1、单项选择题 目前，最广泛使用的退火方式是（）。
A.热退火 B.激光退火 C.电子束退火 D.离子束退火
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2、单项选择题 用真空蒸发与溅射法在硅片或二氧化硅膜上涂敷金属材料，是形成电极的（）。
A.重要步骤 B.次要步骤 C.首要步骤 D.不一定
3、多项选择题 二氧化硅薄膜厚度的测量方法有（）。
A.比色法 B.双光干涉法 C.椭圆偏振光法 D.腐蚀法 E.电容-电压法
4、单项选择题 在空位扩散中，如果迁移的空位的原子是杂质原子，扩散称为（）。
A.填隙扩散 B.杂质扩散 C.推挤扩散 D.自扩散
5、单项选择题 下列材料中电阻率最低的是（）。
A.铝 B.铜 C.多晶硅 D.金
6、单项选择题 刻蚀要求在整个晶圆上有一个均匀的刻蚀速率，（）是在晶圆上由测量刻蚀过程前后特定点的厚度，并计算这些点的刻蚀速率而得到的。
A.选择性 B.均匀性 C.轮廓 D.刻蚀图案
7、多项选择题 关于正胶和负胶的特点，下列说法正确的是（）。
A.正胶在显影时不会发生膨胀，因此分辨率高于负胶 B.正胶的感光区域在显影时不溶解，负胶的感光区域在显影时溶解 C.负胶在显影时不会发生膨胀，因此分辨率不会降低 D.正胶的感光区域在显影时溶解，负胶的感光区域在显影时不溶解 E.负胶在显影时会发生膨胀，导致了分辨率的降低
8、多项选择题 扩散工艺使杂质由半导体晶片表面向内部扩散，改变了晶片（），所以晶片才能被人们所使用。
A.内部的杂质分布 B.表面的杂质分布 C.整个晶体的杂质分布 D.内部的导电类型 E.表面的导电类型
9、多项选择题 干氧氧化法具备以下一系列的优点（）。
A.生长的二氧化硅薄膜均匀性好 B.生长的二氧化硅干燥 C.生长的二氧化硅结构致密 D.生长的二氧化硅是很理想的钝化膜 E.生长的二氧化硅掩蔽能力强
10、多项选择题 树脂使用过程中需保持一定温度，阳树脂和阴树脂分别不能高于（）度，使用温度不能过低，低于0度会使树脂冻裂。
A.80 B.60 C.40 D.20 E.10
11、单项选择题 下列哪些元素在硅中是快扩散元素：（）。
A.Na B.B C.P D.As
12、单项选择题 离子源的作用是使所需要的杂质原子电离成（）离子，并通过一个引出系统形成离子束。
A.正 B.负 C.中性 D.以上答案都可以
13、单项选择题 由于水中阴阳离子都有导电能力，所以水的（）越高，水中离子数就越少。
A.电阻率 B.电导率 C.电阻 D.电导
14、单项选择题 一般分析扩散系数，考虑两种条件，即恒定表面浓度条件和（）。
A.恒定总掺杂剂量 B.不恒定总掺杂剂量 C.恒定杂志浓度 D.不恒定杂志浓度
15、单项选择题 在热扩散工艺中的预淀积步骤中，砷和锑的扩散温度为（）。
A.1050～1200℃ B.900～1050℃ C.1100～1250℃ D.1200～1350℃
16、单项选择题 我们可以通过简单的结深测量和（）测量来获得扩散层的重要信息。
A.横向电阻 B.平均电阻率 C.薄层电阻 D.扩展电阻
17、多项选择题 下列物质中是结晶形态二氧化硅的有（）。
A.硅土 B.石英 C.磷石英 D.玻璃 E.水晶
18、单项选择题 用高能粒子从某种物质的表面撞击出原子的物理过程叫（）。
A.蒸镀 B.离子注入 C.溅射 D.沉积
19、单项选择题 采用热氧化方法制备的二氧化硅从结构上看是（）的。
A.结晶形态 B.非结晶形态 C.可能是结晶形态的，也可能是非结晶形态的 D.以上都不对
20、多项选择题 扩散工艺在现在集成电路工艺中仍然是是一项重要的集成电路工艺，现在主要被用来制作（）。
A.埋层 B.外延 C.PN结 D.扩散电阻 E.隔离区
21、单项选择题 采用热氧化方法制备的二氧化硅从结构上看是（）的。
22、单项选择题 悬浮在空气中的颗粒称为（）。
A.悬浮物 B.尘埃 C.污染颗粒 D.浮质
23、单项选择题 复合床和混合床可以串联使用。复合床就是指将阳树脂和阴树脂分别装在两个（）内串接起来。
A.交换柱 B.混合床 C.混合柱 D.复合柱
24、单项选择题 离子注入装置的主要部件有（）、分析器、加速聚焦系统等。
A.中子源 B.离子源 C.电子源 D.质子源
25、单项选择题 一般来说，我们用一定量的（）使阳树脂再生。
A.硝酸 B.硫酸 C.盐酸 D.磷酸
26、单项选择题 下列几种氧化方法相比，哪种方法制得的二氧化硅薄膜的电阻率会高些（）。
A.干氧氧化 B.湿氧氧化 C.水汽氧化 D.与氧化方法无关
