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集成电路制造工艺员：集成电路制造工艺员（三级）考试题库（考试必看）
2017-10-14 20:22:32 来源:91考试网 作者:www.91exam.org 【大 中 小】
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1、单项选择题  对于浓度覆盖很宽的杂质原子，可以采用（）方法引入到硅片中。

A.离子注入
B.溅射
C.淀积
D.扩散


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2、单项选择题  离子源的作用是使所需要的杂质原子电离成（）离子，并通过一个引出系统形成离子束。 91eXaM.org

A.正
B.负
C.中性
D.以上答案都可以


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3、单项选择题  在确定扩散率的测结深实验中，结深的测量是采用HF和（）的混和液对磨斜角进行化学染色的。

A.乙醇
B.HCL
C.H2SO4
D.HNO3


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4、单项选择题  在生产过程中必须使用（）来完成浅沟槽隔离STI。

A.单晶硅刻蚀
B.多晶硅刻蚀
C.二氧化硅刻蚀
D.氮化硅刻蚀


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5、多项选择题  电气测量仪表若按照电流的种类来分，有（）。

A.低压仪表
B.高压仪表
C.直流仪表
D.交流仪表
E.交直流仪表


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6、多项选择题  扩散工艺在现在集成电路工艺中仍然是是一项重要的集成电路工艺，现在主要被用来制作（）。

A.埋层
B.外延
C.PN结
D.扩散电阻
E.隔离区


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7、单项选择题  thermal conductivity gauge的意思是（）。

A.离子计
B.热传导真空计
C.放电型真空计
D.麦克劳式真空计


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8、多项选择题  （）专指薄膜形成的过程中，并不消耗晶片或底材的材质。

A.薄膜成长
B.蒸发
C.薄膜沉积
D.溅射
E.以上都正确


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9、单项选择题  我们可以通过简单的结深测量和（）测量来获得扩散层的重要信息。

A.横向电阻
B.平均电阻率
C.薄层电阻
D.扩展电阻


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10、单项选择题  奉献社会的实质是（）。

A.获得社会的好评
B.尽社会义务
C.不要回报的付出
D.为人民服务


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11、单项选择题  刻蚀是把进行光刻前所沉积的薄膜厚度约在数千到数百A之间中没有被（）覆盖及保护的部分，以化学作用或是物理作用的方式加以去除，以完成转移掩膜图案到薄膜上面的目的。

A.二氧化硅
B.氮化硅
C. 光刻胶
D.去离子水


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12、单项选择题  晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的（）使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。

A.n型掺杂区
B.P型掺杂区
C.栅氧化层
D.场氧化层


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13、单项选择题  dry vacuum pump的意思是（）。

A.扩散泵
B.谁循环泵
C.干式真空泵
D.路兹泵


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14、单项选择题  在酸性浆料中，最常使用的氧化剂为（）。

A.硝酸
B.硝酸铜
C.硫酸
D.磺酸


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15、单项选择题  真空蒸发又被人们称为（）。

A.真空沉积
B.真空镀膜
C.真空外延
D.真空


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16、单项选择题  一般分析扩散系数，考虑两种条件，即恒定表面浓度条件和（）。

A.恒定总掺杂剂量
B.不恒定总掺杂剂量
C.恒定杂志浓度
D.不恒定杂志浓度


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17、单项选择题  为了保证保护装置能可靠地动作，27.5A的接地电流只能保证断开动作电流不超过多少的继电保护装置。（）

A.18.3A
B.13.8A
C.11A
D.9.2A


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18、单项选择题  买来的新树脂往往是Na型或Cl型，新树脂使用前必须分别用酸（阳树脂），碱（阴树脂）浸泡约（）个小时，把Na型或Cl型转换成H型或OH型。

A.3
B.4
C.5
D.6


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19、单项选择题  在半导体器件制造中，对清洗用水的纯度有比较高的要求，要用经过纯化的（）作为清洁用水。

