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海船船员考试：船舶半导体理论考试试题（题库版）
2019-10-19 01:09:58 来源:91考试网 作者:www.91exam.org 【大 中 小】
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1、单项选择题  对于单管共射极基本放大电路，若静态工作点不合适，比较方便的做法是（）。

A．负载大小
B．基极注入电流大小
C．电流放大系数的大小
D．电压放大倍数的大小


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2、单项选择题  在静态时，无论基极偏置电流多大，无论是PNP型还是NPN型，三极管三个极电流总有（）。

A．IC=IB+IE
B．IB=IE+IC
C．IE=IB+IC
D．IE=（+1）IB


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3、单项选择题  对于运算放大器而言，下列说法错误的是（）。

A．多级直接耦合
B．高输出阻抗
C．高输入阻抗
D．高放大倍数


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4、单项选择题  在三极管基本放大电路中，由于静态工作点设置不合适而出现饱和失真。为了改善失真波形，方便的做法是应（）。

A．增大三极管基极静态输入电流
B．减小三极管基极静态输入电流
C．减小信号电压
D．目前的三极管性能不好，应更换一个


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5、单项选择题  对于晶体二极管来说，以下说法错误的是（）。

A．正向电阻很小
B．无论加多大的反向电压，都不会导通
C．未被反向击穿前，反向电阻很大
D．所加正向电压大于死区电压时，二极管才算真正导通


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6、单项选择题  二极管、三极管、晶闸管分别有（）个PN结，分别有（）个极。

A．1，2，3／2，3，4
B．1，2，2／2，3，3
C．1，2，3／2，3，3
D．1，3，3／1，3，3


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7、单项选择题  在采用动圈式模拟万用表的欧姆挡检测二极管的极性时一般使用（）挡，这是因为（）。

A．R×100／防止过压反响击穿二极管
B．R×100／防止二极管导通时正向电流过大而烧坏
C．R×1／防止过压反响击穿二极管
D．R×1／防止二极管导通时正向电流过大而烧坏


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8、单项选择题  用万用表测试二极管性能时，如果正反向电阻相差很大，则说明该二极管性能（），如果正反向电阻相差不大，则说明该二极管（）。

A．好／好
B．好／不好
C．不好／不好
D．不好／好


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9、单项选择题  

已知有电容滤波器的半波整流电路输入交流电压的有效值为U，其输出电压平均值U0的变化范围是（），二极管承受的最高反向电压UDRM为（）。

A．0.45U～1.2U／U
B．0.45U～1.4U／U
C．0.9U～1.4U／U
D．0.9U～1.2U／U


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10、单项选择题  NPN型三极管处于放大状态时，三个极的电位关系为（）。

A．VC＞VE＞VB
B．VC＞VB＞VE
C．VE＞VB＞VC
D．VB＞VE＞VC


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11、单项选择题  在特殊情况下，划分部位的依据是（）。

A、脉相和叶形
B、厚度
C、颜色
D、叶面


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12、单项选择题  单相半波整流电路，输入交流电压有效值为100V，则输出的脉动电压平均值为（）；二极管承受的最高反向电压为（）。

A．45V／100V
B．90V／100V
C．90V／141V
D．45V／141V


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13、单项选择题  理想的运算放大器应具有的特性是（）。（Au开环电压放大倍数，ri输入电阻，r0输出电阻）

A．Au→∞ri→∞r0→0
B．Au→∞ri→0r0→∞
C．Au→∞ri→∞r0→∞
D．Au→0ri→0r0→0


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14、单项选择题  测得某PNP型晶体管三个极的电位分别为VC＝0.4V、VB＝1.5V、VE＝1.2V，可判断该管工作于（）状态。

A．截止
B．饱和导通
C．线性放大
D．非线性放大


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15、单项选择题  PNP型三极管处于放大状态时，三个极的电位关系为（）。

A．VC＞VE＞VB
B．VC＞VB＞VE
C．VE＞VB＞VC
D．VB＞VE＞VC


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16、单项选择题  关于集成运放的下列说法，正确的是（）。

A．输出电阻很大
B．输入电阻很小
C．工作时不需要外接直流电源
D．用于线性运算时，一定要采用闭环的形式


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17、单项选择题  稳压管正常工作时，一般情况下是工作在（）状态。

