1、判断题 硅片制造厂可分为六个独立的区域，各个区域的照明都采用同一种光源以达到标准化。
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2、填空题 随着铜布线中大马士革工艺的引入，金属化工艺变成刻蚀（）以形成一个凹槽，然后淀积（）来覆盖其上的图形，再利用（）把铜平坦化至ILD的高度。
3、判断题 曝光后烘焙，简称后烘，其对传统I线光刻胶是必需的。
4、判断题 在刻蚀中用到大量的化学气体，通常用氟刻蚀二氧化硅。
5、问答题 引线键合技术的分类及结构特点？
6、问答题 说明APCVDLPCVDPECVD各自的含义及特点。
7、判断题 大马士革工艺来源于一种类似精制的镶嵌首饰或艺术品的图案。
8、填空题 在干法刻蚀中发生刻蚀反应的三种方法是（）、（）和（）。
9、问答题 简述两步扩散的含义与目的？
10、问答题 其它表面组装元件主要是指哪些元件？这些元件各有什么特点？分别用在哪些场合？
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11、填空题 CZ直拉法的目的是（）。
12、填空题 如果淀积的膜在台阶上过度地变薄，就容易导致高的（）、（）或者在器件中产生不希望的（）。
13、名词解释 保形覆盖
14、判断题 热扩散中的横向扩散通常是纵向结深的75%~85%。先进的MOS电路不希望发生横向扩散，因为它会导致沟道长度的减小，影响器件的集成度和性能。
15、判断题 在半导体生产中，湿法腐蚀是最主要的用来去除表面材料的刻蚀方法。
16、填空题 CZ直拉法生长单晶硅是把（）变为（）并且（）的固体硅锭。
17、判断题 表面起伏的硅片进行平坦化处理，主要采用将低处填平的方法。
18、判断题 世界上第一块集成电路是用硅半导体材料作为衬底制造的。
19、填空题 淀积膜的过程有三个不同的阶段。第一步是（），第二步是（），第三步是（）。
20、问答题 载带自动焊的关键技术有哪些？
21、判断题 刻蚀的高选择比意味着只刻除想要刻去的那一层材料。
22、判断题 硼是VA族元素，其掺杂形成的半导体是P型半导体。
23、填空题 对芯片互连的金属和金属合金来说，它所必备一些要求是（）、高黏附性、（）、（）、可靠性、抗腐蚀性、应力等。
24、判断题 刻蚀速率通常正比于刻蚀剂的浓度。
25、判断题 虽然直至今日我们仍普遍采用扩散区一词，但是硅片制造中已不再用杂质扩散来制作pn结，取而代之的是离子注入。
26、判断题 快速热处理是一种小型的快速加热系统，带有辐射热和冷却源，通常一次处理一片硅片。
27、判断题 离子注入的缺点之一是注入设备的复杂性。
28、填空题 制作通孔的主要工艺步骤是：1、（）；2、（）；3、（）。
29、判断题 CMP带来的一个显著的质量问题是表面微擦痕。小而难以发现的微擦痕导致淀积的金属中存在隐藏区，可能引起同一层金属之间的断路。
30、判断题 栅氧一般通过热生长获得。
31、名词解释 物理气相沉积
32、判断题 对正性光刻来说，剩余不可溶解的光刻胶是掩膜版图案的准确复制。
33、判断题 光刻是集成电路制造工艺发展的驱动力。
34、判断题 CD是指硅片上的最小特征尺寸。
35、判断题 大马士革工艺的名字来源于几千年前叙利亚大马士革的一位艺术家发明的一种技术。
36、问答题 简述焊接材料？
37、判断题 CMOS反相器电路的功效产生于输入信号为零的转换器。
38、问答题 片式瓷介电容器主要有哪几种类型？各有什么主要特点？
39、问答题 简述引线框架材料？
40、问答题 简述多层印制电路基板制造工艺？
41、问答题 简述离子注入工艺中退火的主要作用？
42、判断题 对于大马士革工艺，重点是在于金属的刻蚀而不是介质的刻蚀。
43、判断题 85%以上的单晶硅是采用CZ直拉法生长出来的。
44、判断题 区熔法是20世纪50年代发展起来的，能生产到目前为止最纯的硅单晶，含氧量非常少。
45、判断题 硅上的自然氧化层并不是一种必需的氧化材料，在随后的工艺中要清洗去除。
46、问答题 简述CSP的封装技术？
47、判断题 多晶硅栅的宽度通常是整个硅片上最关键的CD线宽。
48、判断题 传统互连金属线的材料是铝，即将取代它的金属材料是铜。
49、问答题 晶圆的英文是什么？简述晶圆制备的九个工艺步骤。
50、判断题 高密度等离子体刻蚀机是为亚0.25微米图形尺寸而开发的最重要的干法刻蚀系统。
51、填空题 制备半导体级硅的过程：1、（）；2、（）；3、（）。