A.蒸馏水
B.自来水
C.去离子水
D.矿泉水


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20、单项选择题  离子从进入靶起到停止点所通过的总路程称作（）。

A.离子距离
B.靶厚
C.射程
D.注入深度


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21、单项选择题  钠、钾等大离子在二氧化硅结构中是（）杂质。

A.替位式
B.间隙式
C.施主
D.可能是替位式也可能是间隙式


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22、单项选择题  （）方法是大规模集成电路生产中用来沉积不同金属的应用最为广泛的技术。

A.蒸镀
B.离子注入
C.溅射
D.沉积


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23、单项选择题  电气测量仪表中，整流式对电流的种类与频率的适用范围是（）。

A.直流
B.工频及较高频率的交流
C.直流及工频交流
D.直流及工频与较高频率的交流


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24、单项选择题  离子源产生的离子在（）的加速电场作用下得到加速。

A.分析器
B.扫描器
C.加速器
D.偏转器


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25、多项选择题  关于正胶和负胶的特点，下列说法正确的是（）。

A.正胶在显影时不会发生膨胀，因此分辨率高于负胶
B.正胶的感光区域在显影时不溶解，负胶的感光区域在显影时溶解
C.负胶在显影时不会发生膨胀，因此分辨率不会降低
D.正胶的感光区域在显影时溶解，负胶的感光区域在显影时不溶解
E.负胶在显影时会发生膨胀，导致了分辨率的降低


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26、单项选择题  下列几种氧化方法相比，哪种方法制得的二氧化硅薄膜的电阻率会高些（）。

A.干氧氧化
B.湿氧氧化
C.水汽氧化
D.与氧化方法无关


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27、多项选择题  晶片表面上的粒子是通过（）到达晶片的表面。

A.粒子扩散
B.从气体源通过强迫性的对流传送
C.化学反应
D.被表面吸附
E.静电吸引


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28、单项选择题  下列关于曝光后烘烤的说法正确的是（）。

A.烘烤的目的是除去光刻胶中的水分
B.烘烤可以减轻曝光中的驻波效应
C.烘烤的温度一般在300℃左右
D.烘烤的时间越长越好


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29、单项选择题  真空镀膜室中的钟罩与底盘构成（）。

A.衬底加热器
B.抽气系统
C.真空室
D.蒸气源加热器


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30、多项选择题  二氧化硅膜的质量要求有（）。

A.薄膜表面无斑点
B.薄膜中的带电离子含量符合要求
C.薄膜表面无针孔
D.薄膜的厚度达到规定指标
E.薄膜厚度均匀，结构致密


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31、单项选择题  在磁分析器中常用（）分析磁铁。

A.柱形
B.扇形
C.方形
D.圆形


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32、单项选择题  铜与氯形成的化合物挥发能力不好，因而铜的刻蚀无法以化学反应来进行，而必须施以（）。

A.等离子体刻蚀
B.反应离子刻蚀
C.湿法刻蚀
D.溅射刻蚀


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33、单项选择题  （）是以物理的方法来进行薄膜沉积的一种技术。

A.LPCVD
B.PECVD
C.CVD
D.PVD


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34、单项选择题  采用热氧化方法制备的二氧化硅从结构上看是（）的。

A.结晶形态
B.非结晶形态
C.可能是结晶形态的，也可能是非结晶形态的
D.以上都不对


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35、单项选择题  光刻的主要工艺流程按照操作顺序是（）。

A.涂胶、前烘、曝光、坚膜、显影、去胶
B.涂胶、前烘、坚膜、曝光、显影、去胶
C.涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、去胶
D.前烘、涂胶、曝光、坚膜、显影、去胶


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36、单项选择题  静电偏转电极和静电扫描器都是（）电容器。

A.片状
B.针尖状
C.圆筒状
D.平行板


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37、单项选择题  目前，最广泛使用的退火方式是（）。

A.热退火
B.激光退火
C.电子束退火
D.离子束退火


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38、多项选择题  沾污是指半导体制造过程中引入半导体硅片的任何危害微芯片（）的不希望有的物质。

