1、填空题 禁带宽度的大小决定着()的难易,一般半导体材料的禁带宽度越宽,所制作的半导体器件中的载流子就越不易受到外界因素,如高温和辐射等的干扰而产生变化。
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2、填空题 铝丝与铝金属化层之间用加热、加压的方法不能获得牢固的焊接,甚至根本无法实现焊接的原因是铝的表面在空气中极易生成一层(),它们阻挡了铝原子之间的紧密接触,达不到原子之间引力范围的间距。
3、单项选择题 pn结的击穿电压和反向漏电流既是晶体管的重要直流参数,也是评价()的重要标志。
A.扩散层质量 B.设计 C.光刻
4、单项选择题 在低温玻璃密封工艺中,常用的运载剂由2%(质量比)的硝化纤维素溶解于98%(质量比)的醋酸异戊酯或松油醇中制得,再将20%的运载剂与()的玻璃料均匀混合,配成印刷浆料。
A.80%~90% B.10%~20% C.40%-50%
5、填空题 外壳设计包括电性能设计、热性能设计和结构设计三部分,而()设计也包含在这三部分中间。
6、填空题 金丝球焊的优点是无方向性,键合强度一般()同类电极系统的楔刀焊接。
7、填空题 芯片焊接质量通常进行镜检和()两项试验。
8、单项选择题 器件的横向尺寸控制几乎全由()来实现。
A.掩膜版 B.扩散 C.光刻
9、问答题 什么叫晶体缺陷?
10、填空题 钎焊密封工艺主要工艺条件有钎焊气氛控制、温度控制和密封腔体内()控制。
11、单项选择题 金属封装主要用于混合集成电路封装,外壳零件一般有底盘、管帽、引线和玻璃绝缘子组成。底盘、管帽和引线的材料常常是()。
A.合金A-42 B.4J29可伐 C.4J34可伐
12、填空题 延生长方法比较多,其中主要的有()外延、()外延、金属有机化学气相外延、()外延、原子束外延、固相外延等。
13、单项选择题 恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为()分布。
A.高斯 B.余误差 C.指数
14、问答题 引线焊接有哪些质量要求?
15、问答题 粘封工艺中,常用的材料有哪几类?
16、填空题 半导体材料可根据其性能、晶体结构、结晶程度、化学组成分类。比较通用的则是根据其化学组成可分为()半导体、()半导体、固溶半导体三大类。
17、填空题 如果热压楔形键合小于引线直径1.5倍或大于3.0倍,其长度小于1.5倍或大于6.0倍,判引线键合()。
18、填空题 二氧化硅的制备方法很多,其中最常用的是高温()、()淀积、PECVD淀积。
19、问答题 简述光刻工艺原理及在芯片制造中的重要性?
20、填空题 半导体集成电路生产中,元件之间隔离有()()()隔离等三种基本方法.
21、填空题 气中的一个小尘埃将影响整个芯片的()性、()率,并影响其电学性能和()性,所以半导体芯片制造工艺需在超净厂房内进行。
22、问答题 简述在芯片制造中对金属电极材料有什么要求?
23、单项选择题 半导体分立器件、集成电路对外壳的主要要求之一是:良好的热性能。外壳应有小的(),使芯片的热量有效地散逸出去,保证器件在正常结温下工作。
A.热阻 B.阻抗 C.结构参数
24、填空题 杂质原子在半导体中的扩散机理比较复杂,但主要可分为()扩散和()扩散两种。
25、单项选择题 塑封中注塑成型工艺主要工艺参数有()、模具温度、合模压力、注射压力、注射速度和成型时间。
A.准备工具 B.准备模塑料 C.模塑料预热
26、问答题 洁净区工作人员应注意些什么?
27、问答题 有哪几种常用的化学气相淀积薄膜的方法?