A．反向击穿
B．放大
C．正向击穿
D．截止


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18、单项选择题  已知一晶体管的E、B、C三个极的电位分别为0.5V、1.2V、5.6V，此管工作于（）状态，此管属（）型。

A．饱和／NPN
B．放大／NPN
C．饱和／PNP
D．放大／PNP


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19、单项选择题  NPN型晶体管处于放大状态时，管脚电位应有（）。

A．VC＞VE＞VB
B．VC＞VB＞VE
C．VC＞VB＞VE
D．VB＞VE＞VC


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20、单项选择题  当逻辑变量A=1、B=1、C=1时，求逻辑函数的值为（）。

A．0
B．1
C．2
D．3


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21、单项选择题  集成运算放大器的输入阻抗/输出阻抗特点是（）。

A．高／低
B．低／高
C．高／高
D．低／低


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22、单项选择题  将单相半波整流电路中的二极管换成晶闸管并设计相关的触发电路，则该电路的功能为（）。

A．全波可控整流电路
B．半波可控整流电路
C．逆变电路
D．变频电路


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23、单项选择题  在下列关于硅二极管“死区电压/在额定电流范围内的正向管压降”数据中，合适的是（）。

A．0.1V／0.5V
B．0.2V／0.5V
C．0.5V／0.7V
D．0.5V／1.0V


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24、单项选择题  N型半导体中的多数载流子是（）。

A．自由电子
B．空穴
C．束缚电子
D．晶格上的离子


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25、单项选择题  晶体管具有放大作用时，它的集电结（）偏，发射结（）偏。

A．正／反
B．反／正
C．正／正
D．反／反


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26、单项选择题  在三极管基本放大电路中，测试发现静态工作点已经设置在放大区中央部分，但同时出现截止和饱和失真。这说明（）。

A．测试错误
B．输入的信号幅度过大
C．为消除失真，应增大三极管基极静态输入电流
D．为消除失真，应减小三极管基极静态输入电流


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27、单项选择题  在P型半导体中多数载流子是（），在N型半导体中多数载流子是（）。

A．空穴／自由电子
B．自由电子／空穴
C．空穴／共价键电子
D．负离子／正离子


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28、单项选择题  金属导体的电阻率随温度升高而（）；半导体的导电能力随温度升高而（）。

A．升高／升高
B．降低／降低
C．升高／降低
D．降低／升高


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29、单项选择题  用动圈式模拟万用表欧姆挡检测二极管的极性，红黑表笔分别接二极管的两个极，测其电阻，再调换表笔再测一次电阻，电阻（）的那一次，黑表笔接的是（）极。

A．大／阴
B．小／阴
C．小／阳
D．大／阴或小／阳


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30、单项选择题  晶闸管关断条件是（）。

A．将控制极触发脉冲关断
B．减少阳极电流使之小于维持电流
C．在控制极加反向电压
D．在控制极加正向电压


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31、单项选择题  在设计一灯光连续可调的交流照明台灯（220V、45W）灯光调节装置时，为使整个装置体积小、简单轻便、成本低、节能，下列几种方案最优的是（）。

A．采用可调电抗器
B．采用滑动变阻器
C．采用自耦变压器
D．采用晶闸管


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32、单项选择题  晶闸管的结构是（）。

A．三层四端
B．三层二端
C．四层三端
D．四层四端


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33、单项选择题  为实现从交流电源到直流稳压电源转换，一般要顺序地经历（）。

A．整流电路、整流变压器、稳压环节、滤波环节
B．整流变压器、整流电路、稳压环节、滤波环节
C．整流变压器、整流电路、滤波环节、稳压环节
D．稳压环节、整流变压器、整流电路、滤波环节


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34、单项选择题  晶体管工作在饱和区的条件是（）。

A．发射结正向偏置，集电结反向偏置
B．发射结反向偏置，集电结正向偏置
C．发射结正向偏置，集电结正向偏置
D．发射结反向偏置，集电结反向偏置


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35、单项选择题  在桥式整流电路中，若有一只二极管极性接反，则会出现（）；若有一只二极管被击穿短路，则会出现（）。