27、单项选择题 扩散炉中的管道一般都是用（）制作。
A.陶瓷 B.玻璃 C.石英 D.金属
28、单项选择题 请在下列选项中选出多晶硅化金属的英文简称：（）。
A.Oxide B.Nitride C.Silicide D.Polycide
29、单项选择题 以下属于口腔医务人员个人保护措施的是（）
A.手套 B.口罩 C.防护镜 D.保护性工作服 E.以上均是
30、多项选择题 在半导体工艺中，如果淀积的薄膜不是连续的，存在一些空隙，则（）。
A.使薄膜的介电常数变大 B.可能引入杂质 C.可能使薄膜层间短路 D.使薄膜介电常数变小 E.可能使薄膜厚度增加
31、单项选择题 在确定扩散率的测结深实验中，结深的测量是采用HF和（）的混和液对磨斜角进行化学染色的。
A.乙醇 B.HCL C.H2SO4 D.HNO3
32、单项选择题 将具有交换能力的阳树脂和阴树脂按一定比例混合后，装在聚氯乙稀或有机玻璃做的圆柱形交换柱内，自来水（）通过交换柱就能称为高纯度去离子水。
A.自上而下 B.自下而上 C.自左而右 D.自右而左
33、单项选择题 在生产过程中必须使用（）来完成浅沟槽隔离STI。
A.单晶硅刻蚀 B.多晶硅刻蚀 C.二氧化硅刻蚀 D.氮化硅刻蚀
34、单项选择题 当热氧化的最初阶段，（）为限制反应速率的主要原因。
A.温度 B.硅-二氧化硅界面处的化学反应 C.氧的扩散速率 D.压力
35、单项选择题 下面那一种薄膜工艺中底材会被消耗（）。
A.薄膜沉积 B.薄膜成长 C.蒸发 D.溅射
36、单项选择题 刻蚀是把进行光刻前所沉积的薄膜厚度约在数千到数百A之间中没有被（）覆盖及保护的部分，以化学作用或是物理作用的方式加以去除，以完成转移掩膜图案到薄膜上面的目的。
A.二氧化硅 B.氮化硅 C.光刻胶 D.去离子水
37、多项选择题 晶片经过显影后进行坚膜，坚膜的主要作用有（）。
A.除去光刻胶中剩余的溶剂 B.增强光刻胶对晶片表面的附着力 C.提高光刻胶的抗刻蚀能力 D.有利于以后的去胶工序 E.减少光刻胶的缺陷
38、单项选择题 铜互连金属多层布线中，磨料的粒径一般为（）。
A.5~10nm B.20~30nm C.50~80nm D.100~200nm
39、单项选择题 为了保证保护装置能可靠地动作，27.5A的接地电流只能保证断开动作电流不超过多少的继电保护装置。（）
A.18.3A B.13.8A C.11A D.9.2A
40、单项选择题 电子束蒸发的设备中产生电子束的装置称为（）。
A.电子源 B.电子泵 C.电子管 D.电子枪
41、单项选择题 离子束的引出系统的间接引出系统中，阳极和插入电极之间形成一个离子密度较（）的等离子体。
A.低 B.高 C.均匀 D.不均匀
42、单项选择题 静电偏转电极和静电扫描器都是（）电容器。
A.片状 B.针尖状 C.圆筒状 D.平行板
43、多项选择题 有关光刻胶的显影下列说法错误的是（）。
A.负胶受显影液的影响比较小 B.正胶受显影液的影响比较小 C.正胶的曝光区将会膨胀变形 D.使用负胶可以得到更高的分辨率 E.负胶的曝光区将会膨胀变形
44、单项选择题 在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，CA的含义是（）。
A.化学增强 B.化学减弱 C.厚度增加 D.厚度减少
45、单项选择题 半导体硅常用的施主杂质是（）。
A.锡 B.硫 C.硼 D.磷
46、单项选择题 离子从进入靶起到停止点所通过的总路程称作（）。
A.离子距离 B.靶厚 C.射程 D.注入深度
47、多项选择题 超大规模集成电路需要光刻工艺具备的要求有（）。
A.高分辨率 B.高灵敏度 C.精密的套刻对准 D.大尺寸 E.低缺陷
48、单项选择题 如果磷在二氧化硅中扩散，对扩散率影响最大的因素是：（）。
A.扩散剂总量 B.压强 C.温度 D.浓度
49、单项选择题 金相学的研磨之所以会在研磨面上造成如刮伤般的痕迹是由于在制程中（）。
A.氧化铬磨料溶水制成的研磨液 B.使用羊毛研磨垫 C.采用旋转研磨垫加压的方法 D.无法必免的机械损耗
50、单项选择题 通常热扩散分为两个大步骤，其中第一个步骤是（）。
A.再分布 B.等表面浓度扩散 C.预淀积 D.等总掺杂剂量扩散
51、单项选择题 电流通过导线时，在导线里因电阻损耗而产生热量，导线的温度就会升高。导线的温度与下列哪项因素无关（）。
A.通过的电流值 B.周围环境的温度 C.散热条件 D.导线长度
52、单项选择题 阳树脂用盐酸做再生液，浓度为（）溶液可用原水配制。
