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集成电路制造工艺员：集成电路制造工艺员（三级）考点巩固（2017年最新版）
2017-10-13 04:19:37 来源:91考试网 作者:www.91exam.org 【大 中 小】
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1、单项选择题  铜与氯形成的化合物挥发能力不好，因而铜的刻蚀无法以化学反应来进行，而必须施以（）。

A.等离子体刻蚀
B.反应离子刻蚀
C.湿法刻蚀
D.溅射刻蚀


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2、单项选择题  如果固体中的原子排列情况是紊乱的，就称之为（）。

A.单晶靶
B.超晶靶
C.多晶靶
D.非晶靶


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3、多项选择题  以（）等两层材料所组合而成的导电层便称为Polycide。

A.单晶硅
B.多晶硅
C.硅化金属
D.二氧化硅
E.氮化硅


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4、多项选择题  清洁处理主要使用的是（）。

A.水
B.有机溶剂
C.碱
D.酸
E.盐酸


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5、单项选择题  离子注入装置的主要部件有（）、分析器、加速聚焦系统等。

A.中子源
B.离子源
C.电子源
D.质子源


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6、单项选择题  离子束垂直进入均匀的正交磁场后，将同时受到电场力和（）的作用。

A.洛仑兹力
B.反向的电场力
C.库仑力
D.重力


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7、单项选择题  离子散射方向与入射方向的夹角，称为（）。

A.渐近角
B.偏折角
C.散射角
D.入射角


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8、单项选择题  沾污引起的电学缺陷引起（），硅片上的管芯报废以及很高的芯片制造成本。

A.不会影响成品率
B.晶圆缺陷
C.成品率损失
D.晶圆损失


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9、单项选择题  光刻的主要工艺流程按照操作顺序是（）。

A.涂胶、前烘、曝光、坚膜、显影、去胶
B.涂胶、前烘 、坚膜、曝光、显影、去胶
C.涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、去胶
D.前烘、涂胶、曝光、坚膜、显影、去胶


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10、多项选择题  下列物质的等离子体适合用以刻蚀铝合金中硅的有（）。

A.CF4
B.BCl3
C.Cl2
D.F2
E.CHF3


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11、多项选择题  一般来说，溅射镀膜的过程包括（）这几步。

A.产生一个离子并导向靶
B.被轰击的原子向硅晶片运动
C.离子把靶上的原子轰出来
D.经过加速电场加速
E.原子在硅晶片表面凝结


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12、多项选择题  去正胶常用的溶剂有（）

A.丙酮
B.氢氧化钠溶液
C.丁酮
D.甲乙酮
E.热的氯化碳氢化合物


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13、多项选择题  半导体芯片生产中，离子注入主要是用来（）。

A.氧化
B.改变导电类型
C.涂层
D.改变材料性质
E.镀膜


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14、多项选择题  二氧化硅层中 的钠离子可能来源于（）。

A.玻璃器皿
B.高温器材
C.人体沾污
D.化学试剂
E.去离子水


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15、单项选择题  请在下列选项中选出多晶硅化金属的英文简称：（）。

A.Oxide
B.Nitride
C.Silicide
D.Polycide


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16、多项选择题  扩散工艺使杂质由半导体晶片表面向内部扩散，改变了晶片（），所以晶片才能被人们所使用。

A.内部的杂质分布
B.表面的杂质分布
C.整个晶体的杂质分布
D.内部的导电类型
E.表面的导电类型


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17、多项选择题  从电极的结构看，溅射的方法包括（）。

A.直流溅射
B.交流溅射
C.二级溅射
D.三级溅射
E.四级溅射


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18、单项选择题  （）由钟罩、蒸气源加热器、衬底加热器、活动挡板和底盘构成。

A.真空镀膜机
B.真空镀膜室
C.真空镀膜器
D.真空镀膜仪


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19、多项选择题  下列物质中是结晶形态二氧化硅的有（）。

