1、单项选择题  在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，CA的含义是（）。

A.化学增强
B.化学减弱
C.厚度增加
D.厚度减少

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本题答案：A
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2、单项选择题  干氧氧化法有一些优点，但同时它的缺点有（）。

A.生长出的二氧化硅中引入很多可动离子
B.氧化的速度慢
C.生长的二氧化硅缺陷多
D.生长的二氧化硅薄膜钝化效果差

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本题答案：B
本题解析：暂无解析

3、单项选择题  晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的（）使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。

A.n型掺杂区
B.P型掺杂区
C.栅氧化层
D.场氧化层

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本题答案：C
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4、多项选择题  下列哪些因素会影响临界注入量的大小：（）。

A.注入离子的质量
B.靶的种类
C.注入温度
D.注入速度
E.注入剂量

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本题答案：A, B, C, D
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5、单项选择题  为了保证保护装置能可靠地动作，27.5A的接地电流只能保证断开动作电流不超过多少的继电保护装置。（）

A.18.3A
B.13.8A
C.11A
D.9.2A

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本题答案：A
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6、单项选择题  用真空蒸发与溅射法在硅片或二氧化硅膜上涂敷金属材料，是形成电极的（）。

A.重要步骤
B.次要步骤
C.首要步骤
D.不一定

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本题答案：C
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7、多项选择题  在半导体工艺中，与氮化硅比较，二氧化硅更适合应用在（）。

A.晶圆顶层的保护层
B.多层金属的介质层
C.多晶硅与金属之间的绝缘层
D.掺杂阻挡层
E.晶圆片上器件之间的隔离

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本题答案：B, C, E
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8、单项选择题  局域网中使用中继器的作用是（）。

A.可以实现两个以上同类网络的联接
B.可以实现异种网络的互连
C.实现信号的收集、缓冲及格式的变换
D.实现传递信号的放大和整形

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本题答案：D
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9、单项选择题  在热扩散工艺中的预淀积步骤中，磷的扩散温度为（）。

A.600～750℃
B.900～1050℃
C.1100～1250℃
D.950～1100℃

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本题答案：B
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10、单项选择题  二氧化硅薄膜的折射率是表征其（）学性质的重要参数。

A.电
B.磁
C.光
D.热

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本题答案：C
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11、单项选择题  （）是以物理的方法来进行薄膜沉积的一种技术。

A.LPCVD
B.PECVD
C.CVD
D.PVD

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本题答案：D
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12、多项选择题  半导体芯片生产中，离子注入主要是用来（）。

A.氧化
B.改变导电类型
C.涂层
D.改变材料性质
E.镀膜

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本题答案：B, D
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13、单项选择题  光刻工艺中，脱水烘焙的最初温度是（）。

A.150－200℃
B.200℃左右
C.250℃左右
D.300℃左右

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本题答案：A
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14、单项选择题  硅-二氧化硅系统中含有的最主要而对器件稳定性影响最大的离子是（）。

A.钠
B.钾
C.氢
D.硼

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本题答案：A
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15、单项选择题  射程在垂直入射方向的平面内的投影长度称之为（）。

A.投影射程
B.射程纵向分量
C.射程横向分量
D.有效射程

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本题答案：C
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16、单项选择题  thermal conductivity gauge的意思是（）。

A.离子计
B.热传导真空计
C.放电型真空计
D.麦克劳式真空计

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本题答案：B
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17、多项选择题  下列扩散杂质源中，（）不仅是硅常用的施主杂质，也是锗常用的施主杂质。

A.硼
B.锡
C.锑
D.磷
E.砷

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本题答案：C, D
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18、单项选择题  （）方法是大规模集成电路生产中用来沉积不同金属的应用最为广泛的技术。

A.蒸镀
B.离子注入
C.溅射
D.沉积

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本题答案：C
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19、单项选择题  当热氧化的最初阶段，（）为限制反应速率的主要原因。

A.温度
B.硅-二氧化硅界面处的化学反应
C.氧的扩散速率
D.压力

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本题答案：B
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20、单项选择题  采用热氧化方法制备的二氧化硅从结构上看是（）的。

A.结晶形态
B.非结晶 形态
C.可能是结晶形态的，也可能是非结晶形态的
D.以上都不对

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本题答案：B
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21、多项选择题  （）专指薄膜形成的过程中，并不消耗晶片或底材的材质。