A.5％ B.10% C.15% D.20%
53、单项选择题 干氧氧化法有一些优点，但同时它的缺点有（）。
A.生长出的二氧化硅中引入很多可动离子 B.氧化的速度慢 C.生长的二氧化硅缺陷多 D.生长的二氧化硅薄膜钝化效果差
54、单项选择题 在磁分析器中常用（）分析磁铁。
A.柱形 B.扇形 C.方形 D.圆形
55、单项选择题 离子散射方向与入射方向的夹角，称为（）。
A.渐近角 B.偏折角 C.散射角 D.入射角
56、单项选择题 （）是通过把被蒸物体加热，利用被蒸物在高温时的饱和蒸汽压来进行薄膜沉积的。
A.蒸镀 B.溅射 C.离子注入 D.CVD
57、单项选择题 在集成电路工艺中，光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是（）。
A.刻蚀 B.氧化 C.淀积 D.光刻
58、多项选择题 通常情况下，我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）的刻蚀速率尽量低。
A.光刻胶 B.衬底 C.表面硅层 D.扩散区 E.源漏区
59、单项选择题 半导体硅常用的受主杂质是（）。
60、多项选择题 光刻胶的光学稳定通过（）来完成的。
A.红外线辐射 B.X射线照射 C.加热 D.紫外光辐射 E.电子束扫描
61、单项选择题 TCP/IP协议中的TCP相当于OSI中的（）。
A.应用层 B.网络层 C.物理层 D.传输层
62、单项选择题 硅-二氧化硅系统中含有的最主要而对器件稳定性影响最大的离子是（）。
A.钠 B.钾 C.氢 D.硼
63、单项选择题 二氧化硅薄膜的折射率是表征其（）学性质的重要参数。
A.电 B.磁 C.光 D.热
64、单项选择题 point defect的意思是（）。
A.点缺陷 B.线缺陷 C.面缺陷 D.缺失的点
65、单项选择题 电离气体与普通气体的不同之处在于：后者是由电中性的分子或原子组成的，前者则是（）和中性粒子组成的集合体。
A.离子 B.原子团 C.电子 D.带电粒子
66、单项选择题 大硅片上生长的（）的不均匀和各个部位刻蚀速率的不均匀会导致刻蚀图形转移的不均匀性。
A.薄膜厚度 B.图形宽度 C.图形长度 D.图形间隔
67、多项选择题 关于正胶和负胶在显影时的特点，下列说法正确的是（）。
A.负胶的感光区域溶解 B.正胶的感光区域溶解 C.负胶的感光区域不溶解 D.正胶的感光区域不溶解 E.负胶的非感光区域溶解
68、单项选择题 由静电释放产生的电流泄放最大电压可以达（）。
A.几伏 B.几十伏 C.几百伏 D.几万伏
69、单项选择题 请在下列选项中选出硅化金属的英文简称：（）。
70、单项选择题 光刻的主要工艺流程按照操作顺序是（）。
A.涂胶、前烘、曝光、坚膜、显影、去胶 B.涂胶、前烘、坚膜、曝光、显影、去胶 C.涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、去胶 D.前烘、涂胶、曝光、坚膜、显影、去胶
71、单项选择题 （）是与气体辉光放电现象密切想关的一种薄膜淀积技术。
72、多项选择题 净化室里废气收集管系统分为两类，分别是（）。
A.一般排气系统 B.特殊排气系统 C.制程排气系统 D.专用排气系统 E.排气排水系统
73、单项选择题 He，OH，Na等元素在900℃下，在二氧化硅中的扩散率大于10－13cm2/s，这些元素称为（）。
A.活跃杂质 B.快速扩散杂质 C.有害杂质 D.扩散杂质
74、单项选择题 dry vacuum pump的意思是（）。
A.扩散泵 B.谁循环泵 C.干式真空泵 D.路兹泵
75、单项选择题 由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的，所以其（）就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。
A.刻蚀速率 B.选择性 C.各向同性 D.各向异性
76、单项选择题 溅镀法，因为其阶梯覆盖的能力不良，很容易造成因填缝不完全所留下的（）。
A.鸟嘴 B.空洞 C.裂痕 D.位错
77、多项选择题 半导体芯片生产中，离子注入主要是用来（）。
A.氧化 B.改变导电类型 C.涂层 D.改变材料性质 E.镀膜
78、多项选择题 真空镀膜室是由（）几部分组成。
A.钟罩 B.蒸气源加热器 C.衬底加热器 D.活动挡板 E.底盘
79、多项选择题 哪种方法可以增加缺陷的积累率而降低临界注入量：（）。
