1、单项选择题  多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对（）的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。

A.二氧化硅
B.氮化硅
C.单晶硅
D.多晶硅

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本题答案：A
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2、单项选择题  扩散工艺现在广泛应用于制作 （）。

A.晶振
B.电容
C.电感
D.PN结

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本题答案：D
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3、多项选择题  树脂使用过程中需保持一定温度，阳树脂和阴树脂分别不能高于（）度，使用温度不能过低，低于0度会使树脂冻裂。

A.80
B.60
C.40
D.20
E.10

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本题答案：A, C
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4、单项选择题  在磁分析器中常用（）分析磁铁。

A.柱形
B.扇形
C.方形
D.圆形

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本题答案：B
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5、单项选择题  为了解决中性束对注入均匀性的影响，可在系统中设有（），使离子束偏转后再达到靶室。

A.磁分析器
B.正交电磁场分析器
C.静电偏转电极
D.束流分析仪

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本题答案：C
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6、多项选择题  从电极的结构看，溅射的方法包括（）。

A.直流溅射
B.交流溅射
C.二级溅射
D.三级溅射
E.四级溅射

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本题答案：C, D, E
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7、单项选择题  为了防止抽气设备对离子注入系统的油污染，可在靶室前增加一个（）或采用无油泵。

A.液氮冷阱
B.净化阱
C.抽气阱
D.无气泵

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本题答案：A
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8、多项选择题  以（）等两层材料所组合而成的导电层便称为Polycide。

A.单晶硅
B.多晶硅
C.硅化金属
D.二氧化硅
E.氮化硅

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本题答案：B, C
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9、多项选择题  关于正胶和负胶在显影时的特点，下列说 91exam.org法正确的是（）。

A.负胶的感光区域溶解
B.正胶的感光区域溶解
C.负胶的感光区域不溶解
D.正胶的感光区域不溶解
E.负胶的非感光区域溶解

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本题答案：B, C, E
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10、单项选择题  电子束蒸发的设备中产生电子束的装置称为（）。

A.电子源
B.电子泵
C.电子管
D.电子枪

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本题答案：D
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11、多项选择题  下列有关ARC工艺的说法正确的是（）。

A.ARC可以是硅的氮化物
B.可用干法刻蚀除去
C.ARC膜可以通过PVD或者CVD的方法形成
D.ARC在刻蚀中也可做为掩蔽层
E.ARC膜也可以通过CVD的方法形成

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本题答案：A, B, C, D, E
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12、单项选择题  （）是指每个入射离子溅射出的靶原子数。

A.溅射率
B.溅射系数
C.溅射效率
D.溅射比

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本题答案：A
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13、单项选择题  将具有交换能力的阳树脂和阴树脂按一定比例混合后，装在聚氯乙稀或有机玻璃做的圆柱形交换柱内，自来水（）通过交换柱就能称为高纯度去离子水。

A.自上而下
B.自下而上
C.自左而右
D.自右而左

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本题答案：A
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14、多项选择题  直流二极管辉光放电系统是由（）构成。

A.抽真空的玻璃管
B.抽真空后再充入某种低压气体的玻璃管
C.两个电极
D.加速器
E.增益管

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本题答案：B, C
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15、单项选择题  半导体硅常用的施主杂质是（）。

A.锡
B.硫
C.硼
D.磷

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本题答案：D
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16、单项选择题  ESD产生（）种不同的静电总类。

A.1
B.4
C.3
D.2

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本题答案：D
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17、单项选择题  （）由钟罩、蒸气源加热器、衬底加热器、活动挡板和底盘构成。

A.真空镀膜机
B.真空镀膜室
C.真空镀膜器
D.真空镀膜仪

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本题答案：B
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18、单项选择题  离子束的引出系统的间接引出系统中，阳极和插入电极之间形成一个离子密度较（）的等离子体。

A.低
B.高
C.均匀
D.不均匀

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本题答案：A
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19、单项选择题  如果磷在二氧化硅中扩散，对扩散率影响最大的因素是：（）。

A.扩散剂总量
B.压强
C.温度
D.浓度

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本题答案：D
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20、多项选择题  扩散工艺在现在集成电路工艺中仍然是是一项重要的集成电路工艺，现在主要被用来制作（）。

A.埋层
B.外延
C.PN结
D.扩 散电阻
E.隔离区

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本题答案：A, C, D
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21、单项选择题  真空蒸发又被人们称为（）。

A.真空沉积
B.真空镀膜
C.真空外延
D.真空

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本题答案：B
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22、单项选择题  在空位扩散中，如果迁移的空位的原子是杂质原子，扩散称为（）。

A.填隙扩散
B.杂质扩散
C.推挤扩散
D.自扩散

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本题答案：B
本题解析：暂 无解析

23、单项选择题  在热扩散工艺中的预淀积步骤中，磷的扩散温度为（）。

A.600～750℃
B.900～1050℃
C.1100～1250℃
D.950～1100℃

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本题答案：B
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24、多项选择题  二氧化硅膜的质量要求有（）。

A.薄膜表面无斑点
B.薄膜中的带电离子含量符合要求
C.薄膜表面无针孔
D.薄膜的厚度达到规定指标
E.薄膜厚度均匀，结构致密

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本题答案：A, B, C, D, E
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25、单项选择题  Torr是指（）的单位。

A.真空度
B.磁场强度
C.体积
D.温度

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本题答案：A
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26、单项选择题  硅晶片上之所以可以产生薄膜，出始于布满在晶片表面的许多气体分子或其它粒子，它们主要是通过（）到达晶片表面的。

A.粒子的扩散
B.化学反应
C.从气体源通过强迫性的对流传送
D.被表面吸附

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本题答案：A
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27、单项选择题  （）是测量在刻蚀过程中物质被移除的速率有多快的一种参数。

A.刻蚀速率
B.刻蚀深度
C.移除速率
D.刻蚀时间

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本题答案：A
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28、单项选择题  真空镀膜室中的钟罩与底盘构成（）。

A.衬底加热器
B.抽气系统
C.真空室
D.蒸气源加热器

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本题答案：C
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29、多项选择题  在半导体工艺中，淀积的薄膜层应满足的参数包含有（）。

A.均匀性
B.表面平整度
C.自由应力
D.纯净度
E.电容

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本题答案：A, B, C, D, E
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30、单项选择题  由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的，所以其（）就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。

A.刻蚀速率
B.选择性
C.各向同性
D.各向异性

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本题答案：B
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