A.薄膜成长
B.蒸发
C.薄膜沉积
D.溅射
E.以上都正确

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本题答案：B, C, D
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22、单项选择题  扩散炉中的管道一般都是用（）制作。

A.陶瓷
B.玻璃
C.石英
D.金属

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本题答案：C
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23、单项选择题  离子束的引出系统的间接引出系统中，阳极和插入电极之间形成一个离子密度较（）的等离子体。

A.低
B.高
C.均匀
D.不均匀

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本题答案：A
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24、单项选择题  在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在950～1100℃的条件下，扩散时间大约（）为宜。

A.4～6h
B.50min～2h
C.10～40min
D.5～10min

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本题答案：C
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25、单项选择题  沾污引起的电学缺陷引起（），硅片上的管芯报废以及很高的芯片制造成本。

A.不会影响成品率
B.晶圆缺陷
C.成品率损失
D.晶圆损失

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本题答案：C
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26、单项选择题  为了解决中性束对注入均匀性的影响，可在系统中设有（），使离子束偏转后再达到靶室。

A.磁分析器
B.正交电磁场分析器
C.静电偏转电极
D.束流分析仪

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本题答案：C
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27、多项选择题  真空镀膜室是由（）几部分组成。

A.钟罩
B.蒸气源加热器
C.衬底加热器
D.活动挡板
E.底盘

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本题答案：A, B, C, D, E
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28、单项选择题  静电偏转电极和静电扫描器都是（）电容器。

A.片状
B.针尖状
C.圆筒状
D.平行板

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本题答案：D
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29、单项选择题  由静电释放产生的电流泄放最大电压可以达（）。

A.几伏
B.几十伏
C.几百伏
D.几万伏

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本题答案：D
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30、多项选择题  铜与铝相比较，其性质有（）。

A.铜的电阻率比铝小
B.铝的熔点较高
C.铝的抗电迁移能力较弱
D.铜与硅的接触电阻较小
E.铜可以在低温下淀积

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本题答案：A, C, E
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31、单项选择题  通常选熔断器熔断电流为电路额定电流的（）。

A.1～1.8倍
B.1.3～1.8倍
C.1.3～2.1倍
D.1.5～2.3倍

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本题答案：C
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32、单项选择题  在刻蚀（）过程中假如我们在CF5的等离子体内加入适量的 91Exam.org氧气，能够提高刻蚀的速率。

A.铜
B.铝
C.金
D.二氧化硅

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本题答案：D
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33、多项选择题  下列物质中是结晶形态二氧化硅的有（）。

A.硅土
B.石英
C.磷石英
D.玻璃
E.水晶

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本题答案：B, C, E
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34、单项选择题  危害半导体工艺的典型金属杂质是（）。

A.2族金属
B.碱金属
C.合金金属
D.稀有金属

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本题答案：B
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35、单项选择题  真空蒸发又被人们称为（）。

A.真空沉积
B.真空镀膜
C.真空外延
D.真空

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本题答案：B
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36、单项选择题  金相学的研磨之所以会在研磨面上造成如刮伤般的痕迹是由于在制程中（）。

A.氧化铬磨料溶水制成的研磨液
B.使用羊毛研磨垫
C.采用旋转研磨垫加压的方法
D.无法必免的机械损耗

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本题答案：B
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37、单项选择题  在深紫外曝光中，需要使用（）光刻胶。

A.DQN
B.CA
C.ARC
D.PMMA

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本题答案：A
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38、单项选择题  离子束垂直进入均匀的正交磁场后，将同时受到电场力和（）的作用。

A.洛仑兹力
B.反向的电场力
C.库仑力
D.重力

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本题答案：A
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39、单项选择题  薄膜沉积的机构，依发生的顺序，可以分为这几个步骤。其中不包括（）。

A.形成晶核
B.晶粒自旋
C.晶粒凝结
D.缝道填补

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本题答案：B
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40、单项选择题  Torr是指（）的单位。

A.真空度
B.磁场强度
C.体积
D.温度

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本题答案：A
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41、单项选择题  为了避免（）在经过氯化物等离子体刻蚀之 后的残留物使其发生腐蚀，必须在刻蚀完毕之后再增加一道工序来除去这些表面残留物。

A.多晶硅
B.单晶硅
C.铝硅铜合金
D.铜

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本题答案：C
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42、单项选择题  静电释放的英文简述为（）。