A.功能
B.成品率
C.物理性能
D.电学性能
E.外观


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39、单项选择题  降低靶的温度，有利于非晶层的形成，所以临界注入量随之（）。

A.增大
B.减小
C.不变
D.变为0


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40、单项选择题  离子散射方向与入射方向的夹角，称为（）。

A.渐近角
B.偏折角
C.散射角
D.入射角


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41、单项选择题  采用热氧化方法制备的二氧化硅从结构上看是（）的。

A.结晶形态
B.非结晶形态
C.可能是结晶形态的，也可能是非结晶形态的
D.以上都不对


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42、单项选择题  在深紫外曝光中，需要使用（）光刻胶。

A.DQN
B.CA
C.ARC
D.PMMA


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43、单项选择题  激光退火目前有（）激光退火两种。

A.一般和特殊
B.脉冲和连续
C.高温和低温
D.快速和慢速


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44、多项选择题  对于非晶靶，离子注入的射程分布取决于（）。

A.入射离子的能量
B.入射离子的质量
C.入射离子的原子序数
D.靶原子的质量、原子序数、原子密度
E.注入离子的总剂量


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45、单项选择题  悬浮在空气中的颗粒称为（）。

A.悬浮物
B.尘埃
C.污染颗粒
D.浮质


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46、单项选择题  危害半导体工艺的典型金属杂质是（）。

A.2族金属
B.碱金属
C.合金金属
D.稀有金属


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47、单项选择题  下列哪些因素不会影响到显影效果的是（）。

A.显影液的温度
B.显影液的浓度
C.显影液的溶解度
D.显影液的化学成分


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48、单项选择题  扩散工艺现在广泛应用于制作（）。

A.晶振
B.来源:91 考试网电容
C.电感
D.PN结


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49、多项选择题  净化室里废气收集管系统分为两类，分别是（）。

A.一般排气系统
B.特殊排气系统
C.制程排气系统
D.专用排气系统
E.排气排水系统


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50、多项选择题  在半导体工艺中，与氮化硅比较，二氧化硅更适合应用在（）。

A.晶圆顶层的保护层
B.多层金属的介质层
C.多晶硅与金属之间的绝缘层
D.掺杂阻挡层
E.晶圆片上器件之间的隔离


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51、多项选择题  哪种方法可以增加缺陷的积累率而降低临界注入量：（）。

A.低温注入
B.常温注入
C.高温注入
D.分子注入
E.双注入


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52、单项选择题  在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在950～1100℃的条件下，扩散时间大约（）为宜。

A.4～6h
B.50min～2h
C.10～40min
D.5～10min


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53、单项选择题  在热扩散工艺中的预淀积步骤中，砷和锑的扩散温度为（）。

A.1050～1200℃
B.900～1050℃
C.1100～1250℃
D.1200～1350℃


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54、单项选择题  刻蚀要求在整个晶圆上有一个均匀的刻蚀速率，（）是在晶圆上由测量刻蚀过程前后特定点的厚度，并计算这些点的刻蚀速率而得到的。

A.选择性
B.均匀性
C.轮廓
D.刻蚀图案


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55、单项选择题  在刻蚀二氧化硅过程中假如我们在CF4的（）内加入适量的氢气，能够降低刻蚀的速率。

A.气体
B.等离子体
C.固体
D.液体


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56、单项选择题  真空镀膜室内，在蒸发源加热器与衬底加热器之间装有活动挡板，用来（）。

A.隔挡气体交换
B.控制蒸发的过程
C.辅助热量交换
D.温度调节


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57、多项选择题  下列扩散杂质源中，（）不仅是硅常用的施主杂质，也是锗常用的施主杂质。

A.硼
B.锡
C.锑
D.磷
E.砷


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58、单项选择题  通常选熔断器熔断电流为电路额定电流的（）。