A．半波整流／半波整流
B．无输出电压／半波整流
C．半波整流／无输出电压
D．烧毁电路／烧毁电路


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36、单项选择题  测得某PNP型晶体管E极电位为0.4V，B极电位为1.2V，C极电位为1.5V，可判断出其工作状态为（）。

A．截止
B．饱和导通
C．线性放大
D．非线性放大


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37、单项选择题  桥式全波整流电路中，若有一只二极管短路将会导致的危害是（）。

A．半波整流
B．波形失真
C．电路出现短路
D．输出电压平均值升高，可能烧毁负载


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38、单项选择题  在滤波电路中，电容器与负载（）联，电感与负载（）联。

A．串／并
B．并／串
C．并／并
D．串／串


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39、单项选择题  晶体管工作在放大区的条件是（）。

A．发射结正向偏置，集电结反向偏置
B．发射结反向偏置，集电结正向偏置
C．发射结正向偏置，集电结正向偏置
D．发射结反向偏置，集电结反向偏置


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40、单项选择题  整流电路的目的是（）。

A．直流电变交流电
B．电压放大
C．交流电变直流电
D．功率放大


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41、单项选择题  当逻辑变量A=1、B=0、C=1时，求逻辑函数的值为（）。

A．0
B．1
C．2
D．3


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42、单项选择题  

具有电容滤波器的单相半波整流电路，若变压器副边有效值U＝20V，当负载开路时，输出平均电压U0约为（）。

A．9V
B．28.2V
C．8V
D．20V


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43、单项选择题  关于晶闸管的下列说法错误的是（）。

A．若控制端与阴极间不加正向电压，则无论在阳阴极间加多大的正向电压，管子均不会导通
B．具有与二极管不完全一致的单向导电性
C．在一定范围内，随着正向控制电压的升高，管子阳阴极间的导通变得越容易
D．阳阴极间加正向6V直流电压时，使晶闸管导通的控制极最小电压为其触发电压


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44、单项选择题  在下列关于锗二极管“死区电压／在额定电流范围内的正向管压降”数据中，合适的是（）。

A．0.1～0.2V／0.3V
B．0.2～0.3V／0.7V
C．0.3～0.5V／0.7V
D．0.5V／0.7V


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45、单项选择题  半导体PN结是构成各种半导体器件的工作基础，其主要特性是（）。

A．具有放大特性
B．具有单向导电性
C．具有改变电压特性
D．具有增强内电场特性


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46、单项选择题  关于晶闸管应用的下列说法错误的是（）。

A．经逆变等环节实现直流调压
B．可用做交流开关，实现交流调压
C．仅仅用于可控整流
D．常用于灯光可调节的照明电路


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47、单项选择题  下列PN结两端的电位值，使PN结导通的是（）。

A．P端接+5V，N端通过一电阻接+7V
B．N端接+2V，P端通过一电阻接+7V
C．P端接-3V，N端通过一电阻接+7V
D．P端接+1V，N端通过一电阻接+6V


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48、单项选择题  晶体管作为开关使用时，主要工作于（）。

A．截止区，放大区
B．截止区，饱和区
C．放大区，饱和区
D．饱和区


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49、单项选择题  晶体管处于饱和状态时，它的集电结（）偏，发射结（）偏。

A．正／反
B．反／正
C．正／正
D．反／反


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50、单项选择题  三极管工作在截止状态时其条件是（）。

A．发射结正向偏置，集电结反向偏置
B．发射结电压小于其死区电压
C．发射结集电结都正向偏置
D．集电结电压大于其死区电压


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51、单项选择题  已经导通的可控硅，欲使其关断，下列哪种方法不可取的是（）。

A．断开阳极电路
B．使阳极电流小于维持电流
C．断开控制极电路
D．阳极-阴极间加反向电压


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52、单项选择题  可控硅关断的条件是（）。

A．控制极电流小于维持电流
B．阳极电流小于维持电流
C．控制极加反向电压
D．阳极加正向电压


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53、单项选择题  关于二极管的功能，下列说法错误的是（）。

A．整流功能
B．滤波功能
C．钳位功能
D．小范围稳压功能


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54、单项选择题  运算放大器构成线形反相比例运算，为了减小运算误差，则在反相端输入信号电压时，其同相端应（）。