A.ESC
B.SED
C.ESD
D.SEM

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本题答案：C
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43、多项选择题  扩散工艺使杂质由半导体晶片表面向内部扩散，改变了晶片（），所以晶片才能被人们所使用。

A.内部的杂质分布
B.表面的杂质分布
C.整个晶体的杂质分布
D.内部的导电类型
E.表面的导电类型

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本题答案：A, E
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44、多项选择题  按曝光的光源分类，曝光可以分为（）。

A.光学曝光
B.离子束曝光
C.接近式曝光
D.电子束曝光
E.投影式曝光

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本题答案：A, B, D
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45、单项选择题  当二氧化硅膜很薄时，膜厚与时间（）。

A.t2成正比
B.t2成反比
C.t成正比
D.t成反比

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本题答案：C
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46、单项选择题  目前，最广泛使用的退火方式是（）。

A.热退火
B.激光退火
C.电子束退火
D.离子束退火

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本题答案：A
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47、多项选择题  涂胶之前，要保证晶片的质量以及涂胶工序的顺利进行，下列操作正确的是（）。

A.进行去水烘烤以保证晶片干燥
B.在晶片表面涂上增粘剂以保证晶片黏附性好
C.刚刚处理好的晶片应立即涂胶
D.贮存的晶片在涂胶前必须再次清洗及干燥
E.也可以直接使用贮存的晶片

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本题答案：A, B, C, D
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48、单项选择题  用g线和i线进行曝光时通常使用哪种光刻胶（）。

A.ARC
B.HMDS
C.正胶
D.负胶

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本题答案：C
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49、单项选择题  在磁分析器中常用（）分析磁铁。

A.柱形
B.扇形
C.方形
D.圆形

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本题答案：B
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50、多项选择题  二氧化硅层中的钠离子可能来源于（）。

A.玻璃器皿
B.高温器材
C.人体沾污
D.化学试剂
E.去离子水

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本题答案：A, B, C, D, E
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51、单项选择题  （）是指每个入射离子溅射出的靶原子数。

A.溅射率
B.溅射系数
C.溅射效率
D.溅射比

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本题答案：A
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52、单项选择题  在半导体器件制造中，对清洗用水的纯度有比较高的要求，要用经过纯化的（）作为清洁用水。

A.蒸馏水
B.自来水
C.去离子水
D.矿泉水

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本题答案：C
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53、多项选择题  解决氧化层中的钠离子沾污的方法有（）。

A.加强工艺操作
B.加强人体和环境卫生
C.使用高纯化学试剂、高纯水和超净设备
D.采用HCl氧化工艺
E.硅片清洗后，要充分烘干，表面无水迹

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本题答案：A, B, C, D, E
本题解析：暂无解析

54、单项选择题  晶体中，每个原子在晶格中有一定的平衡位置，原子在此位置时其势能为（）。

A.极大值
B.极小值
C.既不极大也不极小
D.小于动能

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本题答案：B
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55、多项选择题  关于正胶和负胶在显影时的特点，下列说法正确的是（）。

A.负胶的感光区域溶解
B.正胶的感光区域溶解
C.负胶的感光区域不溶解
D.正胶的感光区域不溶解
E.负胶的非感光区域溶解

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本题答案：B, C, E
本题解析：暂无解析

56、单项选择题  钠、钾等大离子在二氧化硅结构中是（）杂质。

A.替位式
B.间隙式
C.施主
D.可能是替位式也可能是间隙式

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本题答案：B
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57、单项选择题  在各种离子源常用的放电方式中，EOS是指有（）。

A.电子振荡放电
B.离子自动放电
C.低电压弧光放电
D.双等离子电弧放电

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本题答案：A
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58、单项选择题  在酸性浆料中，最常使用的氧化剂为（）。

A.硝酸
B.硝酸铜
C.硫酸
D.磺酸

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本题答案：A
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59、单项选择题  下列哪些元素在硅中是快扩散元素：（）。

A.Na
B.B
C.P
D.As

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本题答案：A
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60、单项选择题  我们可以从测量去离子水的酸度来判别阴阳树脂谁先失效，阴树脂先失效，水呈（）性。

A.酸
B.碱
C.弱酸
D.弱碱

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本题答案：A
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61、单项选择题  企业的战略一般由四个要素组成，即经营范围、资源配置、竞争优势以及协同合作，其中协同合作是指企业通过共同的努力达到（）。

