1、单项选择题 常用胶粘剂有热固性树脂、热塑性树脂和橡胶型胶粘剂3大类。半导体器件的粘封工艺一般选用（）。
A.热塑性树脂 B.热固性或橡胶型胶粘剂
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2、单项选择题 pn结的击穿电压和反向漏电流既是晶体管的重要直流参数，也是评价（）的重要标志。
A.扩散层质量 B.设计 C.光刻
3、单项选择题 双极晶体管的高频参数是（）。
A.hFEVces B.BVce C.ftfm
4、填空题 外壳设计包括电性能设计、热性能设计和结构设计三部分，而（）设计也包含在这三部分中间。
5、单项选择题 金属封装主要用于混合集成电路封装，外壳零件一般有底盘、管帽、引线和玻璃绝缘子组成。底盘、管帽和引线的材料常常是（）。
A.合金A-42 B.4J29可伐 C.4J34可伐
6、填空题 铝丝与铝金属化层之间用加热、加压的方法不能获得牢固的焊接，甚至根本无法实现焊接的原因是铝的表面在空气中极易生成一层（），它们阻挡了铝原子之间的紧密接触，达不到原子之间引力范围的间距。
7、填空题 半导体材料可根据其性能、晶体结构、结晶程度、化学组成分类。比较通用的则是根据其化学组成可分为（）半导体、（）半导体、固溶半导体三大类。
8、填空题 杂质原子在半导体中的扩散机理比较复杂，但主要可分为（）扩散和（）扩散两种。
9、填空题 禁带宽度的大小决定着（）的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子就越不易受到外界因素，如高温和辐射等的干扰而产生变化。
10、填空题 半导体集成电路生产中，元件之间隔离有（）（）（）隔离等三种基本方法.
11、单项选择题 外壳设计包括（）设计、热性能设计和结构设计三部分，而可靠性设计也包含在这三部分中间。
A.电性能 B.电阻 C.电感
12、填空题 热分解化学气相淀积二氧化硅是利用（）化合物，经过热分解反应，在基片表面淀积二氧化硅。
13、问答题 有哪几种常用的化学气相淀积薄膜的方法？
14、填空题 芯片焊接质量通常进行镜检和（）两项试验。
15、单项选择题 金属封装主要采用金属和玻璃密封工艺，金属作封装底盘、管帽和引线，（）做绝缘和密封。
A.塑料 B.玻璃 C.金属
16、填空题 延生长方法比较多，其中主要的有（）外延、（）外延、金属有机化学气相外延、（）外延、原子束外延、固相外延等。
17、单项选择题 器件的横向尺寸控制几乎全由（）来实现。
A.掩膜版 B.扩散 C.光刻
18、单项选择题 厚膜元件烧结时，浆料中的固体颗粒由接触到结合、自由表面的收缩、空隙的排除、晶体缺陷的消除等都会使系统的自由能（），从而使系统转变为热力学中更稳定的状态。
A.降低 B.升高 C.保持不变
19、问答题 洁净区工作人员应注意些什么？
20、单项选择题 非接触式厚膜电路丝网印刷时，丝网与基片之间有一定的距离，称为间隙，通常为（）。
A.小于0.1mm B.0.5～2.0mm C.大于2.0mm
21、填空题 钎焊包括合金烧结、共晶焊；聚合物焊又可分为（）、（）等。
22、单项选择题 在低温玻璃密封工艺中，常用的运载剂由2％（质量比）的硝化纤维素溶解于98％（质量比）的醋酸异戊酯或松油醇中制得，再将20％的运载剂与（）的玻璃料均匀混合，配成印刷浆料。
A.80％～90％ B.10％～20％ C.40％-50％
23、填空题 外延层的迁移率低的因素有原材料纯度（）；反应室漏气；外延层的晶体（）；系统沾污等；载气纯度不够；外延层晶体缺陷多；生长工艺条件不适宜。
