1、单项选择题  在半导体器件制造中，对清洗用水的纯度有比较高的要求，要用经过纯化的（）作为清洁用水。

A.蒸馏水
B. 自来水
C.去离子水
D.矿泉水

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本题答案：C
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2、单项选择题  TCP/IP协议中的TCP相当于OSI中的（）。

A.应用层
B.网络层
C.物理层
D.传输层

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本题答案：D
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3、单项选择题  铜互连金属多层布线中，磨料的粒径一般为（）。

A.5~10nm
B.20~30nm
C.50~80nm
D.100~200nm

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本题答案：B
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4、多项选择题  晶片表面上的粒子是通过（）到达晶片的表面。

A.粒子扩散
B.从气体源通过强迫性的对流传送
C.化学反应
D.被表面吸附
E.静电吸引

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本题答案：A, B, C, D
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5、单项选择题  （）是测量在刻蚀过程中物质被移除的速率有多快的一种参数。

A.刻蚀速率
B.刻蚀深度
C.移除速率
D.刻蚀时间

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本题答案：A
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6、多项选择题  沾污是指半导体制造过程中引入半导体硅片的任何危害微芯片（）的不希望有的物质。

A.功能
B.成品率
C.物理性能
D.电学性能
E.外观

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本题答案：B, D
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7、单项选择题  下列材料中电阻率最低的是（）。

A.铝
B.铜
C.多晶硅
D.金

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本题答案：D
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8、多项选择题  树脂使用过程中需保持一定温度，阳树脂和阴树脂分别不能高于（）度，使用温度不能过低，低于0度会使树脂冻裂。

A.80
B.60
C.40
D.20
E.10

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本题答案：A, C
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9、单项选择题  涂胶以后的晶片，需要在一定的温度下进行烘烤，这一步骤称为（）。

A.后烘
B.去水烘烤
C.软烤
D.烘烤

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本题答案：C
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10、多项选择题  真空镀膜室是由（）几部分组成。

A.钟罩
B.蒸气源加热器
C.衬底加热器
D.活动挡板
E.底盘

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本题答案：A, B, C, D, E
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11、单项选择题  我们可以通过简单的结深测量和（）测量来获得扩散层的重要信息。

A.横向电阻
B.平均电阻率
C.薄层电阻
D.扩展电阻

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本题答案：C
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12、单项选择题  二氧化硅生长过程中，当分凝系数小于1时，会使二氧化硅-硅界面处硅一侧的杂质浓度（）。

A.降低
B.增加
C.不变
D.先降低后增加

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本题答案：A
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13、单项选择题  引出系统要求能引出分散性较好的强束流，还希望具有较（）的气阻。

A.无序
B.稳定
C.小
D.大

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本题答案：D
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14、单项选择题  （）主要是以化学反应方式来进行薄膜沉积的。

A.PVD
B.CVD
C.溅射
D.蒸发

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本题答案：B
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15、多项选择题  通常情况下，我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）的刻蚀速率尽量低。

A.光刻胶
B.衬底
C.表面硅层
D.扩散区
E.源漏区

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本题答案：A, B
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16、单项选择题  树脂的外形为（）的球状颗粒。

A.淡黄色或褐色
B.黑色或棕色
C.淡红色或褐色
D.淡蓝色或棕色

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本题答案：A
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17、单项选择题  电流通过导线时，在导线里因电阻损耗而产生热量，导线的温度就会升高。导线的温度与下列哪项因素无关（）。

A.通过的电流值
B.周围环境的温度
C.散热条件
D.导线长度

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本题答案：D
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18、单项选择题  在刻蚀（）过程中假如我们在CF5的等离子体内加入适量的氧气，能够提高刻蚀的速率。

A.铜
B.铝
C.金
D.二氧化硅

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本题答案：D
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19、单项选择题  硅烷的分子式是（）。

A.SiF4
B.SiH4
C.CH4
D.SiC

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本题答案：B
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20、 单项选择题  下列关于曝光后烘烤的说法正确的是（）。

A.烘烤的目的是除去光刻胶中的水分
B.烘烤可以减轻曝光中的驻波效应
C.烘烤的温度一般在300℃左右
D.烘烤的时间越长越好

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本题答案：B
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21、单项选择题  电气测量仪表中，整流式对电流的种类与频率的适用范围是（）。

A.直流
B.工频及较高频率的交流
C.直流及工频交流
D.直流及工频与较高频率的交流

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本题答案：B
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22、单项选择题  （）就是用功率密度很高的激光束照射半导体表面，使其中离子注入层在极短的时间内达到高温，消除损伤。

A.热退火
B.激光退火
C.连续激光退火
D.脉冲激光退火

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本题答案：B
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23、单项选择题  二氧化硅薄膜的折射率是表征其（）学性质的重要参数。

A.电
B.磁
C.光
D.热

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本题答案：C
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24、多项选择题  光刻胶的光学稳定通过（）来完成的。

A.红外线辐射
B.X射线照射
C.加热
D.紫外光辐射
E.电子束扫描

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本题答案：C, D
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25、多项选择题  光刻胶主要由（）等不同材料混合而成的。

A.树脂
B.感光剂
C.HMDS
D.溶剂
E.PMMA

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本题答案：A, B, D
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26、单项选择题  在热扩散工艺中的预淀积步骤中，磷的扩散温度为（）。

A.600～750℃
B.900～1050℃
C.1100～1250℃
D.950～1100℃

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本题答案：B
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27、单项选择题  金相学的研磨之所以会在研磨面上造成如刮伤般的痕迹是由于在制程中（）。

A.氧化铬磨料溶水制成的研磨液
B.使用羊毛研磨垫
C.采用旋转研磨垫加压的方法
D.无法必免的机械损耗

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本题答案：B
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28、单项选择题  干氧氧化中，氧化炉内的气体压力应（）一个大气压。

A.稍高于
B.大大于
C.等于
D.没有要求

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本题答案：A
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29、单项选择题  溅镀法，因为其阶梯覆盖的能力不良，很容易造成因填缝不完全所留下的（）。

A.鸟嘴
B.空洞
C.裂痕
D.位错

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本题答案：B
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30、单项选择题  dry vacuum pump的意思是（）。

A.扩散泵
B.谁循环泵
C.干式真空泵
D.路兹泵

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本题答案：C
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