A.分力之和大于简单相加的结果
B.分力之和等于简单相加
C.共享开发工具、共享信息
D.共同分担着开发失败的风险

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本题答案：A
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62、单项选择题  阳树脂用盐酸做再生液，浓度为（）溶液可用原水配制。

A.5％
B.10%
C.15%
D.20%

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本题答案：B
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63、单项选择题  离子散射方向与入射方向的夹角，称为（）。

A.渐近角
B.偏折角
C.散射角
D.入射角

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本题答案：C
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64、多项选择题  下列有关ARC工艺的说法正确的是（）。

A.ARC可以是硅的氮化物
B.可用干法刻蚀除去
C.ARC膜可以通过PVD或者CVD的方法形成
D.ARC在刻蚀中也可做为掩蔽层
E.ARC膜也可以通过CVD的方法形成

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本题答案：A, B, C, D, E
本题解析：暂无解析

65、单项选择题  降低靶的温度，有利于非晶层的形成，所以临界注入量随之（）。

A.增大
B.减小
C.不变
D.变为0

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本题答案：B
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66、多项选择题  下列物质的等离子体适合用以刻蚀铝合金中硅的有（）。

A.CF4
B.BCl3
C.Cl2
D.F2
E.CHF3

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本题答案：B, C
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67、单项选择题  奉献社会的实质是（）。

A.获得社会的好评
B.尽社会义务
C.不要回报的付出
D.为人民服务

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本题答案：C
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68、单项选择题  在新一代的CMP中，有使用（）磨料在金属表面上形成软质皮膜并加以去除的趋势。

A.二氧化锰
B.铝
C.氧化铬
D.金刚石

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本题答案：A
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69、多项选择题  薄膜沉积的机构包括那些步骤（）。

A.形成晶核
B.晶粒成长
C.晶粒凝结
D.缝道填补
E.沉积膜成长

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本题答案：A, B, C, D, E
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70、多项选择题  沾污是指半导体制造过程中引入半导体硅片的任何危害微芯片（）的不希望有的物质。

A.功能
B.成品率
C.物理性能
D.电学性能
E.外观

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本题答案：B, D
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71、多项选择题  树脂使用过程中需保持一定温度，阳树脂和阴树脂分别不能高于（）度，使用温度不能过低，低于0度会使树脂冻裂。

A.80
B.60
C.40
D.20
E.10

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本题答案：A, C
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72、单项选择题  通常热扩散分为两个大步骤，其中第一个步骤是（）。

A.再分布
B.等表面浓度扩散
C.预淀积
D.等总掺杂剂量扩散

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本题答案：C
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73、单项选择题  早期，研究离子注入技术是用（）来进行的。

A.重离子加速器
B.热扩散炉
C.质子分析仪
D.轻离子分析器

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本题答案：A
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74、单项选 择题  硅晶片上之所以可以产生薄膜，出始于布满在晶片表面的许多气体分子或其它粒子，它们主要是通过（）到达晶片表面的。

A.粒子的扩散
B.化学反应
C.从气体源通过强迫性的对流传送
D.被表面吸附

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本题答案：A
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75、单项选择题  将具有交换能力的阳树脂和阴树脂按一定比例混合后，装在聚氯乙稀或有机玻璃做的圆柱形交换柱内，自来水（）通过交换柱就能称为高纯度去离子水。

A.自上而下
B.自下而上
C.自左而右
D.自右而左

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本题答案：A
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76、单项选择题  扩散工艺现在广泛应用于制作（）。

A.晶振
B.电容
C.电感
D.PN结

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本题答案：D
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77、单项选择题  买来的新树脂往往是Na型或Cl型，新树脂使用前必须分别用酸（阳树脂），碱（阴树脂）浸泡约（）个小时，把Na型或Cl型转换成H型或OH型。

A.3
B.4
C.5
D.6

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本题答案：B
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78、单项选择题  （）是与气体辉光放电现象密切想关的一种薄膜淀积技术。

A.蒸镀
B.离子注入
C.溅射
D.沉积

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本题答案：C
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79、多项选择题  对于非晶靶，离子注入的射程分布取决于（）。

A.入射离子的能量
B.入射离子的质量
C.入射离子的原子序数
D.靶原子的质量、原子序数、原子密度
E.注入离子的总剂量

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本题答案：A, B, C, D, E
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80、单项选择题  离子注入装置的主要部件有（）、分析器、加速聚焦系统等。