A．通过平衡电容接地
B．输入与反相端相同的信号电压
C．通过平衡电阻接地
D．输入与反相端相反的信号电压


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55、单项选择题  具有电容滤波器的单相半波整流电路，若变压器副边电压有效值U＝20V，则二极管承受的最高反向电压为（）。

A．20V
B．28.2V
C．40V
D．56.4V


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56、单项选择题  为使晶体管可靠地处于截止状态时，它的集电结（）偏，发射结（）偏。

A．正／反
B．反／正
C．正／正
D．反／反


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57、单项选择题  无论是PNP型还是NPN型三极管，若工作在放大状态时其条件是（）。

A．发射结正向偏置，集电结反向偏置
B．发射结集电结都反向偏置
C．发射结集电结都正向偏置
D．视管子类型而定


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58、单项选择题  稳压管的稳压功能通常是利用下列（）特性实现的。

A．具有结电容，而电容具有平滑波形的作用
B．PN结的单向导电性
C．PN结的反向击穿特性
D．PN结的正向导通特性


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59、单项选择题  当逻辑变量A=1、B=1、C=1时，求逻辑函数Y=A+B+C的值为（）。

A．0
B．1
C．2
D．3


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60、单项选择题  单相半波或全波整流电路经电容滤波后的输出电压随着负载电阻增大，其脉动程度（）。

A．不一定
B．变大
C．变小
D．不变


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61、单项选择题  一般来说，本征半导体的导电能力（），当掺入某些适当微量元素后其导电能力（）。

A．很强／更强
B．很强／降低
C．很弱／提高
D．很弱／更弱


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62、单项选择题  如果将一个普通的PN结的两端通过一电流表短路，回路中没有其他电源。当用光线照射该PN结时，电流表的读数（）。

A．为零
B．增大
C．减小
D．视光强确定


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63、单项选择题  在单相半波整流电路后接一电容滤波器然后给负载供电，若负载开路，则输出电压U0=（）。（U为整流电路输入的交流电压有效值）

A．U
B．0.45U
C．1.4U
D．0.9U


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64、单项选择题  关于晶闸管的下列说法正确的是（）。

A．具有三端四层结构
B．具有与二极管完全一致的单向导电性
C．正常使用情况下，由关断转为导通的充要条件是控制极与阳极间加正向电压或正向脉冲
D．正常使用情况下，由关断转为导通的充要条件是阳极与阴极间加正向脉冲


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65、单项选择题  测得某个NPN型晶体管E、B、C三个电极电位分别为0.4V、0.2V和1.5V可判断该管处于（）工作状态。

A．完全截止
B．完全导通
C．线性放大
D．饱和导通


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66、单项选择题  用模拟万用表欧姆挡测一晶体管，用黑表笔接一个极，用红表笔分别测另两个极，测得的电阻都很小，则黑表笔接的是（）。

A．NPN的发射极
B．PNP的发射极
C．PNP的基极
D．NPN的基极


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67、单项选择题  晶体管具有电流放大能力，而放大能源来自于放大电路中的（）。

A．信号源
B．晶体管本身
C．直流电源
D．由负载灌入


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68、单项选择题  为了获得比较平滑的直流电压，需在整流电路后加滤波电路，滤波电路的作用是（）；滤波效果最好的是（）滤波电路。

A．滤掉交流成分／电感
B．滤掉直流成分／电容
C．滤掉交流成分／П型
D．滤掉直流成分／Г型


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69、单项选择题  关于P型半导体的下列说法，错误的是（）。

A．空穴是多数载流子
B．在二极管中，P型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极
C．在纯净的硅衬底上，掺杂五价元素，可形成P型半导体
D．在NPN型的晶体管中，基区正是由P型半导体构成


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70、单项选择题  中国共产党历史上最大的一起冤假错案的受害者是（）

A.刘少奇
B.彭德怀
C.陈毅
D.邓小平


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71、单项选择题  在单相半波整流电路中，整流二极管的反向耐压必须大于（）。

A．输出的平均电压值
B．所接负载电压值
C．变压器副边电压最大值
D．变压器副边电压有效值


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72、单项选择题  在三极管基本放大电路中，由于静态工作点设置不合适而出现截止失真。为了改善失真波形，方便的做法是应（）。

