1、填空题  硅和锗都是Ⅳ族元素，它们具有（）结构。

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本题答案：金刚石晶格
本题解析：试题答案金刚石晶格

2、判断题  微电子技术、通信技术和因特网技术构成了信息技术发展的三大基础。

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本题答案：错
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3、问答题  用你自己的话解释微电子学、集成电路的概念？

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本题答案：集成电路是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一
本题解析：试题答案集成电路是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构；其中所有元件在结构上已组成一个整体，使电子元件向着微小型化、低功耗和高可靠性方面迈进了一大步。

4、填空题  MOS型集成电路又分为NMOS、PMOS、（）型。

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本题答案：CMOS
本题解析：试题答案CMOS

5、问答题  什么是集成电路设计？

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本题答案：根据电路功能和性能的要求，在正确选择系统配置、电路形式
本题解析：试题答案根据电路功能和性能的要求，在正确选择系统配置、电路形式、器件结构、工艺方案和设计规则的情况下，尽量减小芯片面积，降低设计成本，缩短设计周期，以保证全局优化，设计出满足要求的集成电路。

6、问答题  集成电路的性能指标有哪 些？

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本题答案：集成度、速度、功耗（功耗延迟积，又称电路的优值。功耗延
本题解析：试题答案集成度、速度、功耗（功耗延迟积，又称电路的优值。功耗延迟积越小，集成电路的速度越快或功耗越低，性能越好）、特征尺寸（集成电路中半导体器件的最小尺度）、可靠性。

7、填空题  N型半导体中电子是多子，空穴是（）。

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本题答案：少子
本题解析：试题答案少子

8、填空题  非晶、（）、单晶是固体的三种基本类型。

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本题答案：多晶
本题解析：试题答案多晶

9、判断题  双极集成电路中的晶体管工作机理依赖于电子或者空穴。

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本题答案：错
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10、填空题  集成电路的特征尺寸有时也称线宽，通常是指集成电路中半导体器件的（）。

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本题答案：最小尺度
本题解析：试题答案最小尺度

11、判断题  如果光刻胶在曝光前可溶于某种 溶液而经过曝光后不可溶，则这种光刻胶为正胶。

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本题答案：错
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12、填空题  双极型晶体管可以用来产生、放大和处理各种（）。

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本题答案：模拟电 信号
本题解析：试题答案模拟电信号

13、填空题  晶体性质的基本特征之一是具有（）。

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本题答案：方向性
本题解析：试题答案方向性

14、填空题  在P型半导体中空穴是多子，（）是少子。

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本题答案：电子
本题解析：试题答案电子

15、判断题  EDA是计算机辅助测试的英文简称。

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本题答案：错
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16、填空题  组合逻辑电路的输出状态只与当时的（）有关。

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本题答案：输入状态
本题解析：试题答案输入状态

17、问答题  什么是集成电路设计？集成电路的设计方法有哪些？

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本题答案：根据电路功能和性能的要求，在正确选择系统配置、电路形式
本题解析：试题答案根据电路功能和性能的要求，在正确选择系统配置、电路形式、器件结构、工艺方案和设计规则的情况下，尽量减小芯片面积，降低设计成本，缩短设计周期，以保证全局优化，设计出满足要求的集成电路。设计方法：层级设计，全定制法，半定制法，PLD。

18、问答题  什么是基区宽变效应，基区宽变效应受哪些因素影响？

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本题答案：①基区宽变 效应：由于外加电压的变化使有效基区宽度发生变
本题解析：试题答案①基区宽变效应：由于外加电压的变化使有效基区宽度发生变化的现象，又称厄利效应。②要提高厄利电压，减小基区宽变效应的影响，应增大基区宽度，使基区宽变的相对影响变小。另外如果提高基区掺杂浓度，则对于一定的Vce，集电结耗尽层变化较小，也可以减小基区宽变效应的影响，提高厄利电压。但是这两条措施均与增大电流增益的要求冲突，应该综合考虑。

19、填空题  在正常使用条件下，晶体管的发射结加正向小电压，称为（）偏置，集电结加反向大电压，称为反向偏置。

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本题答案：正向
本题解析：试题答案正向

20、问答题  列举出你见到的、想到的不同类型的集成电路及其主要作用？

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本题答案：集成电路按用途可分为电视机用集成电路、音响用集成电路、
本题解析：试题答案集成电路按用途可分为电视机用集成电路、音响用集成电路、影碟机用集成电路、录像机用集成电路、电脑（微机）用集成电路、电子琴用集成电路、通信用集成电路、照相机用集成电路、遥控集成电路、语言集成电路、报警器用集成电路及各种专用集成电路。

21、填空题  2000年，因发明集成电路而被授予诺贝尔物理学奖的是（）。

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本题答案：基尔比
本题解析：试题答案基尔比

22、判断题  对于处于饱和区的MOS晶体管，漏源电流随其宽长比的增大而增大。

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本题答案：对
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23、判断题  常用来制造半导体发光二极管的材料是直接跃迁晶体材料。

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本题答案：对
本题解析：暂无解析

24、填空题  根据不同的击穿机理，PN结击穿主要分为（）和隧道击穿这两种电击穿。

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本题答案：雪崩击穿
本题解析：试题答案雪崩击穿

25、填空题  晶体管的直流特性曲线可以分为三个区域：放大区，饱和区，（）。

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本题答案：截止区
本题解析：试题答案截止区

26、问答题  晶体管的基极宽度会影响那些参数？为什么？

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本题答案：①影响电流增益，定性分析Wb越小，基区输运系数越大，从
本题解析：试题答案①影响电流增益，定性分析Wb越小，基区输运系数越大，从而电流增益越大；
②影响基区穿通电压，Wb越小，越容易发生基区穿通现象；
③影响特征频率fT，Wb越小，基区渡越时间越小，从而可提高特征频率；
④影响基区串联电阻Rb，Wb越小，基区串联电阻Rb越大，另外宽基区晶体管不易引起电流集边效应。

27、判断题  SOC指的是系统芯片。

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本题答案：对
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28、判断题  CMOS电路与双极集成电路相比速度快。

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本题答案：错
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29、填空题  能量最高的是价电子所填充的能带，称为（）。

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本题答案：价带
本题解析：试题答案价带

30、名词解释  短沟道效应

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本题答案：沟道长度减小到一定程度后出现的一系列二级物理效应，如阈
本题解析：试题答案沟道长度减小到一定程度后出现的一系列二级物理效应，如阈值电压的变化。