A.硅土
B.石英
C.磷石英
D.玻璃
E.水晶


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20、单项选择题  （）是因为吸附原子在晶片表面上彼此碰撞并结合所形成的。

A.晶核
B.晶粒
C.核心
D.核团


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21、单项选择题  半导体硅常用的受主杂质是（）。

A.锡
B.硫
C.硼
D.磷


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22、单项选择题  涂胶以后的晶片，需要在一定的温度下进行烘烤，这一步骤称为（）。

A.后烘
B.去水烘烤
C.软烤
D.烘烤


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23、单项选择题  在IC芯片生长中浅沟槽隔离技术STI逐渐取代了局部氧化LOCOS所制成的（）而成为相邻电子元件的绝缘体

A.栅氧化层
B.沟槽
C.势垒
D.场氧化层


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24、单项选择题  危害半导体工艺的典型金属杂质是（）。

A.2族金属
B.碱金属
C.合金金属
D.稀有金属


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25、单项选择题  奉献社会的实质是（）。

A.获得社会的好评
B.尽社会义务
C.不要回报的付出
D.为人民服务


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26、多项选择题  按曝光的光源分类，曝光可以分为（）。

A.光学曝光
B.离子束曝光
C.接近式曝光
D.电子束曝光
E.投影式曝光


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27、单项选择题  大硅片上生长的（）的不均匀和各个部位刻蚀速率的不均匀会导致刻蚀图形转移的不均匀性。

A.薄膜厚度
B.图形宽度
C.图形长度
D.图形间隔


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28、多项选择题  光刻胶主要由（）等不同材料混合而成的。

A.树脂
B.感光剂
C.HMDS
D.溶剂
E.PMMA


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29、单项选择题  局域网中使用中继器的作用是（）。

A.可以实现两个以上同类网络的联接
B.可以实现异种网络的互连
C.实现信号的收集、缓冲及格式的变换
D.实现传递信号的放大和整形


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30、多项选择题  在半导体工艺中，如果淀积的薄膜不是连续的，存在一些空隙，则（）。

A.使薄膜的介电常数变大
B.可能引入杂质
C.可能使薄膜层间短路
D.使薄膜介电常数变小
E.可能使薄膜厚度增加


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31、多项选择题  解决氧化层中的钠离子沾污的方法有（）。

A.加强工艺操作
B.加强人体和环境卫生
C.使用高纯化学试剂、高纯水和超净设备
D.采用HCl氧化工艺
E.硅片清洗后，要充分烘干，表面无水迹


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32、多项选择题  （）专指薄膜形成的过程中，并不消耗晶片或底材的材质。

A.薄膜成长
B.蒸发
C.薄膜沉积
D.溅射
E.以上都正确


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33、单项选择题  下面那一种薄膜工艺中底材会被消耗（）。

A.薄膜沉积
B.薄膜成长
C.蒸发
D.溅射


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34、单项选择题  通常选熔断器熔断电流为电路额定电流的（）。

A.1～1.8倍
B.1.3～1.8倍
C.1.3～2.1倍
D.1.5～2.3倍


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35、单项选择题  离子源的作用是使所需要的杂质原子电离成（）离子，并通过一个引出系统形成离子束。

A.正
B.负
C.中性
D.以上答案都可以


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36、单项选择题  静电释放的英文简述为（）。

A.ESC
B.SED
C.ESD
D.SEM


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37、单项选择题  早期，研究离子注入技术是用（）来进行的。

A.重离子加速器
B.热扩散炉
C.质子分析仪
D.轻离子分析器


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38、单项选择题  光刻工艺中，脱水烘焙的最初温度是（）。

A.150－200℃
B.200℃左右
C.250℃左右
D.300℃左右


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39、单项选择题  晶体中，每个原子在晶格中有一定的平衡位置，原子在此位置时其势能为（）。

A.极大值
B.极小值
C.既不极大也不极小
D.小于动能


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40、单项选择题  真空蒸发又被人们称为（）。

A.真空沉积
B.真空镀膜
C.真空外延
D.真空


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41、多项选择题  关于正胶和负胶的特点，下列说法正确的是（）。