A．增大三极管基极静态输入电流
B．减小三极管基极静态输入电流
C．增大信号电压
D．目前的三极管性能不好，应更换一个


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73、单项选择题  用模拟万用表欧姆挡测一晶体管，用红表笔接一个极，用黑表笔分别测量另两个极，测得的电阻都很小，则红表笔接的是（）。

A．NPN的发射极
B．PNP的发射极
C．NPN的基极
D．PNP的基极


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74、单项选择题  在采用动圈式模拟万用表的欧姆挡检测二极管的极性时，若红黑表笔分别接二极管的两个极测其电阻，调换表笔后再测一次电阻。若二次所测电阻值都比较小或都很大，说明二极管性能（）。

A．正常／正常
B．不正常／正常
C．正常／不正常
D．不正常／不正常


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75、单项选择题  某桥式整流电路直接接有电阻负载，负载平均电流为90mA，整流电路输入的交流电压有效值为24V，系列关于选择整流二极管的参数（最大整流电流IDM、反向耐压值）最为合适的选项是（）。

A．50mA、25V
B．100mA、50V
C．50mA、50V
D．100mA、25V


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76、单项选择题  一整流电路，其负载端的平均电压为输入交流电压有效值的0.9倍，则此整流电路为（）电路。

A．全波整流
B．半波整流
C．桥式整流
D．全波整流或桥式整流


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77、单项选择题  用万用表测量某电路中一个NPN型三极管的静态工作电压时，发现UCE≈0时，管子处于（）。

A．放大状态
B．饱和状态
C．截止状态
D．放大和截止状态


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78、单项选择题  对于半导体材料，若（），导电能力减弱。

A．环境温度降低
B．掺杂金属元素
C．增大环境光照强度
D．掺杂非金属元素


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79、单项选择题  集成运放的两个信号输入端分别为（）。

A．同相和反相
B．直流和交流
C．电压和电流
D．基极和集电极


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80、单项选择题  已知某晶体管的E、B、C三个极的电位分别为－8V、－8.3V、－12V，则此管工作于（）状态，此管属（）型。

A．截止／NPN
B．截止／PNP
C．放大／NPN
D．放大／PNP


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81、单项选择题  

该整流电路输入交流电压有效值为U，有电容滤波的半波整流电路较没有滤波环节的整流电路，负载的平均电压U0的特点是（），当负载开路（即RL＝∞）时，输出电压U0为（）。

A．增大／U
B．增大／U
C．减小／U
D．减小／U


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82、单项选择题  在三极管基本放大电路中，为了获得最大的不失真电压放大，应该将静态工作点设置在三极管的（）。

A．放大区中央部分
B．放大区即可
C．饱和区
D．截止区


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83、单项选择题  晶体管中的“β”参数是（）。

A．电压放大系数
B．集电极最大功耗
C．电流放大系数
D．功率放大系数


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84、单项选择题  晶体三极管工作时，温度升高其死区电压（）；输入特性曲线（）。

A．减小／右移
B．增大／右移
C．增大／左移
D．减小／左移


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85、单项选择题  某实际运放，已知其直流工作电源是±15V，开环增益AU0=107。若用于线性运算，则其输出电压范围可能是（）。

A．-12V～+12V
B．-15V～+15V
C．-20V～+20V
D．-∞～+∞


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86、单项选择题  晶体管具有电流放大能力，而放大能源来自地放大电路中的（）。

A．晶体管本身
B．信号源
C．负载输入
D．直流电源


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87、单项选择题  

在运算放大器中，输出电压U0与输入电压Ui的关系式为，其中“－”号表示（）。

A．只能放大直流信号
B．只能放大交流信号
C．U0与Ui反相
D．U0与Ui成反比


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88、单项选择题  下列描述中不属于本征半导体的基本特征是（）。

A．温度提高导电能力提高
B．有两种载流子
C．电阻率很小，接近金属导体
D．参杂质后导电能力提高


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89、单项选择题  当晶体管的集电极电流增量与基极电流增量之比几乎不变时，晶体管处于（）。