A.低温注入 B.常温注入 C.高温注入 D.分子注入 E.双注入
80、单项选择题 有机性气体大多产生在下列哪道工艺（）。
A.离子注入 B.刻蚀 C.扩散 D.光刻
81、单项选择题 （）方法是大规模集成电路生产中用来沉积不同金属的应用最为广泛的技术。
82、多项选择题 （）的方法有利于减少热预算。
A.高压氧化 B.湿氧氧化 C.掺氯氧化 D.氢氧合成氧化 E.等离子增强氧化
83、单项选择题 在IC芯片生长中浅沟槽隔离技术STI逐渐取代了局部氧化LOCOS所制成的（）而成为相邻电子元件的绝缘体
A.栅氧化层 B.沟槽 C.势垒 D.场氧化层
84、单项选择题 在直流二极管辉光放电系统的玻璃管中，自由电子在碰撞氩原子之前可运动的平均距离又叫（）。
A.平均运动范围 B.平均速度 C.平均碰撞距离 D.平均自由程
85、单项选择题 扩散工艺现在广泛应用于制作（）。
A.晶振 B.电容 C.电感 D.PN结
86、单项选择题 铜与氯形成的化合物挥发能力不好，因而铜的刻蚀无法以化学反应来进行，而必须施以（）。
A.等离子体刻蚀 B.反应离子刻蚀 C.湿法刻蚀 D.溅射刻蚀
87、单项选择题 菲克一维扩散定律公式中的J是代表单位面积溶质（）。
A.传输率 B.载流子浓度 C.扩散梯度 D.扩散系数
88、多项选择题 从电极的结构看，溅射的方法包括（）。
A.直流溅射 B.交流溅射 C.二级溅射 D.三级溅射 E.四级溅射
89、单项选择题 奉献社会的实质是（）。
A.获得社会的好评 B.尽社会义务 C.不要回报的付出 D.为人民服务
90、单项选择题 如果固体中的原子排列情况是紊乱的，就称之为（）。
A.单晶靶 B.超晶靶 C.多晶靶 D.非晶靶
91、单项选择题 危害半导体工艺的典型金属杂质是（）。
A.2族金属 B.碱金属 C.合金金属 D.稀有金属
92、单项选择题 （）是测量在刻蚀过程中物质被移除的速率有多快的一种参数。
A.刻蚀速率 B.刻蚀深度 C.移除速率 D.刻蚀时间
93、单项选择题 分析器是一种（）分选器。
A.电子 B.中子 C.离子 D.质子
94、多项选择题 解决氧化层中的钠离子沾污的方法有（）。
A.加强工艺操作 B.加强人体和环境卫生 C.使用高纯化学试剂、高纯水和超净设备 D.采用HCl氧化工艺 E.硅片清洗后，要充分烘干，表面无水迹
95、多项选择题 沾污是指半导体制造过程中引入半导体硅片的任何危害微芯片（）的不希望有的物质。
A.功能 B.成品率 C.物理性能 D.电学性能 E.外观
96、单项选择题 当二氧化硅膜很薄时，膜厚与时间（）。
A.t2成正比 B.t2成反比 C.t成正比 D.t成反比
97、单项选择题 不可以对SiO2进行干法刻蚀所使用的气体是（）。
A.CHF3 B.C2F6 C.C3F8 D.HF
98、多项选择题 下列扩散杂质源中，（）不仅是硅常用的施主杂质，也是锗常用的施主杂质。
A.硼 B.锡 C.锑 D.磷 E.砷
99、单项选择题 在确定扩散率的实验中，扩散层电阻的测量可以用（）测量。
A.SIMS技术 B.扩展电阻技术 C.微分电导率技术 D.四探针技术
100、多项选择题 一般来说，溅射镀膜的过程包括（）这几步。
A.产生一个离子并导向靶 B.被轰击的原子向硅晶片运动 C.离子把靶上的原子轰出来 D.经过加速电场加速 E.原子在硅晶片表面凝结
101、单项选择题 引出系统要求能引出分散性较好的强束流，还希望具有较（）的气阻。
A.无序 B.稳定 C.小 D.大
102、单项选择题 降低靶的温度，有利于非晶层的形成，所以临界注入量随之（）。
A.增大 B.减小 C.不变 D.变为0
103、单项选择题 真空蒸发又被人们称为（）。
A.真空沉积 B.真空镀膜 C.真空外延 D.真空
104、多项选择题 以（）等两层材料所组合而成的导电层便称为Polycide。
A.单晶硅 B.多晶硅 C.硅化金属 D.二氧化硅 E.氮化硅
105、单项选择题 在实际工作中，常常需要知道离子注入层内损伤量按（）的分布情况。
A.长度 B.深度 C.宽度 D.表面平整度
106、多项选择题 在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，它的优点在于（）。
A.CA光刻胶对深紫外光吸收小 B.CA光刻胶将吸收的光子能量发生化学转化 C.CA光刻胶在显影液中的可溶性强 D.有较高的光敏度 E.有较高的对比度
107、单项选择题 买来的新树脂往往是Na型或Cl型，新树脂使用前必须分别用酸（阳树脂），碱（阴树脂）浸泡约（）个小时，把Na型或Cl型转换成H型或OH型。