A.正胶在显影时不会发生膨胀，因此分辨率高于负胶
B.正胶的感光区域在显影时不溶解，负胶的感光区域在显影时溶解
C.负胶在显影时不会发生膨胀，因此分辨率不会降低
D.正胶的感光区域在显影时溶解，负胶的感光区域在显影时不溶解
E.负胶在显影时会发生膨胀，导致了分辨率的降低


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42、单项选择题  在热扩散工艺中的预淀积步骤中，砷和锑的扩散温度为（）。

A.1050～1200℃
B.900～1050℃
C.1100～1250℃
D.1200～1350℃


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43、单项选择题  复合床和混合床可以串联使用。复合床就是指将阳树脂和阴树脂分别装在两个（）内串接起来。

A.交换柱
B.混合床
C.混合柱
D.复合柱


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44、单项选择题  不可以对SiO2进行干法刻蚀所使用的气体是（）。

A.CHF3
B.C2F6
C.C3F8
D.HF


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45、单项选择题  在热扩散工艺中的预淀积步骤中，磷的扩散温度为（）。

A.600～750℃
B.900～1050℃
C.1100～1250℃
D.950～1100℃


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46、多项选择题  真空镀膜室是由（）几部分组成。

A.钟罩
B.蒸气源加热器
C.衬底加热器
D.活动挡板
E.底盘


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47、单项选择题  硅烷的分子式是（）。

A.SiF4
B.SiH4
C.CH4
D.SiC


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48、多项选择题  溅射的方法非常多其中包括（）。

A.直流溅射
B.交流溅射
C.反应溅射
D.二级溅射
E.三级溅射


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49、单项选择题  硅晶片上之所以可以产生薄膜，出始于布满在晶片表面的许多气体分子或其它粒子，它们主要是通过（）到达晶片表面的。

A.粒子的扩散
B.化学反应
C.从气体源通过强迫性的对流传送
D.被表面吸附


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50、多项选择题  下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者（）。

A.二氧化硅氮化硅
B.多晶硅硅化金属
C.单晶硅多晶硅
D.铝铜
E.铝硅


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51、单项选择题  用g线和i线进行曝光时通常使用哪种光刻胶（）。

A.ARC
B.HMDS
C.正胶
D.负胶


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52、多项选择题  沾污是指半导体制造过程中引入半导体硅片的任何危害微芯片（）的不希望有的物质。

A.功能
B.成品率
C.物理性能
D.电学性能
E.外观


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53、单项选择题  （）是通过把被蒸物体加热，利用被蒸物在高温时的饱和蒸汽压来进行薄膜沉积的。

A.蒸镀
B.溅射
C.离子注入
D.CVD


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54、单项选择题  硅-二氧化硅系统中含有的最主要而对器件稳定性影响最大的离子是（）。

A.钠
B.钾
C.氢
D.硼


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55、单项选择题  扩散炉中的管道一般都是用（）制作。

A.陶瓷
B.玻璃
C.石英
D.金属


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56、单项选择题  下列关于曝光后烘烤的说法正确的是（）。

A.烘烤的目的是除去光刻胶中的水分
B.烘烤可以减轻曝光中的驻波效应
C.烘烤的温度一般在300℃左右
D.烘烤的时间越长越好


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57、单项选择题  在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，CA的含义是（）。

A.化学增强
B.化学减弱
C.厚度增加
D.厚度减少


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58、多项选择题  静电释放带来的问题有哪些（）。

A.金属电迁移
B.金属尖刺现象
C.芯片产生超过1A的峰值电流
D.栅氧化层击穿
E.吸引带电颗粒或极化并吸引中性颗粒到硅片表面


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59、单项选择题  在半导体器件制造中，对清洗用水的纯度有比较高的要求，要用经过纯化的（）作为清洁用水。

A.蒸馏水
B.自来水
C.去离子水
D.矿泉水


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60、单项选择题  point defect的意思是（）。