A.中子源
B.离子源
C.电子源
D.质子源

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本题答案：B
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81、单项选择题  复合床和混合床可以串联使用。复合床就是指将阳树脂和阴树脂分别装在两个（）内串接起来。

A.交换柱
B.混合床
C.混合柱
D.复合柱

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本题答案：A
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82、单项选择题  铜互连金属多层布线中，磨料的粒径一般为（）。

A.5~10nm
B.20~30nm
C.50~80nm
D.100~200nm

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本题答案：B
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83、单项选择题  物理气相沉积简称（）。

A.LVD
B.PED
C.CVD
D.PVD

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本题答案：D
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84、单项选择题  光刻的主要工艺流程按照操作顺序是（）。

A.涂胶、前烘、曝光、坚膜、显影、去胶
B.涂胶、前烘、坚膜、曝光、显影、去胶
C.涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、去胶
D.前烘、涂胶、曝光、坚膜、显影、去胶

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本题答案：C
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85、单项选择题  请在下列选项中选出多晶硅化金属的英文简称：（）。

A.Oxide
B.Nitride
C.Silicide
D.Polycide

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本题答案：D
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86、单项选择题  菲克一维扩散定律公式中的J是代表单位面积溶质（）。

A.传输率
B.载流子浓度
C.扩散梯度
D.扩散系数

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本题答案：A
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87、单项选择题  固体中的扩散模型主要有填隙机制和（）。

A.自扩散机制
B.杂质扩散机制
C.空位机制
D.菲克扩散方程机制

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本题答案：C
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88、单项选择题  TCP/IP协议中的TCP相当于OSI中的（）。

A.应用层
B.网络层
C.物理层
D.传输层

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本题答案：D
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89、单项选择题  多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对（）的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。

A.二氧化硅
B.氮化硅
C.单晶硅
D.多晶硅

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本题答案：A
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90、单项选择题  损伤的分布与 注入离子在在靶内的（）的分布密切相关。

A.能量淀积
B.动量淀积
C.能量振荡
D.动量振荡

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本题答案：A
本题解析：暂无解析

91、单项选择题  （）的气体源中一般包含H+，C+，B+，Cl+，O+等离子。

A.Cl2
B.BCl3
C.CO2
D.H2

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本题答案：B
本题解析：暂无解析

92、单项选择题  溅镀法，因为其阶梯覆盖的能力不良，很容易造成因填缝不完全所留下的（）。

A.鸟嘴
B.空洞
C.裂痕
D.位错

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本题答案：B
本题解析：暂无解析

93、多项选择题  二氧化硅膜的质量要求有（）。

A.薄膜表面无斑点
B.薄膜中的带电离子含量符合要求
C.薄膜表面无针孔
D.薄膜的厚度达到规定指标
E.薄膜厚度均匀，结构致密

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本题答案：A, B, C, D, E
本题解析：暂无解析

94、单项选择题  由于离子交换树脂反应，它既可以去除水中杂质离子，又可以将失效树脂进行处理，恢复交换能力，所以称为（）反应。

A.置换
B.化学
C.不可逆
D.可逆

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本题答案：D
本题解析：暂无解析

95、单项选择题  悬浮在空气中的颗粒称为（）。

A.悬浮物
B.尘埃
C.污染颗粒
D.浮质

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本题答案：D
本题解析：暂无解析

96、单项选择题  半导体硅常用的受主杂质是（）。

A.锡
B.硫
C.硼
D.磷

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本题答案：C
本题解析：暂无解析

97、单项选择题  刻蚀是把进行光刻前所沉积的薄膜厚度约在数千到数百A之间中没有被（）覆盖及保护的部分，以化学作用或是物理作用的方式加以去除，以完成转移掩膜图案到薄膜上面的目的。

A.二氧化硅
B.氮化硅
C.光刻胶
D.去离子水

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本题答案：C
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98、单项选择题  半导体硅常用的施主杂质是（）。

A.锡
B.硫
C.硼
D.磷

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本题答案：D
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99、单项选择题  我们可以通过简单的结深测量和（）测量来获得扩散层的重要信息。

A.横向电阻
B.平均电阻率
C.薄层电阻
D.扩展电阻

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本题答案：C
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100、单项选择题  对于浓度覆盖很宽的杂质原子，可以采用（）方法引入到硅片中。

A.离子注入
B.溅射
C.淀积
D.扩散

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本题答案：D
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