28、填空题 外延层的迁移率低的因素有原材料纯度();反应室漏气;外延层的晶体();系统沾污等;载气纯度不够;外延层晶体缺陷多;生长工艺条件不适宜。
29、单项选择题 超声热压焊的主要应用对象是超小型镀金外壳与镀金管帽的焊接,焊接处依靠()封接,因而外壳零件的平整度和镀金层厚度是实现可靠性封接的关键因素。
A.管帽变形 B.镀金层的变形 C.底座变形
30、单项选择题 反应离子腐蚀是()。
A.化学刻蚀机理 B.物理刻蚀机理 C.物理的溅射刻蚀和化学的反应刻蚀相结合
31、单项选择题 禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难易,一般半导体材料的禁带宽度越宽,所制作的半导体器件中的载流子()外界因素(如高温和辐射等)的干扰而产生变化。
A.越不容易受 B.越容易受 C.基本不受
32、单项选择题 非接触式厚膜电路丝网印刷时,丝网与基片之间有一定的距离,称为间隙,通常为()。
A.小于0.1mm B.0.5~2.0mm C.大于2.0mm
33、单项选择题 平行缝焊的工艺参数有焊接电流、焊接速度、焊轮压力和焊轮椎顶角。焊轮压力影响盖板和焊环之间高阻点的()。压力太大,电阻值下降,对形成焊点不利,焊轮压力太小,则造成接触不良,不但形不成良好点。
A.电流值 B.电阻值 C.电压值
34、单项选择题 金属封装主要采用金属和玻璃密封工艺,金属作封装底盘、管帽和引线,()做绝缘和密封。
A.塑料 B.玻璃 C.金属
35、判断题 没有经济收入或交纳党费有困难的党员,由本人提出申请,经党支部委员会同意,可以少交或免交。
36、问答题 单晶片切割的质量要求有哪些?
37、填空题 离子注入杂质浓度分布中最重要的二个射程参数是()和()。
38、填空题 最常用的金属膜制备方法有()加热蒸发、()蒸发、()。
39、填空题 硅片减薄腐蚀液为氢氟酸和硝酸系腐蚀液。砷化镓片用()系、氢氧化氨系蚀腐蚀液。
40、单项选择题 双极晶体管的1c7r噪声与()有关。
A.基区宽度 B.外延层厚度 C.表面界面状态
41、单项选择题 在突缘电阻焊工艺中,要获得良好的焊接质量,必须确定的基本规范包括()
A.焊接电流、焊接电压和电极压力 B.焊接电流、焊接时间和电极压力 C.焊接电流、焊接电压和焊接时间
42、填空题 钎焊包括合金烧结、共晶焊;聚合物焊又可分为()、()等。
43、单项选择题 外壳设计包括()设计、热性能设计和结构设计三部分,而可靠性设计也包含在这三部分中间。
A.电性能 B.电阻 C.电感
44、问答题 简述你所在工艺的工艺质量要求?你如何检查你的工艺质量?
45、单项选择题 常用胶粘剂有热固性树脂、热塑性树脂和橡胶型胶粘剂3大类。半导体器件的粘封工艺一般选用()。
A.热塑性树脂 B.热固性或橡胶型胶粘剂
46、单项选择题 双极晶体管的高频参数是()。
A.hFEVces B.BVce C.ftfm
47、单项选择题 变容二极管的电容量随()变化。
A.正偏电流 B.反偏电压 C.结温
48、单项选择题 厚膜元件烧结时,浆料中的固体颗粒由接触到结合、自由表面的收缩、空隙的排除、晶体缺陷的消除等都会使系统的自由能(),从而使系统转变为热力学中更稳定的状态。
A.降低 B.升高 C.保持不变
49、填空题 热分解化学气相淀积二氧化硅是利用()化合物,经过热分解反应,在基片表面淀积二氧化硅。
50、单项选择题 溅射法是由()轰击靶材表面,使靶原子从靶表面飞溅出来淀积在衬底上形成薄膜。
A.电子 B.中性粒子 C.带能离子
51、填空题 厚膜混合集成电路的基片种类很多,目前常用的有:氧化铝陶瓷,(),氮化铝(A1N)陶瓷。