24、填空题 金丝球焊的优点是无方向性，键合强度一般（）同类电极系统的楔刀焊接。
25、问答题 简述在芯片制造中对金属电极材料有什么要求？
26、填空题 钎焊密封工艺主要工艺条件有钎焊气氛控制、温度控制和密封腔体内（）控制。
27、单项选择题 在突缘电阻焊工艺中，要获得良好的焊接质量，必须确定的基本规范包括（）
A.焊接电流、焊接电压和电极压力 B.焊接电流、焊接时间和电极压力 C.焊接电流、焊接电压和焊接时间
28、填空题 二氧化硅的制备方法很多，其中最常用的是高温（）、（）淀积、PECVD淀积。
29、判断题 没有经济收入或交纳党费有困难的党员，由本人提出申请，经党支部委员会同意，可以少交或免交。
30、填空题 硅片减薄腐蚀液为氢氟酸和硝酸系腐蚀液。砷化镓片用（）系、氢氧化氨系蚀腐蚀液。
31、填空题 厚膜混合集成电路的基片种类很多，目前常用的有：氧化铝陶瓷，（），氮化铝（A1N）陶瓷。
32、单项选择题 禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子（）外界因素（如高温和辐射等）的干扰而产生变化。
A.越不容易受 B.越容易受 C.基本不受
33、单项选择题 半导体分立器件、集成电路对外壳的主要要求之一是：良好的热性能。外壳应有小的（），使芯片的热量有效地散逸出去，保证器件在正常结温下工作。
A.热阻 B.阻抗 C.结构参数
34、单项选择题 变容二极管的电容量随（）变化。
A.正偏电流 B.反偏电压 C.结温
35、单项选择题 反应离子腐蚀是（）。
A.化学刻蚀机理 B.物理刻蚀机理 C.物理的溅射刻蚀和化学的反应刻蚀相结合
36、填空题 如果热压楔形键合小于引线直径1．5倍或大于3．0倍，其长度小于1．5倍或大于6．0倍，判引线键合（）。
37、单项选择题 双极晶体管的1c7r噪声与（）有关。
A.基区宽度 B.外延层厚度 C.表面界面状态
38、问答题 简述你所在工艺的工艺质量要求？你如何检查你的工艺质量？
39、问答题 引线焊接有哪些质量要求？
40、单项选择题 超声热压焊的主要应用对象是超小型镀金外壳与镀金管帽的焊接，焊接处依靠（）封接，因而外壳零件的平整度和镀金层厚度是实现可靠性封接的关键因素。
A.管帽变形 B.镀金层的变形 C.底座变形
41、填空题 最常用的金属膜制备方法有（）加热蒸发、（）蒸发、（）。
42、单项选择题 塑封中注塑成型工艺主要工艺参数有（）、模具温度、合模压力、注射压力、注射速度和成型时间。
A.准备工具 B.准备模塑料 C.模塑料预热
43、单项选择题 平行缝焊的工艺参数有焊接电流、焊接速度、焊轮压力和焊轮椎顶角。焊轮压力影响盖板和焊环之间高阻点的（）。压力太大，电阻值下降，对形成焊点不利，焊轮压力太小，则造成接触不良，不但形不成良好点。
A.电流值 B.电阻值 C.电压值
44、填空题 气中的一个小尘埃将影响整个芯片的（）性、（）率，并影响其电学性能和（）性，所以半导体芯片制造工艺需在超净厂房内进行。
45、问答题 简述光刻工艺原理及在芯片制造中的重要性？
46、问答题 粘封工艺中，常用的材料有哪几类？
47、问答题 什么叫晶体缺陷？
48、问答题 单晶片切割的质量要求有哪些？
49、单项选择题 恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为（）分布。
A.高斯 B.余误差 C.指数
50、填空题 离子注入杂质浓度分布中最重要的二个射程参数是（）和（）。
51、单项选择题 溅射法是由（）轰击靶材表面，使靶原子从靶表面飞溅出来淀积在衬底上形成薄膜。
A.电子 B.中性粒子 C.带能离子