A.3 B.4 C.5 D.6
108、多项选择题 在对层间绝缘膜进行CMP时，层间绝缘膜的表面会随下列那些因素产生变化（）。
A.电路图形结构的凹凸 B.尺寸大小 C.位置分布 D.高度 E.密集程度
109、单项选择题 二氧化硅生长过程中，当分凝系数小于1时，会使二氧化硅-硅界面处硅一侧的杂质浓度（）。
A.降低 B.增加 C.不变 D.先降低后增加
110、单项选择题 （）的气体源中一般包含H+，C+，B+，Cl+，O+等离子。
A.Cl2 B.BCl3 C.CO2 D.H2
111、单项选择题 单晶硅刻蚀一般采用（）做掩蔽层，以氟化氢为主要的刻蚀剂，氧气为侧壁钝化作用的媒介物。
A.氮化硅 B.二氧化硅 C.光刻胶 D.多晶硅
112、多项选择题 下列可作为磷扩散源的是（）。
A.磷钙玻璃 B.三氯氧磷 C.三氯化磷 D.磷烷 E.掺磷二氧化硅乳胶源
113、单项选择题 真空镀膜室中的钟罩与底盘构成（）。
A.衬底加热器 B.抽气系统 C.真空室 D.蒸气源加热器
114、多项选择题 净化室将硅片制造设备与外部环境隔离，免受诸如（）的沾污。
A.颗粒 B.金属 C.有机分子 D.静电释放（ESD） E.水
115、单项选择题 早期，研究离子注入技术是用（）来进行的。
A.重离子加速器 B.热扩散炉 C.质子分析仪 D.轻离子分析器
116、多项选择题 涂胶之前，要保证晶片的质量以及涂胶工序的顺利进行，下列操作正确的是（）。
A.进行去水烘烤以保证晶片干燥 B.在晶片表面涂上增粘剂以保证晶片黏附性好 C.刚刚处理好的晶片应立即涂胶 D.贮存的晶片在涂胶前必须再次清洗及干燥 E.也可以直接使用贮存的晶片
117、单项选择题 （）主要是以化学反应方式来进行薄膜沉积的。
A.PVD B.CVD C.溅射 D.蒸发
118、单项选择题 （）就是用功率密度很高的激光束照射半导体表面，使其中离子注入层在极短的时间内达到高温，消除损伤。
A.热退火 B.激光退火 C.连续激光退火 D.脉冲激光退火
119、单项选择题 在空位扩散中，如果迁移到空位的原子是基质原子，扩散属于（）。
A.推挤扩散 B.杂质扩散 C.填隙扩散 D.自扩散
120、单项选择题 物理气相沉积简称（）。
A.LVD B.PED C.CVD D.PVD
121、单项选择题 在VLSI工艺中，常用的前烘方法是（）。
A.热空气对流法 B.真空热平板传导法 C.红外线辐射法 D.射频感应加热法
122、多项选择题 晶片表面上的粒子是通过（）到达晶片的表面。
A.粒子扩散 B.从气体源通过强迫性的对流传送 C.化学反应 D.被表面吸附 E.静电吸引
123、多项选择题 溅射的方法非常多其中包括（）。
A.直流溅射 B.交流溅射 C.反应溅射 D.二级溅射 E.三级溅射
124、单项选择题 固体中的扩散模型主要有填隙机制和（）。
A.自扩散机制 B.杂质扩散机制 C.空位机制 D.菲克扩散方程机制
125、单项选择题 电气测量仪表中，整流式对电流的种类与频率的适用范围是（）。
A.直流 B.工频及较高频率的交流 C.直流及工频交流 D.直流及工频与较高频率的交流
126、单项选择题 真空镀膜室内，在蒸发源加热器与衬底加热器之间装有活动挡板，用来（）。
A.隔挡气体交换 B.控制蒸发的过程 C.辅助热量交换 D.温度调节
127、单项选择题 检验水中是否有盐酸，可用（）溶液滴入水中，如果出现白色沉淀，就表示水中有盐酸。
A.氧化铜 B.硝酸镁 C.硝酸银 D.氯化铜
128、单项选择题 在刻蚀（）过程中假如我们在CF5的等离子体内加入适量的氧气，能够提高刻蚀的速率。
A.铜 B.铝 C.金 D.二氧化硅
129、多项选择题 （）专指薄膜形成的过程中，并不消耗晶片或底材的材质。
A.薄膜成长 B.蒸发 C.薄膜沉积 D.溅射 E.以上都正确
130、单项选择题 硅烷的分子式是（）。
A.SiF4 B.SiH4 C.CH4 D.SiC
131、单项选择题 在各种离子源常用的放电方式中，EOS是指有（）。
A.电子振荡放电 B.离子自动放电 C.低电压弧光放电 D.双等离子电弧放电
132、单项选择题 涂胶以后的晶片，需要在一定的温度下进行烘烤，这一步骤称为（）。
A.后烘 B.去水烘烤 C.软烤 D.烘烤
133、单项选择题 在酸性浆料中，最常使用的氧化剂为（）。
A.硝酸 B.硝酸铜 C.硫酸 D.磺酸
134、多项选择题 薄膜沉积的机构包括那些步骤（）。
A.形成晶核 B.晶粒成长 C.晶粒凝结 D.缝道填补 E.沉积膜成长