52、填空题 单晶硅生长常用（）和（）两种生长方式，生长后的单晶硅被称为（）。
53、判断题 氧化物有两个生长阶段来描述，分别是线性阶段和抛物线阶段。
54、判断题 旋涂膜层是一种传统的平坦化技术，在0.35μm及以上器件的制造中常普遍应用于平坦化和填充缝隙。
55、判断题 半导体级硅的纯度为99.9999999%。
56、判断题 平滑是一种平坦化类型，它只能使台阶角度圆滑和侧壁倾斜，但高度没有显著变化。
57、判断题 离子注入中高能量意味着注入硅片更深处，低能量则用于超浅结注入。
58、判断题 在CMP设备中被广泛采用的终点检测方法是光学干涉终点检测。
59、判断题 化学机械平坦化，简称CMP，它是一种表面全局平坦化技术。
60、填空题 用于热工艺的立式炉的主要控制系统分为五部分（）、（）、气体分配系统、尾气系统和（）。
61、问答题 简述BGA的安装互联技术？
62、判断题 集成电路制造就是在硅片上执行一系列复杂的化学或者物理操作。简而言之，这些操作可以分为四大基本类：薄膜制作、刻印、刻蚀和掺杂。
63、判断题 CZ直拉法是按照在20世纪90年代初期它的发明者的名字来命名的。
64、判断题 LPCVD反应是受气体质量传输速度限制的。
65、问答题 简述干氧氧化与湿氧氧化各自的特点，通常用哪种工艺制备较厚的二氧化硅层？
66、判断题 离子注入物质必须以带电粒子束或离子束的形式存在。
67、判断题 干法刻蚀是亚微米尺寸下刻蚀器件的最主要方法，湿法腐蚀一般只是用在尺寸较大的情况下刻蚀器件，例如大于3微米。
68、填空题 在外延工艺中，如果膜和衬底材料（），例如硅衬底上长硅膜，这样的膜生长称为（）；反之，膜和衬底材料不一致的情况，例如硅衬底上长氧化铝，则称为（）。
69、判断题 溅射是个化学过程，而非物理过程。
70、判断题 纯净的半导体是一种有用的半导体。
71、填空题 扩散是物质的一个基本性质，描述了（）的情况。其发生有两个必要条件（）和（）。
72、填空题 硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤（）、（）和（）。
73、问答题 集成电路测试的分类？
74、判断题 各向异性的刻蚀剖面是在所有方向上（横向和垂直方向）以相同的刻蚀速率进行刻蚀。
75、判断题 集成电路是由Kilby和Noyce两人于1959年分别发明，并共享集成电路的专利。
76、问答题 矩形片式电阻由哪几部分组成？各部分的主要作用是什么？
77、填空题 制作钨塞的主要工艺步骤是：1、（）；2、（）；3、（）；4、磨抛钨。
78、填空题 杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是（）扩散和（）扩散。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分，即（），才有助于形成半导体硅。
79、判断题 蒸发最大的缺点是不能产生均匀的台阶覆盖，但是可以比较容易的调整淀积合金的组分。
80、问答题 集成电路测试的意义和基本任务？
81、判断题 离子注入会将原子撞击出晶格结构而损伤硅片晶格，高温退火过程能使硅片中的损伤部分或绝大部分得到消除，掺入的杂质也能得到一定比例的电激活。
82、判断题 在硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤：预淀积、推进和激活。
83、问答题 BGA的封装结构和主要特点？
84、判断题 CVD是利用某种物理过程，例如蒸发或者溅射现象实现物质的转移，即原子或分子由源转移到衬底（硅）表面上，并淀积成薄膜。
85、名词解释 替位式扩散
86、名词解释 溅射镀膜
87、判断题 成品率是指在一片晶圆上所有芯片中好芯片所占的百分比。
88、名词解释 化学气相沉积
89、问答题 简述模塑料？
90、填空题 CMP是一种表面（）的技术，它通过硅片和一个抛光头之间的相对运动来平坦化硅片表面，在硅片和抛光头之间有（），并同时施加（）。
91、问答题 插装元器件与表面贴装元器件主要区别？
92、填空题 选择性氧化常见的有（）和（），其英语缩略语分别为LOCOS和（）。
93、填空题 目前常用的CVD系统有（）、（）和（）。
94、填空题 写出三种半导体制造业的金属和合金（）、（）和（）。
95、判断题 冶金级硅的纯度为98%。
96、判断题 反刻是一种传统的平坦化技术，它能够实现全局平坦化。