A.1～1.8倍
B.1.3～1.8倍
C.1.3～2.1倍
D.1.5～2.3倍


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59、多项选择题  二氧化硅薄膜厚度的测量方法有（）。

A.比色法
B.双光干涉法
C.椭圆偏振光法
D.腐蚀法
E.电容-电压法


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60、多项选择题  在半导体工艺中，淀积的薄膜层应满足的参数包含有（）。

A.均匀性
B.表面平整度
C.自由应力
D.纯净度
E.电容


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61、多项选择题  有关光刻胶的显影下列说法错误的是（）。

A.负胶受显影液的影响比较小
B.正胶受显影液的影响比较小
C.正胶的曝光区将会膨胀变形
D.使用负胶可以得到更高的分辨率
E.负胶的曝光区将会膨胀变形


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62、单项选择题  下面那一种薄膜工艺中底材会被消耗（）。

A.薄膜沉积
B.薄膜成长
C.蒸发
D.溅射


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63、多项选择题  超大规模集成电路需要光刻工艺具备的要求有（）。

A.高分辨率
B.高灵敏度
C.精密的套刻对准
D.大尺寸
E.低缺陷


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64、单项选择题  半导体硅常用的施主杂质是（）。

A.锡
B.硫
C.硼
D.磷


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65、单项选择题  将具有交换能力的阳树脂和阴树脂按一定比例混合后，装在聚氯乙稀或有机玻璃做的圆柱形交换柱内，自来水（）通过交换柱就能称为高纯度去离子水。

A.自上而下
B.自下而上
C.自左而右
D.自右而左


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66、单项选择题  （）主要是以化学反应方式来进行薄膜沉积的。

A.PVD
B.CVD
C.溅射
D.蒸发


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67、单项选择题  用真空蒸发与溅射法在硅片或二氧化硅膜上涂敷金属材料，是形成电极的（）。

A.重要步骤
B.次要步骤
C.首要步骤
D.不一定


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68、多项选择题  下列物质中是结晶形态二氧化硅的有（）。

A.硅土
B.石英
C.磷石英
D.玻璃
E.水晶


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69、单项选择题  在IC芯片生长中浅沟槽隔离技术STI逐渐取代了局部氧化LOCOS所制成的（）而成为相邻电子元件的绝缘体

A.栅氧化层
B.沟槽
C.势垒
D.场氧化层


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70、单项选择题  固体中的扩散模型主要有填隙机制和（）。

A.自扩散机制
B.杂质扩散机制
C.空位机制
D.菲克扩散方程机制


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71、多项选择题  溅射的方法非常多其中包括（）。

A.直流溅射
B.交流溅射
C.反应溅射
D.二级溅射
E.三级溅射


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72、单项选择题  损伤的分布与注入离子在在靶内的（）的分布密切相关。

A.能量淀积
B.动量淀积
C.能量振荡
D.动量振荡


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73、单项选择题  （）是与气体辉光放电现象密切想关的一种薄膜淀积技术。

A.蒸镀
B.离子注入
C.溅射
D.沉积


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74、单项选择题  通常热扩散分为两个大步骤，其中第一个步骤是（）。

A.再分布
B.等表面浓度扩散
C.预淀积
D.等总掺杂剂量扩散


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75、多项选择题  光刻胶的光学稳定通过（）来完成的。

A.红外线辐射
B.X射线照射
C.加热
D.紫外光辐射
E.电子束扫描


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76、单项选择题  请在下列选项中选出硅化金属的英文简称：（）。

A.Oxide
B.Nitride
C.Silicide
D.Polycide


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77、多项选择题  离子注入的主要气体源中，剧毒的有（）。

A.砷化氢
B.二硼化氢
C.四氟化硅
D.三氟化磷
E.五氟化磷


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78、单项选择题  在实际工作中，常常需要知道离子注入层内损伤量按（）的分布情况。