A．放大区
B．饱和区
C．截止区
D．放大或饱和区


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90、单项选择题  关于P、N型半导体内参与导电的介质，下列说法最为合适的是（）。

A．自由电子、空穴、位于晶格上的离子
B．无论P型还是N型半导体，自由电子、空穴都是导电介质
C．对于P型半导体，空穴是唯一的导电介质
D．对于N型半导体，空穴是唯一的导电介质


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91、单项选择题  关于N型半导体的下列说法，正确的是（）。

A．只存在一种载流子：自由电子
B．在二极管中，N型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极
C．在纯净的硅衬底上，分散三价元素，可形成N型半导体
D．在PNP型的晶体管中，基区正是由N型半导体构成


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92、单项选择题  二极管全波整流电路，所获得的直流电压平均值为输入整流装置的交流电压有效值的（）。

A．0.9
B．0.45
C．0.5
D．0.725


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93、单项选择题  某桥式整流电路，已知负载的最大平均电流为90mA。整流桥输入的交流电压有效值为24V。现选择整流二极管，下列答案最为恰当的是（）。

A．整流电流为100mA，反向耐压值为25V
B．整流电流为50mA，反向耐压值为50V
C．整流电流为25mA，反向耐压值为50V
D．整流电流为100mA，反向耐压值为25V


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94、单项选择题  可控硅导通的条件是（）。

A．阳极和阴极间加一定的反向电压，控制极和阴极间加一定的正向电压
B．阳极和阴极间加一定的正向电压，控制极和阴极间加一定的正向电压
C．阳极和阴极间加一定的正向电压，控制极和阴极间加一定的反向电压
D．阳极和阴极间加一定的反向电压，控制极和阴极间加一定的反向电压


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95、单项选择题  若在本征半导体中掺入某些适当微量元素后，若以空穴导电为主的称（），若以自由电子导电为主的称（）。

A．PNP型半导体／NPN型半导体
B．N型半导体／P型半导体
C．PN结／PN结
D．P型半导体／N型半导体


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96、单项选择题  二极管能保持正向电流几乎为零的最大正向电压称为（）。

A．死区电压
B．击穿电压
C．截止电压
D．峰值电压


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97、单项选择题  未引入负反馈的开环工作的运放一般工作于（）。

A．线性区
B．饱和区
C．截止区
D．线性区或饱和区


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98、单项选择题  用万用表电阻挡测量普通三极管时，最好选择（）挡。

A．R×1
B．R×100
C．R×1K
D．R×10K


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99、单项选择题  同单相半波整流电路相比，桥式整流电路的主要优点是（）。

A．电路结构简单
B．二极管承受的反向电压小
C．输出直流平均电流大
D．使用二极管数量少


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100、单项选择题  P型半导体中的多数载流子是（）。

A．自由电子
B．空穴
C．束缚电子
D．晶格上的离子


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101、单项选择题  在三极管共发射极放大电路中，如果基极偏置电流IB太大，将会产生非线性（），如果基极偏置电流IB太小，将会产生非线性（）。

A．饱和失真/截止失真
B．截止失真/饱和失真
C．饱和失真/饱和失真
D．截止失真/截止失真


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102、单项选择题  桥式全波整流电路中，若有一只二极管开路，将会导致的结果是（）。

A．半波整流
B．输出电压为零
C．电路出现短路
D．输出电压平均值升高，可能烧毁负载


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103、单项选择题  三极管有（）个PN结。

A．1
B．2
C．3
D．4


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104、单项选择题  设v+、v－分别是理想运放的同相输入端、反相输入端的电位；设i+、i－分别是该两端的输入电流。若运放工作于线性区，则（）。

A．v+＞v－＞0，i+＝i－＝0
B．v+＝v－＝0，i+＝i－＞0
C．v+＝v－，i+＝i－＝0
D．v+＝v－＞0，i+＝i－＞0


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105、单项选择题  晶闸管导通后控制极电源线脱落，将产生的现象是（）。

A．晶闸管截止
B．流过阳极的电流减小
C．流过阳极的电流增大
D．流过阳极的电流不变


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106、单项选择题  用万用表测试某电路中一个NPN型三极管的静态工作电压时，当UCE≈UCC时，可断定管子处于（）状态。

A．放大
B．饱和
C．短路
D．截止


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