97、填空题 硅片上的氧化物主要通过（）和（）的方法产生，由于硅片表面非常平整，使得产生的氧化物主要为层状结构，所以又称为（）。
98、判断题 外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层，即外延层。
99、判断题 接触是由导电材料如铝、多晶硅或铜制成的连线将电信号传输到芯片的不同部分。
100、判断题 离子注入是一个物理过程，不发生化学反应。
101、判断题 外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层，分为同质外延和异质外延两大类。
102、判断题 没有CMP，就不可能生产甚大规模集成电路芯片。
103、判断题 扩散运动是各向同性的。
104、判断题 接触是指硅芯片内的器件与第一层金属层之间在硅表面的连接。
105、名词解释 有限表面源扩散
106、判断题 CD越小，源漏结的掺杂区越深。
107、问答题 SMT电路基板（SMB）的主要特点？ 91eXAm.org
108、问答题 表面组装电阻器主要有哪几类？各有什么特点？
109、填空题 在半导体制造业中，最早的互连金属是（），在硅片制造业中最普通的互连金属是（），即将取代它的金属材料是（）。
110、填空题 硅片平坦化的四种类型分别是（）、部分平坦化、（）和（）。
111、问答题 简述沟道效应的含义及其对离子注入可能造成的影响如何避免？
112、填空题 列出热氧化物在硅片制造的4种用途（）、（）、场氧化层和（）。
113、判断题 P是VA族元素，其掺杂形成的半导体是P型半导体。
114、判断题 当硅片暴露在空气中时，会立刻生成一层无定形的氧化硅薄膜。
115、问答题 载带自动焊的分类及结构特点？
116、判断题 在半导体产业界第一种类型的CVD是APCVD。
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117、判断题 关键层是指那些线条宽度被刻蚀为器件特征尺寸的金属层。
118、判断题 阻挡层金属是淀积金属或金属塞，其作用是增加上下层材料的附着。
119、问答题 倒装焊芯片凸点的分类、结构特点及制作方法？
120、问答题 插装元器件的结构特点及应用？
121、判断题 不正确的刻蚀将导致硅片报废，给硅片制造公司带来损失。
122、判断题 二氧化硅是一种介质材料，不导电。
123、问答题 测试过程4要素？
124、填空题 集成电路的发展时代分为（）、中规模集成电路MSI、（）、超大规模集成电路VLSI、（）。
125、判断题 侧墙用来环绕多晶硅栅，防止更大剂量的源漏注入过于接近沟道以致可能发生源漏穿通。
126、填空题 根据氧化剂的不同，热氧化可分为（）、（）和（）。
127、判断题 有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区、刻蚀区和扩散区。
128、问答题 简述MCM的测试技术？
129、填空题 热氧化工艺的基本设备有三种（）、（）和（）。
130、填空题 集成电路制造中掺杂类工艺有（）和（）两种。
131、填空题 光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和（），两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同，前者是（），后者是（）。
132、判断题 暴露在高温的氧气氛围中，硅片上能生长出氧化硅。生长一词表示这个过程实际是消耗了硅片上的硅材料。
133、判断题 与APCVD相比，LPCVD有更低的成本、更高的产量以及更好的膜性能，因此应用更为广泛。
134、判断题 掺杂的杂质和沾污的杂质是一样的效果。
135、判断题 高阻衬底材料上生长低阻外延层的工艺称为正向外延。
136、问答题 堆叠封装的发展趋势？
137、名词解释 横向扩散
138、判断题 在晶片制造中，有两种方法可以向硅片中引入杂质元素，即热扩散和离子注入。
139、问答题 硅锭直径从20世纪50年代初期的不到25mm增加到现在的300mm甚至更大，其原因是什么？
140、判断题 离子注入能够重复控制杂质的浓度和深度，因而在几乎所有应用中都优于扩散。
141、问答题 简述芯片粘结材料？
142、名词解释 蒸发镀膜
143、问答题 简述MCM的BGA封装？
144、判断题 电机电流终点检测不适合用作层间介质的化学机械平坦化。