A.长度
B.深度
C.宽度
D.表面平整度


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79、单项选择题  下列哪些元素在硅中是快扩散元素：（）。

A.Na
B.B
C.P
D.As


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80、单项选择题  有机性气体大多产生在下列哪道工艺（）。

A.离子注入
B.刻蚀
C.扩散
D.光刻


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81、单项选择题  由静电释放产生的电流泄放最大电压可以达（）。

A.几伏
B.几十伏
C.几百伏
D.几万伏


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82、多项选择题  通常情况下，我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）的刻蚀速率尽量低。

A.光刻胶
B.衬底
C.表面硅层
D.扩散区
E.源漏区


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83、单项选择题  （）的气体源中一般包含H+，C+，B+，Cl+，O+等离子。

A.Cl2
B.BCl3
C.CO2
D.H2


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84、单项选择题  扩散炉中的管道一般都是用（）制作。

A.陶瓷
B.玻璃
C.石英
D.金属


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85、单项选择题  当注入剂量增加到某个值时，损伤量不再增加，趋于饱和。开始饱和的注入剂量称为（）。

A.临界剂量
B.饱和剂量
C.无损伤剂量
D.零点剂量


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86、多项选择题  去正胶常用的溶剂有（）

A.丙酮
B.氢氧化钠溶液
C.丁酮
D.甲乙酮
E.热的氯化碳氢化合物


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87、单项选择题  静电释放的英文简述为（）。

A.ESC
B.SED
C.ESD
D.SEM


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88、单项选择题  光刻工艺中，脱水烘焙的最初温度是（）。

A.150－200℃
B.200℃左右
C.250℃左右
D.300℃左右


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89、单项选择题  分析器是一种（）分选器。

A.电子
B.中子
C.离子
D.质子


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90、单项选择题  在各种离子源常用的放电方式中，EOS是指有（）。

A.电子振荡放电
B.离子自动放电
C.低电压弧光放电
D.双等离子电弧放电


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91、单项选择题  point defect的意思是（）。

A.点缺陷
B.线缺陷
C.面缺陷
D.缺失的点


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92、单项选择题  检验水中是否有盐酸，可用（）溶液滴入水中，如果出现白色沉淀，就表示水中有盐酸。

A.氧化铜
B.硝酸镁
C.硝酸银
D.氯化铜


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93、单项选择题  为了避免（）在经过氯化物等离子体刻蚀之后的残留物使其发生腐蚀，必须在刻蚀完毕之后再增加一道工序来除去这些表面残留物。

A.多晶硅
B.单晶硅
C.铝硅铜合金
D.铜


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94、单项选择题  （）是指每个入射离子溅射出的靶原子数。

A.溅射率
B.溅射系数
C.溅射效率
D.溅射比


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95、单项选择题  决定吸附原子彼此间能否形成一个稳定的核团，以便于进行凝结的主要因素主宰于所形成的核团是否（）而定。

A.动能最低
B.稳定
C.运动
D.静止


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96、单项选择题  菲克一维扩散定律公式中的J是代表单位面积溶质（）。

A.传输率
B.载流子浓度
C.扩散梯度
D.扩散系数


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97、单项选择题  （）由钟罩、蒸气源加热器、衬底加热器、活动挡板和底盘构成。

A.真空镀膜机
B.真空镀膜室
C.真空镀膜器
D.真空镀膜仪


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98、单项选择题  （）是因为吸附原子在晶片表面上彼此碰撞并结合所形成的。

A.晶核
B.晶粒
C.核心
D.核团


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99、多项选择题  静电释放带来的问题有哪些（）。

A.金属电迁移
B.金属尖刺现象
C.芯片产生超过1A的峰值电流
D.栅氧化层击穿
E.吸引带电颗粒或极化并吸引中性颗粒到硅片表面


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100、单项选择题  化合物半导体砷化镓常用的施主杂质是（）。

A.锡
B.硼
C.磷
D.锰


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