A.点缺陷
B.线缺陷
C.面缺陷
D.缺失的点


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61、单项选择题  降低靶的温度，有利于非晶层的形成，所以临界注入量随之（）。

A.增大
B.减小
C.不变
D.变为0


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62、单项选择题  干氧氧化中，氧化炉内的气体压力应（）一个大气压。

A.稍高于
B.大大于
C.等于
D.没有要求


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63、多项选择题  超大规模集成电路需要光刻工艺具备的要求有（）。

A.高分辨率
B.高灵敏度
C.精密的套刻对准
D.大尺寸
E.低缺陷


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64、单项选择题  （）主要是以化学反应方式来进行薄膜沉积的。

A.PVD
B.CVD
C.溅射
D.蒸发


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65、单项选择题  铜互连金属多层布线中，磨料的粒径一般为（）。

A.5~10nm
B.20~30nm
C.50~80nm
D.100~200nm


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66、单项选择题  刻蚀是把进行光刻前所沉积的薄膜厚度约在数千到数百A之间中没有被（）覆盖及保护的部分，以化学作用或是物理作用的方式加以去除，以完成转移掩膜图案到薄膜上面的目的。

A.二氧化硅
B.氮化硅
C.光刻胶
D.去离子水


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67、单项选择题  TCP/IP协议中的TCP相当于OSI中的（）。

A.应用层
B.网络层
C.物理层
D.传输层


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68、多项选择题  光刻胶的光学稳定通过（）来完成的。

A.红外线辐射
B.X射线照射
C.加热
D.紫外光辐射
E.电子束扫描


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69、多项选择题  有关光刻胶的显影下列说法错误的是（）。

A.负胶受显影液的影响比较小
B.正胶受显影液的影响比较小
C.正胶的曝光区将会膨胀变形
D.使用负胶可以得到更高的分辨率
E.负胶的曝光区将会膨胀变形


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70、单项选择题  阳树脂用盐酸做再生液，浓度为（）溶液可用原水配制。

A.5％
B.10%
C.15%
D.20%


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71、单项选择题  二氧化硅生长过程中，当分凝系数小于1时，会使二氧化硅-硅界面处硅一侧的杂质浓度（）。

A.降低
B.增加
C.不变
D.先降低后增加


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72、单项选择题  离子源产生的离子在（）的加速电场作用下得到加速。

A.分析器
B.扫描器
C.加速器
D.偏转器


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73、单项选择题  我们可以通过简单的结深测量和（）测量来获得扩散层的重要信息。

A.横向电阻
B.平均电阻率
C.薄层电阻
D.扩展电阻


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74、单项选择题  当热氧化的最初阶段，（）为限制反应速率的主要原因。

A.温度
B.硅-二氧化硅界面处的化学反应
C.氧的扩散速率
D.压力


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75、多项选择题  在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，它的优点在于（）。

A.CA光刻胶对深紫外光吸收小
B.CA光刻胶将吸收的光子能量发生化学转化
C.CA光刻胶在显影液中的可溶性强
D.有较高的光敏度
E.有较高的对比度


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76、单项选择题  下列几种氧化方法相比，哪种方法制得的二氧化硅薄膜的电阻率会高些（）。

A.干氧氧化
B.湿氧氧化
C.水汽氧化
D.与氧化方法无关


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77、单项选择题  采用热氧化方法制备的二氧化硅从结构上看是（）的。

A.结晶形态
B.非结晶形态
C.可能是结晶形态的，也可能是非结晶形态的
D.以上都不对


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78、多项选择题  在半导体工艺中，与氮化硅比较，二氧化硅更适合应用在（）。

A.晶圆顶层的保护层
B.多层金属的介质层
C.多晶硅与金属之间的绝缘层
D.掺杂阻挡层
E.晶圆片上器件之间的隔离


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79、单项选择题  下列材料中电阻率最低的是（）。

A.铝
B.铜
C.多晶硅
D.金


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80、单项选择题  Torr是指（）的单位。

A.真空度
B.磁场强度
C.体积
D.温度


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81、单项选择题  多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对（）的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。

