1、填空题  终点检测是指（）的一种检测到平坦化工艺把材料磨到一个正确厚度的能力。两种最常用的原位终点检测技术是（）和（）。

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本题答案：CMP设备；电机电流终点检测；光学终点检测
本题解析：试题答案CMP设备；电机电流终点检测；光学终点检测

2、判断题  在刻蚀中用到大量的化学气体，通常用氟刻蚀二氧化硅。

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本题答案：对
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3、判断题  平滑是一种平坦化类型，它只能使台阶角度圆滑和侧壁倾斜，但高度没有显著变化。

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本题答案：对
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4、判断题  CZ直拉法是按照在20世纪90年代初期它的发明者的名字来命名的。

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本题答案：对
本题解析：暂无解析

5、判断题  离子注入中高能量意味着注入硅片更深处，低能量则用于超浅结注入。

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本题答案：对
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6、填空题  集成电路的制造分为五个阶段，分别为（）、（）、硅片测试和拣选、（）、终测。

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本题答案：硅片制造备；硅片制造；装配和封装
本题解析：试题答案硅片制造备；硅片制造；装配和封装

7、问答题  片式钽电解电容和铝电解电容有什么主要特点和主要差别？

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本题答案：片式钽电解电容器：是用金属钽做正极，用稀硫酸等配液做负
本题解析：试题答案片式钽电解电容器：是用金属钽做正极，用稀硫酸等配液做负极，用钽表面生成的氧化膜作为介质制成。矩形钽电解电容外壳为有色塑料封装，一端印有深色标志线，为正极，在封面上有电容量的数值及耐压值，一般有醒目的标志，以防用错。
铝电解电容：以金属铝为正极，其表面氧化膜作为介质，电解液作为负极的电容，液体电解质片式铝电解电容器的特点：它是由铝圆筒做负极、里面装有液体电解质，插人一片弯曲的铝带做正极制成。还需经直流电压处理，做正极的片上形成一层氧化膜做介质。其特点是容量大、但是漏电大、稳定性差、有正负极性，适于电源滤波或低频电路中，使用时，正、负极不能接反。

8、问答题  简述两步扩散的含义与目的？

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本题答案：为了同时满足对表面浓度、杂质总量以及结深等的要求，实际
本题解析：试题答案为了同时满足对表面浓度、杂质总量以及结深等的要求，实际生产中常采用两步扩散工艺：第一步称为预扩散或预淀积，在较低的温度下，采用恒定表面源扩散方式在硅片表面扩散一层杂质原子，其分布为余误差涵数，目的在于控制扩散杂质总量；第二步称为主扩散或再分布，将表面已沉积杂质的硅片在较高温度下扩散，以控制扩散深度和表面浓度，主扩散的同时也往往进行氧化。

9、问答题  简述引线材料？

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本题答案：用于集成电路引线的材料，需要注意的特性为电特性、绝缘性
本题解析：试题答案用于集成电路引线的材料，需要注意的特性为电特性、绝缘 性质、击穿、表面电阻热特性，玻璃化转化温度、热导率、热膨胀系数，机械特性，扬氏模量、泊松比、刚度、强度，化学特性，吸潮、抗腐蚀。

10、判断题  光刻的本质是把电路结构复制到以后要进行刻蚀和离子注入的硅片上。

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本题答案：对
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11、填空题  在外延工艺中，如果膜和衬底材料（），例如硅衬底上长硅膜，这样的膜生长称为（）；反之，膜和衬底材料不一致的情况，例如硅衬底上长氧化铝，则称为（）。

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本题答案：相同；同质外延；异质外延
本题解析：试题答案相同；同质外延；异质外延

12、问答题  简述MCM的 BGA封装？

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本题答案：BGA封装适用于MCM封装，能够实现MCM的高密度，高性能。
本题解析：试题答案BGA封装适用于MCM封装，能够实现MCM的高密度，高性能。

13、填空题  制作钨塞的主要工艺步骤是：1、（）；2、（）；3、（）；4、磨抛钨。

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本题答案：钛淀积阻挡层；氮化钛淀积；钨淀积
本题解析：试题答案钛淀积阻挡层；氮化钛淀积；钨淀积

14、填空题  制造电子器件的基本半导体材料是圆形单晶薄片，称为硅片或（）。在硅片制造厂，由硅片生产的半导体产品，又被称为（）或（）。

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本题答案：硅衬底；微芯片；芯片
本题解析：试题答案硅衬底；微芯片；芯片

15、填空题  从半导体制造来讲，晶圆中用的最广的晶体平面的密勒符号是（）来源:91考试网 91exam.org、（）和（）。

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本题答案：100；110；111
本题解析：试题答案100；110；111

16、问答题  测试过程4要素？

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本题答案：检测：确定被测器件（DUT）是否具有或者不具有某些故障
本题解析：试题答案检测：确定被测器件（DUT）是否具有或者不具有某些故障。
诊断：识别表现于DUT的特定故障。
器件特性的描述：确定和校正设计或者测试中的错误。
失效模式分析（FMA.：确定引起DUT缺陷制造过程中的错误。

17、判断题  P是VA族元素，其掺杂形成的半导体是P型半导体。

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本题答案：对
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18、判断题  刻蚀速率通常正比于刻蚀剂的浓度。

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本题答案：对
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19、判断题  反刻是一种传统的平坦化技术，它能够实现全局平坦化。

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本题答案：错
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20、判断题  干法刻蚀是亚微米尺寸下刻蚀器件的最主要方法，湿法腐蚀一般只是用在尺寸较大的情况下刻蚀器件，例如大于3微米。

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本题答案：对
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21、问答题  简述模塑料？

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本题答案：模塑料与常见的热塑性塑料相比，模塑料具有更高的几何尺寸
本题解析：试题答案模塑料与常见的热塑性塑料相比，模塑料具有更高的几何尺寸稳定性、更耐极端高热高湿复杂环境、耐化学品腐蚀、高机械强度等特点。其基本构成为：基体（10-30%）（高分子化合物树脂）、环氧树脂、硅酮树脂、1，2-聚丁二烯酯树脂、添加剂（60-90%）、固化剂、催化剂、填充剂（SiO2） 、阻燃剂、脱模剂、染色剂。

22、判断题  大马士革工艺的名字来源于几千年前叙利亚大马士革的一位艺术家发明的一种技术。

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本题答案：对
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23、判断题  投影掩膜版上的图形是由金属钽所形成的。

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本题答案：错
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24、判断题  在CMP设备中被广泛采用的终点检测方法是光学干涉终点检测。

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本题答案：对
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25、判断题  世界上第一块集成电路是用硅半导体材料作为衬底制造的。

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本题答案：错
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26、判断题  步进光刻机的三个基本目标是对准聚焦、曝光和合格产量。

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本题答案：错
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27、判断题  离子注入中静电扫描的主要缺点是离子束不能垂直轰击硅片，会导致光刻材料的阴影效应，阻碍离子束的注入。

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本题答案：对
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28、判断题  最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。

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本题答案：错
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29、判断题  离子注入的缺点之一是注入设备的复杂性。

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本题答案：对
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30、判断题  氧化物有两个生长阶段来描述，分别是线性阶段和抛物线阶段。

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本题答案：对
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