135、多项选择题 电气测量仪表若按照电流的种类来分，有（）。
A.低压仪表 B.高压仪表 C.直流仪表 D.交流仪表 E.交直流仪表
136、单项选择题 多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对（）的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。
A.二氧化硅 B.氮化硅 C.单晶硅 D.多晶硅
137、多项选择题 静电释放带来的问题有哪些（）。
A.金属电迁移 B.金属尖刺现象 C.芯片产生超过1A的峰值电流 D.栅氧化层击穿 E.吸引带电颗粒或极化并吸引中性颗粒到硅片表面
138、单项选择题 在新一代的CMP中，有使用（）磨料在金属表面上形成软质皮膜并加以去除的趋势。
A.二氧化锰 B.铝 C.氧化铬 D.金刚石
139、单项选择题 硅晶片上之所以可以产生薄膜，出始于布满在晶片表面的许多气体分子或其它粒子，它们主要是通过（）到达晶片表面的。
A.粒子的扩散 B.化学反应 C.从气体源通过强迫性的对流传送 D.被表面吸附
140、多项选择题 二氧化硅膜的质量要求有（）。
A.薄膜表面无斑点 B.薄膜中的带电离子含量符合要求 C.薄膜表面无针孔 D.薄膜的厚度达到规定指标 E.薄膜厚度均匀，结构致密
141、单项选择题 当注入剂量增加到某个值时，损伤量不再增加，趋于饱和。饱和正是对应连续（）的形成。
A.非晶层 B.单晶层 C.多晶层 D.超晶层
142、多项选择题 空气污染物按照处理性质来分：有（）。
A.酸碱性气体 B.有机性气体 C.特殊毒性气体 D.水蒸汽 E.中性气体
143、多项选择题 下列哪些因素会影响临界注入量的大小：（）。
A.注入离子的质量 B.靶的种类 C.注入温度 D.注入速度 E.注入剂量
144、多项选择题 在半导体工艺中，与氮化硅比较，二氧化硅更适合应用在（）。
A.晶圆顶层的保护层 B.多层金属的介质层 C.多晶硅与金属之间的绝缘层 D.掺杂阻挡层 E.晶圆片上器件之间的隔离
145、单项选择题 激光退火目前有（）激光退火两种。
A.一般和特殊 B.脉冲和连续 C.高温和低温 D.快速和慢速
146、单项选择题 沾污引起的电学缺陷引起（），硅片上的管芯报废以及很高的芯片制造成本。
A.不会影响成品率 B.晶圆缺陷 C.成品率损失 D.晶圆损失
147、单项选择题 在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在950～1100℃的条件下，扩散时间大约（）为宜。
A.4～6h B.50min～2h C.10～40min D.5～10min
148、单项选择题 离子束垂直进入均匀的正交磁场后，将同时受到电场力和（）的作用。
A.洛仑兹力 B.反向的电场力 C.库仑力 D.重力
149、多项选择题 下列物质的等离子体适合用以刻蚀铝合金中硅的有（）。
A.CF4 B.BCl3 C.Cl2 D.F2 E.CHF3
150、单项选择题 薄膜沉积的机构，依发生的顺序，可以分为这几个步骤。其中不包括（）。
A.形成晶核 B.晶粒自旋 C.晶粒凝结 D.缝道填补
151、单项选择题 企业的战略一般由四个要素组成，即经营范围、资源配置、竞争优势以及协同合作，其中协同合作是指企业通过共同的努力达到（）。
A.分力之和大于简单相加的结果 B.分力之和等于简单相加 C.共享开发工具、共享信息 D.共同分担着开发失败的风险
152、单项选择题 干氧氧化中，氧化炉内的气体压力应（）一个大气压。
A.稍高于 B.大大于 C.等于 D.没有要求
153、多项选择题 下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者（）。
A.二氧化硅氮化硅 B.多晶硅硅化金属 C.单晶硅多晶硅 D.铝铜 E.铝硅
154、多项选择题 清洁处理主要使用的是（）。
A.水 B.有机溶剂 C.碱 D.酸 E.盐酸
155、多项选择题 下列有关曝光系统的说法正确的是（）。
A.投影式同接触式相比，掩模版的利用率比较高 B.接触式的分辨率优于接近式 C.接近式的分辨率受到衍射的影响 D.投影式曝光系统中不会产生衍射现象 E.投影式曝光是目前采用的主要曝光系统
156、单项选择题 在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在900～1050℃的条件下，扩散时间大约（）为宜。
157、多项选择题 直流二极管辉光放电系统是由（）构成。
