1、问答题 耗尽型负载nMOS反相器相比于增强型负载nMOS反相器有哪些好处？
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2、问答题 简述集成双极晶体管的有源寄生效应在其各工作区能否忽略？
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3、问答题 在制作晶体管的时候，衬底材料电阻率的选取对器件有何影响是？
4、问答题 四管与非门中，如果高电平过低，低电平过高，分析其原因，如与改善方法，请说出你的想法。
5、问答题 集成电路中常用的电容有哪些？
6、问答题 举例说明什么是有比反相器和无比反相器。
7、问答题 什么是特征尺寸？它对集成电路工艺有何影响？
8、问答题 什么是器件的亚阈值特性，对器件有什么影响？
9、问答题 按照器件类型分，半导体集成电路分为哪几类？
10、问答题 什么叫半导体集成电路？
11、问答题 降低电路的功耗有哪些方法？
12、问答题 如何解决MOS器件的场区寄生MOSFET效应？
13、问答题 MOS晶体管的短沟道效应是指什么，其对晶体管有什么影响？
14、名词解释 逻辑摆幅
15、问答题 双极性集成电路中最常用的电阻器和MOS集成电路中常用的电阻都有哪些？
16、问答题 如何解决MOS器件中的寄生双极晶体管效应？
17、问答题 简述硅栅p阱CMOS的光刻步骤。
18、问答题 以p阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些不足？
19、问答题 为什么MOS晶体管会存在饱和区和非饱和区之分（不考虑沟道调制效应）？
20、问答题 为什么新的工艺中要用铜布线取代铝布线？
21、问答题 简述动态组合逻辑电路中存在的常见的三种问题，以及他们产生的原因和解决的方法。
22、名词解释 静态功耗
23、问答题 什么是沟道长度调制效应，对器件有什么影响？
24、问答题 OC门在结构上作了什么改进，它为什么不会出现TTL与非门并联的问题？
25、问答题 简单叙述一下pn结隔离的NPN晶体管的光刻步骤。
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26、问答题 简述CMOS静态逻辑门功耗的构成。
27、名词解释 关门电平
28、问答题 什么是集成双极晶体管的无源寄生效应？
29、问答题 解释静态存储和动态存储的区别和优缺点比较。
30、问答题 请以PMOS晶体管为例解释什么是衬偏效应，并解释其对PMOS晶体管阈值电压和漏源电流的影响。
31、问答题 在四管标准与非门中，那个管子会对瞬态特性影响最大，并分析原因以及带来那些困难。
32、问答题 采用MOSFET作为nMOS反相器的负载器件有哪些优点？
33、问答题 阐述静态存储和动态存储的不同的的存储方法。
34、问答题 什么是MOS晶体管的有源寄生效应？
35、问答题 为什么TTL与非门不能直接并联。
36、问答题 为什么基区薄层电阻需要修正？
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37、问答题 两管与非门有哪些缺点，四管及五管与非门的结构相对于两管与非门在那些地方做了改善，并分析改善部分是如何工作的。四管和五管与非门对静态和动态有那些方面的改进。
38、名词解释 开门电平
39、名词解释 电压传输特性
40、问答题 以N阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些优缺点？并请提出改进方法。
41、问答题 相对于五管与非门六管与非门的结构在那些部分作了改善，分析改进部分是如何工作的？
42、问答题来源:91考试网 91EXAm.org 什么是MOS晶体管的闩锁效应，其对晶体管有什么影响？
43、问答题 简述四层三结的结构的双极型晶体管中隐埋层的作用。
44、问答题 按电路功能或信号类型分，半导体集成电路分为哪几类？
45、问答题 按照半导体集成电路的集成度来分，分为哪些类型，请同时写出它们对应的英文缩写。
