1、判断题 微电子技术的核心是集成电路，中央处理器是集成电路的标志性产品之一。
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2、判断题 对于处于饱和区的MOS晶体管，漏源电流随其宽长比的增大而增大。
3、填空题 一般认为MOS集成电路功耗低、（），宜用作数字集成电路。
4、问答题 简述晶体管的直流工作原理？
5、判断题 双极集成电路中的晶体管工作机理依赖于电子或者空穴。
6、问答题 集成电路设计流程，三个设计步骤？
7、问答题 光电器件主要包括哪几类？简述光电倍增管的基本原理？
8、填空题来源:91考试网 91ExaM.org N型半导体中电子是多子，空穴是（）。
9、判断题 EDA是计算机辅助测试的英文简称。
10、填空题 非晶、（）、单晶是固体的三种基本类型。
11、名词解释 “掺杂”
12、问答题 在双极集成电路制造中，为什么要采用外延和埋层工艺？
13、填空题 （）集成电路已成为集成电路的主流。
14、判断题 同种半导体材料在相同温度下电子的迁移率比空穴的迁移率小。
15、判断题 微机电系统的制造工艺与IC制造工艺是完全一样的。
16、填空题 双极型晶体管其有两种基本结构：PNP型和（）型。
17、填空题 2000年，因发明集成电路而被授予诺贝尔物理学奖的是（）。
18、填空题 双极型晶体管可以作为放大晶体管，也可以作为（）来使用，在电路中得到了大量的应用。
19、填空题 在微电子学中的空间尺寸通常是以μm和（）为单位的。
20、填空题 双极型晶体管可以用来产生、放大和处理各种（）。
21、填空题 集成电路制造通常包括集成电路设计、工艺加工、（）、封装等工序。
22、填空题 MOSIC的缺点是（）。
23、问答题 载流子的输运有哪些模式？对这些输运模式进行简单的描述。
24、判断题 标准双极型工艺中的纵向NPN晶体管的发射区掺杂浓度比集电区小。
25、填空题 MOS型集成电路又分为NMOS、PMOS、（）型。
26、判断题 对于一个PN结，如果反偏电压降低，耗尽区宽度将减小。
27、问答题 晶体管的基极宽度会影响那些参数？为什么？
28、判断题 微电子技术、通信技术和因特网技术构成了信息技术发展的三大基础。
29、问答题 用你自己的话解释微电子学、集成电路的概念？
30、问答题 解释PN节的单向导电性？
31、问答题 什么是电路模拟？其在IC设计中的作用？
32、判断题 在集成电路制造工艺步骤中，光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。
33、名词解释 厄利电压
34、问答题 什么是集成电路设计？
本题答案：微信扫下方二维码即可打包下载完整带答案解析版《★电子与通信技术》或《电子与通信技术：微电子学》题库 来源:91 考试网>600)makesmallpic(this,600,1800);" src="http://www.91exam.org/ewebeditor/uploadfile/2019/04/02/20190402155207853.png" align="center" style="font-size: 9pt;">
35、填空题 （）是载流子在电场作用下运动速度的快慢的量度。
36、判断题 常用的IC设计方法有全定制设计方法、标准单元设计方法、门阵列设计方法和可编程逻辑电路设计方法等。对于性能要求很高或批量很大的产品，如存储器、微处理器等，一般采用可编程逻辑电路设计方法。
37、问答题 简述VHDL语言的用途及其电路描述风格？
38、填空题 根据不同的击穿机理，PN结击穿主要分为（）和隧道击穿这两种电击穿。
39、问答题 经过那些工艺流程可以实现选择“掺杂”？写出工艺流程。
40、问答题 微电子器件的特征尺寸继续缩小的关键技术有哪些？
41、判断题 CMOS电路与双极集成电路相比速度快。
42、名词解释 工艺模拟
43、名词解释 器件模拟
44、填空题 本征半导体的导电能力很弱，热稳定性很（）。
45、问答题 21世纪硅微电子技术的主要发展方向有哪些？
46、问答题 CMOS集成电路版图设计中，什么是有比例设计和无比例设计，对电学参数有哪些影响？
47、填空题 能量最高的是价电子所填充的能带，称为（）。
48、填空题 集成电路的特征尺寸有时也称线宽，通常是指集成电路中半导体器件的（）。
49、填空题 迁移率反映的是载流子（）在单位电场作用下的平均漂移速度。
50、问答题 什么是N型半导体？什么是P型半导体？如何获得？
51、填空题 硅和锗都是Ⅳ族元素，它们具有（）结构。
52、判断题 半导体激光器的工作原理是受激发射。
53、问答题 什么是基区宽变效应，基区宽变效应受哪些因素影响？
54、判断题 常用来制造半导体发光二极管的材料是直接跃迁晶体材料。
55、填空题 计算机中运行的信号是脉冲信号，但这些脉冲信号均代表着确切的数字，因而又叫做（）。
56、填空题 半导体集成电路是采用半导体工艺技术，在硅基片上制作包括电阻、电容、（）、晶体管等元器件并具有某种电路功能的集成电路。
57、填空题 组合逻辑电路的输出状态只与当时的（）有关。
58、填空题 隧道击穿主要取决于空间电荷区中的（）。
59、判断题 对于发光二极管，其内量子效率比外量子效率小。
60、名词解释 平带电压
61、填空题 微电子学是以实现（）的集成为目的的。
62、判断题 从电路原理受控源的角度本质上看，工作在饱和区的MOS晶体管本质等效为电压控制电流源。
63、名词解释 沟道长度调制效应
64、填空题 PN结总的电容应该包括势垒电容和（）之和。
65、判断题 双极型集成电路工艺是用来制造CMOS集成电路。
66、问答题 集成电路的性能指标有哪些？
67、判断题 如果光刻胶在曝光前可溶于某种溶液而经过曝光后不可溶，则这种光刻胶为正胶。
68、判断题 SOC指的是系统芯片。
69、填空题 在P型半导体中空穴是多子，（）是少子。
70、填空题 在正常使用条件下，晶体管的发射结加正向小电压，称为（）偏置，集电结加反向大电压，称为反向偏置。
71、填空题 所谓（），指在时间上和幅度上离散取值的信号。
72、问答题 闩锁效应起因？
73、问答题 简单叙述微电子学对人类社会的作用？
74、填空题 所谓（），是指幅度随时间连续变化的信号。
75、问答题 什么是线性电源？
76、名词解释 短沟道效应
77、问答题 什么是集成电路设计？集成电路的设计方法有哪些？
78、填空题 反映半导体中载流子导电能力的一个重要参数是（）。
79、填空题 晶体管的直流特性（）是指晶体管的输入和输出电流-电压关系曲线。
80、填空题 晶体性质的基本特征之一是具有（）。
81、问答题 列举出你见到的、想到的不同类型的集成电路及其主要作用？
82、填空题 PN结的最基本性质之一就是其具有（）。
83、问答题 对门电路而言，高低电平噪声容限受哪些因素影响？
84、填空题 晶体管的直流特性曲线可以分为三个区域：放大区，饱和区，（）。
85、问答题 简述集成电路的分类？
86、填空题 集成电路的特征尺寸是衡量集成电路加工工艺水平和（）的主要指标。