A.抽真空的玻璃管 B.抽真空后再充入某种低压气体的玻璃管 C.两个电极 D.加速器 E.增益管
158、单项选择题 为了解决中性束对注入均匀性的影响，可在系统中设有（），使离子束偏转后再达到靶室。
A.磁分析器 B.正交电磁场分析器 C.静电偏转电极 D.束流分析仪
159、单项选择题 对于浓度覆盖很宽的杂质原子，可以采用（）方法引入到硅片中。
A.离子注入 B.溅射 C.淀积 D.扩散
160、单项选择题 离子源腔体中的气体放电形成（）而引出正离子的。
A.等离子体 B.不等离子体 C.正离子体 D.液电流
161、多项选择题 下列有关ARC工艺的说法正确的是（）。
A.ARC可以是硅的氮化物 B.可用干法刻蚀除去 C.ARC膜可以通过PVD或者CVD的方法形成 D.ARC在刻蚀中也可做为掩蔽层 E.ARC膜也可以通过CVD的方法形成
162、单项选择题 （）是以物理的方法来进行薄膜沉积的一种技术。
A.LPCVD B.PECVD C.CVD D.PVD
163、单项选择题 射程在垂直入射方向的平面内的投影长度称之为（）。
A.投影射程 B.射程纵向分量 C.射程横向分量 D.有效射程
164、单项选择题 在刻蚀二氧化硅过程中假如我们在CF4的（）内加入适量的氢气，能够降低刻蚀的速率。
A.气体 B.等离子体 C.固体 D.液体
165、单项选择题 局域网中使用中继器的作用是（）。
A.可以实现两个以上同类网络的联接 B.可以实现异种网络的互连 C.实现信号的收集、缓冲及格式的变换 D.实现传递信号的放大和整形
166、多项选择题 按加热源的不同，可以分成（）几种不同类型的蒸发。
A.真空蒸发 B.离子束蒸发 C.电子束蒸发 D.粒子束蒸发 E.常压蒸发
167、单项选择题 在深紫外曝光中，需要使用（）光刻胶。
A.DQN B.CA C.ARC D.PMMA
168、多项选择题 在半导体制造中，熔断丝可以应用在（）。
A.MOS栅极 B.保护性元件 C.电容器极板 D.制造只读存储器PROM E.晶圆背面电镀
169、单项选择题 Torr是指（）的单位。
A.真空度 B.磁场强度 C.体积 D.温度
170、单项选择题 损伤的分布与注入离子在在靶内的（）的分布密切相关。
A.能量淀积 B.动量淀积 C.能量振荡 D.动量振荡
171、单项选择题 树脂的外形为（）的球状颗粒。
A.淡黄色或褐色 B.黑色或棕色 C.淡红色或褐色 D.淡蓝色或棕色
172、多项选择题 光刻胶主要由（）等不同材料混合而成的。
A.树脂 B.感光剂 C.HMDS D.溶剂 E.PMMA
173、多项选择题 二氧化硅层中的钠离子可能来源于（）。
A.玻璃器皿 B.高温器材 C.人体沾污 D.化学试剂 E.去离子水
174、单项选择题 静电释放的英文简述为（）。
A.ESC B.SED C.ESD D.SEM
175、单项选择题 通常选熔断器熔断电流为电路额定电流的（）。
A.1～1.8倍 B.1.3～1.8倍 C.1.3～2.1倍 D.1.5～2.3倍
176、单项选择题 由于离子交换树脂反应，它既可以去除水中杂质离子，又可以将失效树脂进行处理，恢复交换能力，所以称为（）反应。
A.置换 B.化学 C.不可逆 D.可逆
177、单项选择题 thermal conductivity gauge的意思是（）。
A.离子计 B.热传导真空计 C.放电型真空计 D.麦克劳式真空计
178、单项选择题 决定吸附原子彼此间能否形成一个稳定的核团，以便于进行凝结的主要因素主宰于所形成的核团是否（）而定。
A.动能最低 B.稳定 C.运动 D.静止
179、多项选择题 按曝光的光源分类，曝光可以分为（）。
A.光学曝光 B.离子束曝光 C.接近式曝光 D.电子束曝光 E.投影式曝光
180、多项选择题 去正胶常用的溶剂有（）
A.丙酮 B.氢氧化钠溶液 C.丁酮 D.甲乙酮 E.热的氯化碳氢化合物
181、单项选择题 晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的（）使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。
A.n型掺杂区 B.P型掺杂区 C.栅氧化层 D.场氧化层
182、单项选择题 当注入剂量增加到某个值时，损伤量不再增加，趋于饱和。开始饱和的注入剂量称为（）。
A.临界剂量 B.饱和剂量 C.无损伤剂量 D.零点剂量
183、单项选择题 （）是因为吸附原子在晶片表面上彼此碰撞并结合所形成的。
A.晶核 B.晶粒 C.核心 D.核团