145、判断题 西门子工艺生产的硅没有按照希望的晶体顺序排列原子。
146、判断题 离子注入是唯一能够精确控制掺杂的手段。
147、填空题 从半导体制造来讲，晶圆中用的最广的晶体平面的密勒符号是（）、（）和（）。
148、判断题 用于亚0.25μm工艺的选择性氧化的主要技术是浅槽隔离。
149、填空题 热扩散利用（）驱动杂质穿过硅的晶体结构，这种方法受到（）和（）的影响。
150、填空题 芯片硅片制造厂可以分为6个独立的生产区：扩散区、（）、刻蚀区、（）、（）和抛光区。
151、问答题 简要说明IC制造的平坦化工艺的作用是什么？主要有哪些方式？并解释各种方式的详细内容。
152、填空题 制造电子器件的基本半导体材料是圆形单晶薄片，称为硅片或（）。在硅片制造厂，由硅片生产的半导体产品，又被称为（）或（）。
153、填空题 立式炉的工艺腔或炉管是对硅片加热的场所，它由垂直的（）、（）和（）组成。
154、填空题 终点检测是指（）的一种检测到平坦化工艺把材料磨到一个正确厚度的能力。两种最常用的原位终点检测技术是（）和（）。
155、问答题 封装中涉及到的主要材料有哪些？
156、问答题 常用的半导体材料为何选择硅？
157、填空题 晶圆制备中的整型处理包括（）、（）和（）。
158、判断题 多层金属化指用来连接硅片上高密度堆积器件的那些金属层。
159、判断题 投影掩膜版上的图形是由金属钽所形成的。
160、判断题 与干法刻蚀相比，湿法腐蚀的好处在于对下层材料具有高的选择比，对器件不会带来等离子体损伤，并且设备简单。
161、填空题 扩散是物质的一个基本性质，分为三种形态（）扩散、（）扩散和（）扩散。
162、判断题 光刻的本质是把电路结构复制到以后要进行刻蚀和离子注入的硅片上。
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163、判断题 APCVD反应器中的硅片通常是平放在一个平面上。
164、判断题 芯片上的物理尺寸特征被称为关键尺寸，即CD。
165、名词解释 恒定表面源扩散
166、问答题 简述MCM的组装技术？
167、问答题 埋层芯片互联－后布线技术的结构特点及发展趋势？
168、问答题 片式钽电解电容和铝电解电容有什么主要特点和主要差别？
169、判断题 最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。
170、判断题 传统的0.25μm工艺以上的器件隔离方法是硅的局部氧化。
171、填空题 缩略语PECVD、LPCVD、HDPCVD和APCVD的中文名称分别是（）、（）、高密度等离子体化学气相淀积和（）。
172、判断题 晶体管的源漏区的掺杂采用自对准技术，一次掺杂成功。
173、问答题 简述MCM的概念、分类与特性？
174、判断题 LPCVD紧随PECVD的发展而发展。由660℃降为450℃，采用增强的等离子体，增加淀积能量，即低压和低温。
175、问答题 简述MCM的设计？
176、问答题 简述引线材料？
177、判断题 硅中的杂质只有一部分被真正激活，并提供用于导电的电子或空穴（大约3%~5%），大多数杂质仍然处在间隙位置，没有被电学激活。
178、判断题 大马士革工艺的重点在于介质的刻蚀而不是金属的刻蚀。
179、判断题 扩散率越大，杂质在硅片中的移动速度就越大。
180、判断题 步进光刻机的三个基本目标是对准聚焦、曝光和合格产量。
181、判断题 20世纪90年代初期使用的第一台CMP设备是用样片估计抛光时间来进行终点检测的。
182、问答题 与普通溅射法相比，磁控溅射的特点是什么？
183、问答题 片式电感器的类型主要有几种？其结构各有什么特点？
184、填空题 集成电路的制造分为五个阶段，分别为（）、（）、硅片测试和拣选、（）、终测。
185、判断题 离子注入中静电扫描的主要缺点是离子束不能垂直轰击硅片，会导致光刻材料的阴影效应，阻碍离子束的注入。
186、填空题 刻蚀剖面指的是（），有两种基本的刻蚀剖面（）刻蚀剖面和（）刻蚀剖面。
187、问答题 扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么？与扩散掺杂相比离子注入掺杂的优势与缺点各是什么？
188、名词解释 间隙式扩散
189、判断题 人员持续不断地进出净化间，是净化间沾污的最大来源。
190、填空题 影响CZ直拉法的两个主要参数是（）和（）。
