机化学气相外延、分子束外延、（）、固相外延等。

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本题答案：化学气相；液相；原子束外延
本题解析：试题答案化学气相；液相；原子束外延

22、问答题  对于大尺寸的MOS管版图设计，适合采用什么样的版图结构？简述原因。

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本题答案：（1）S管的版图一般采用并联晶体管结构。
采
本题解析：试题答案（1）S管的版图一般采用并联晶体管结构。
采用并联晶体管结构后，可共用源区和漏区，使得在同样宽长比的情况下，漏区和源区的面积被减小，并因此使得器件源极和漏极的PN结电容被减小，对提高电路的动态性能很有好处。
（2）寸器件在版图设计时还采用折叠的方式减小一维方向上的尺寸。
因为器件的尺寸大，即叉指的个数较多，如果采用简单并列的方式，将由于叉指到信号引入点的距离不同引起信号强度的差异。同时，由于在一维方向上的工艺离散性，也将导致最左端的叉指和最右端的叉指所对应的并联器件在参数和结构上产生失配。

23、单项选择题  单相3线插座接线有严格规定（）

A.“左零”“右火”
B.“左火”“右零”

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本题答案：A
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24、填空题  半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂（）加速到的需要的（），直接注入到半导体晶片中，并经适当温度的（）。

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本题答案：离子；能量；退火处理
本题解析：试题答案离子；能量；退火处理

25、填空题  在半导体工艺中，硫酸常用于去除（）和配制（）等。

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本题答案：光刻胶；洗液
本题解析：试题答案光刻胶；洗液

26、填空题  用肉眼或显微镜可观察二氧化硅的以下质量：颜色（）、结构（）；表面无（）、无（）、不发花；表面无裂纹、（）。

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本题答案：是否均匀；是否致密；斑点；白雾；无针孔
本题解析：试题答案是否均匀；是否致密；斑点；白雾；无针孔

27、问答题  什么叫光刻？光刻工艺质量的基本要求是什么？

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本题答案：光刻是一种图形复印和化学腐蚀相结合的精密表面加工技术。
本题解析：试题答案光刻是一种图形复印和化学腐蚀相结合的精密表面加工技术。
对光刻工艺质量的基本要求是：刻蚀的图形完整、尺寸准确、边缘整齐、线条陡直；图片内无小岛、不染色、腐蚀干净；图形套合十分准确；介质膜或金属膜上无针孔；硅片表面清洁、不发花、无残留的被腐蚀物质。

28、单项选择题  说明构成每个单元所需的基本门和基本单元的集成电路设计过程叫（）：

A、逻辑设计
B、物理设计
C、电路设计
D、系统设计

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本题答案：A
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29、问答题  集成电路封装有哪些作用？

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本题答案：（1）机械支撑和机械保护作用。
（2）传输信
本题解析：试题答案（1）机械支撑和机械保护作用。
（2）传输信号和分配电源的作用。
（3）热耗散的作用。
（4）环境保护的作用。

30、填空题  在扩散之前在硅表面先沉积一层杂质，在整个过程中这层杂质作为扩散的杂质源，不再有新的杂质补充，这种扩散方式称为：（）

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本题答案：恒定表面源扩散
本题解析：试题答案恒定表面源扩散

31、单项选择题  腐蚀二氧化硅的水溶液一般是用（）

A、盐酸
B、硫酸
C、硝酸
D、氢氟酸

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本题答案：D
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32、多项选择题  硅外延片的应用包括（）。

A.二极管和三极管
B.电力电子器件
C.大规模集成电路
D.超大规模集成电路

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本题答案：A, B, C, D
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33、填空题  半导体材 料可根据其性能、晶体结构、结晶程度、化学组成分类。比较通用的则是根据其化学组成可分为元素（）、（）半导体、固溶半导体三大类。

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本题答案：半导体；化合物
本题解析：试题答案半导体；化合物

34、多项选择题  按蒸发源加热方法的不同，真空蒸发工艺可分为：（）蒸发、（）蒸发、离子束蒸发等。

A.电阻加热
B.电子束
C.蒸气原子

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本题答案：A, B
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35、单项选择题   在温度相同的情况下，制备相同厚度的氧化层，分别用干氧，湿氧和水汽氧化，哪个需要的时间最长？（）

A、干氧
B、湿氧
C、水汽氧化
D、不能确定哪个使用的时间长

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本题答案：A
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36、填空题  化学清洗中是利用硝酸的强（）和强（）将吸附在硅片表面的杂质除去。

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本题答案：酸性；氧化性
本题解析：试题答案酸性；氧化性

37、填空题  大容量可编程逻辑器件分为（）和（）。

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本题答案：复杂可编程逻辑器件；现场可编程门阵列
本题解析：试题答案复杂可编程逻辑器件；现场可编程门阵列

38、多项选择题  下列材料属于N型半导体是（）。

A.硅中掺有元素杂质磷（P）、砷（As）
B.硅中掺有元素杂质硼B.、铝（Al）
C.砷化镓掺有元素杂质硅（Si）、碲（TE）
D.砷化镓中掺元素杂质锌、镉、镁

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本题答案：A, C
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39、填空题  在一个晶圆上分布着许多块集成电路，在封装时将各块集成电路切开时的切口来源:91考试网 91exam.org叫（）。

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本题答案：划片槽
本题解析：试题答案划片槽

40、问答题  叙述H2还原SiCl4外延的原理，写出化学方程式。

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本题答案：在气相外延生长过程中，首先是反应剂输运到衬底表面；接着
本题解析：试题答案在气相外延生长过程中，首先是反应剂输运到衬底表面；接着是它在衬底便面发生反应释放出硅原子，硅原子按衬底晶向成核，长大成为单晶层。化学方程式如下：

41、单项选择题  离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）。

A.能量
B.剂量

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本题答案：B
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42、多项选择题  硅外延生长工艺包括（）。

A.衬底制备
B.原位HCl腐蚀
C.生长温度，生长压力，生长速度
D.尾气的处理

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本题答案：A, B, C, D
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43、填空题  腐蚀V形槽一般采用（）的湿法化学腐蚀方法。

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本题答案：各向异性
本题解析：试题答案各向异性

44、单项选择题  介质隔离是以绝缘性能良好的电介质作为“隔离墙”来实现电路中各元器件间彼此电绝缘的一种隔离方法。常用的电介质是（）层。

A.多晶硅
B.氮化硅
C.二氧化硅

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本题答案：C
本题解析：暂无解析

45、单项选择题  属于绝缘体的正确答案是（）。

A.金属、石墨、人体、大地
B.橡胶、塑料、玻璃、云母、陶瓷
C.硅、锗、砷化镓、磷化铟
D.各种酸、碱、盐的水溶液

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本题答案：B
本题解析：暂无解析

46、问答题  操作人员的质量职责是什么？

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本题答案：操作人员的质量职责是：（1）按规定接受培训考核，以达到
本题解析：试题答案操作人员的质量职责是：（1）按规定接受培训考核，以达到所要求的技能、能力和知识；（2）严格按工艺规范和工艺文件进行操作，对工艺质量负责；（3）按规定填写质量记录，对其准确性、完整性负责；（4）做好所使用的仪器、设备、工具的日常维护保养工作；（6）对违章作业造成的质量事故负直接责任。

47、单项选择题  位错的形成原因是（）。

A.位错就是由弹性形变造成的
B.位错就是由重力造成的
C.位错就是由范性形变造成的
D.以上答案都不对

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本题答案：C
本题解析：暂无解析