184、单项选择题 我们可以从测量去离子水的酸度来判别阴阳树脂谁先失效，阴树脂先失效，水呈（）性。
A.酸 B.碱 C.弱酸 D.弱碱
185、单项选择题 下列哪些因素不会影响到显影效果的是（）。
A.显影液的温度 B.显影液的浓度 C.显影液的溶解度 D.显影液的化学成分
186、单项选择题 在半导体器件制造中，对清洗用水的纯度有比较高的要求，要用经过纯化的（）作为清洁用水。
A.蒸馏水 B.自来水 C.去离子水 D.矿泉水
187、多项选择题 微电子领域内，下列测厚仪中属于有台阶的测厚仪为（）。
A.台阶仪 B.干涉显微镜 C.光切显微镜 D.扫描电镜 E.椭偏仪
188、单项选择题 （）是指每个入射离子溅射出的靶原子数。
A.溅射率 B.溅射系数 C.溅射效率 D.溅射比
189、单项选择题 用电容－电压技术来测量扩散剖面分布是用了（）的原理。
A.pn结理论 B.欧姆定律 C.库仑定律 D.四探针技术
190、多项选择题 对于非晶靶，离子注入的射程分布取决于（）。
A.入射离子的能量 B.入射离子的质量 C.入射离子的原子序数 D.靶原子的质量、原子序数、原子密度 E.注入离子的总剂量
191、单项选择题 钠、钾等大离子在二氧化硅结构中是（）杂质。
A.替位式 B.间隙式 C.施主 D.可能是替位式也可能是间隙式
192、单项选择题 为了防止抽气设备对离子注入系统的油污染，可在靶室前增加一个（）或采用无油泵。
A.液氮冷阱 B.净化阱 C.抽气阱 D.无气泵
193、多项选择题 为了满足半导体器件对金属材料的低电阻连接以及可靠的要求，金属材料应该满足（）。
A.低电阻率 B.易与p或n型硅形成欧姆接触 C.可与硅或二氧化硅反应 D.易于光刻 E.便于进行键合
194、单项选择题 晶体中，每个原子在晶格中有一定的平衡位置，原子在此位置时其势能为（）。
A.极大值 B.极小值 C.既不极大也不极小 D.小于动能
195、单项选择题 化合物半导体砷化镓常用的施主杂质是（）。
A.锡 B.硼 C.磷 D.锰
196、多项选择题 铜与铝相比较，其性质有（）。
A.铜的电阻率比铝小 B.铝的熔点较高 C.铝的抗电迁移能力较弱 D.铜与硅的接触电阻较小 E.铜可以在低温下淀积
197、单项选择题 用g线和i线进行曝光时通常使用哪种光刻胶（）。
A.ARC B.HMDS C.正胶 D.负胶
198、多项选择题 离子注入的主要气体源中，易燃、易爆的有（）。
A.砷化氢 B.二硼化氢 C.三氟化硼 D.硅烷 E.氧气
199、单项选择题 在将清洗完的硅片放进扩散炉扩散时，需要将硅片先装入（），然后再装入扩散炉。
A.耐热陶瓷器皿 B.金属器皿 C.石英舟 D.玻璃器皿
200、单项选择题 在靶片前方设一抑制栅，作用是将（）抑制回去，从而保证测量的准确性。
A.二次电子 B.二次中子 C.二次质子 D.无序离子
201、单项选择题 ESD产生（）种不同的静电总类。
A.1 B.4 C.3 D.2
202、单项选择题 离子源产生的离子在（）的加速电场作用下得到加速。
A.分析器 B.扫描器 C.加速器 D.偏转器
203、单项选择题 在热扩散工艺中的预淀积步骤中，磷的扩散温度为（）。
A.600～750℃ B.900～1050℃ C.1100～1250℃ D.950～1100℃
204、单项选择题 （）由钟罩、蒸气源加热器、衬底加热器、活动挡板和底盘构成。
A.真空镀膜机 B.真空镀膜室 C.真空镀膜器 D.真空镀膜仪
205、多项选择题 离子注入的主要气体源中，剧毒的有（）。
A.砷化氢 B.二硼化氢 C.四氟化硅 D.三氟化磷 E.五氟化磷
206、单项选择题 下列关于曝光后烘烤的说法正确的是（）。
A.烘烤的目的是除去光刻胶中的水分 B.烘烤可以减轻曝光中的驻波效应 C.烘烤的温度一般在300℃左右 D.烘烤的时间越长越好
207、单项选择题 为了避免（）在经过氯化物等离子体刻蚀之后的残留物使其发生腐蚀，必须在刻蚀完毕之后再增加一道工序来除去这些表面残留物。
A.多晶硅 B.单晶硅 C.铝硅铜合金 D.铜
208、单项选择题 光刻工艺中，脱水烘焙的最初温度是（）。
A.150－200℃ B.200℃左右 C.250℃左右 D.300℃左右
209、多项选择题 在半导体工艺中，淀积的薄膜层应满足的参数包含有（）。
A.均匀性 B.表面平整度 C.自由应力 D.纯净度 E.电容
210、多项选择题 属于铝的性质有（）。
A.电阻低 B.抗电迁移特性好 C.对硅氧化物有很好的黏合性 D.有很高的纯度 E.易于光刻