A.二氧化硅
B.氮化硅
C.单晶硅
D.多晶硅


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82、多项选择题  在半导体制造中，熔断丝可以应用在（）。

A.MOS栅极
B.保护性元件
C.电容器极板
D.制造只读存储器PROM
E.晶圆背面电镀


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83、单项选择题  在确定扩散率的实验中，扩散层电阻的测量可以用（）测量。

A.SIMS技术
B.扩展电阻技术
C.微分电导率技术
D.四探针技术


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84、单项选择题  钠、钾等大离子在二氧化硅结构中是（）杂质。

A.替位式
B.间隙式
C.施主
D.可能是替位式也可能是间隙式


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85、单项选择题  单晶硅刻蚀一般采用（）做掩蔽层，以氟化氢为主要的刻蚀剂，氧气为侧壁钝化作用的媒介物。

A.氮化硅
B.二氧化硅
C.光刻胶
D.多晶硅


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86、单项选择题  当二氧化硅膜很薄时，膜厚与时间（）。

A.t2成正比
B.t2成反比
C.t成正比
D.t成反比


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87、单项选择题  下列哪些元素在硅中是快扩散元素：（）。

A.Na
B.B
C.P
D.As


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88、单项选择题  在空位扩散中，如果迁移到空位的原子是基质原子，扩散属于（）。

A.推挤扩散
B.杂质扩散
C.填隙扩散
D.自扩散


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89、单项选择题  悬浮在空气中的颗粒称为（）。

A.悬浮物
B.尘埃
C.污染颗粒
D.浮质


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90、单项选择题  买来的新树脂往往是Na型或Cl型，新树脂使用前必须分别用酸（阳树脂），碱（阴树脂）浸泡约（）个小时，把Na型或Cl型转换成H型或OH型。

A.3
B.4
C.5
D.6


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91、多项选择题  在半导体工艺中，淀积的薄膜层应满足的参数包含有（）。

A.均匀性
B.表面平整度
C.自由应力
D.纯净度
E.电容


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92、单项选择题  离子束的引出系统的间接引出系统中，阳极和插入电极之间形成一个离子密度较（）的等离子体。

A.低
B.高
C.均匀
D.不均匀


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93、单项选择题  在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在900～1050℃的条件下，扩散时间大约（）为宜。

A.4～6h
B.50min～2h
C.10～40min
D.5～10min


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94、单项选择题  刻蚀要求在整个晶圆上有一个均匀的刻蚀速率，（）是在晶圆上由测量刻蚀过程前后特定点的厚度，并计算这些点的刻蚀速率而得到的。

A.选择性
B.均匀性
C.轮廓
D.刻蚀图案


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95、多项选择题  （）的方法有利于减少热预算。

A.高压氧化
B.湿氧氧化
C.掺氯氧化
D.氢氧合成氧化
E.等离子增强氧化


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96、单项选择题  二氧化硅薄膜的折射率是表征其（）学性质的重要参数。

A.电
B.磁
C.光
D.热


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97、单项选择题  分析器是一种（）分选器。

A.电子
B.中子
C.离子
D.质子


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98、多项选择题  树脂使用过程中需保持一定温度，阳树脂和阴树脂分别不能高于（）度，使用温度不能过低，低于0度会使树脂冻裂。

A.80
B.60
C.40
D.20
E.10


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99、多项选择题  哪种方法可以增加缺陷的积累率而降低临界注入量：（）。

A.低温注入
B.常温注入
C.高温注入
D.分子注入
E.双注入


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100、单项选择题  金相学的研磨之所以会在研磨面上造成如刮伤般的痕迹是由于在制程中（）。

A.氧化铬磨料溶水制成的研磨液
B.使用羊毛研磨垫
C.采用旋转研磨垫加压的方法
D.无法必免的机械损耗


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