电子与通信技术:集成电路工艺原理试题预测(最新版)
2025-10-01 00:19:48 来源:91考试网 作者:www.91exam.org 【
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1、判断题  对于大马士革工艺,重点是在于金属的刻蚀而不是介质的刻蚀。


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2、判断题  APCVD反应器中的硅片通常是平放在一个平面上。


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3、填空题  淀积膜的过程有三个不同的阶段。第一步是(),第二步是(),第三步是()。


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4、填空题  用于热工艺的立式炉的主要控制系统分为五部分()、()、气体分配系统、尾气系统和()。


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5、判断题  离子注入物质必须以带电粒子束或离子束的形式存在。


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6、判断题  在晶片制造中,有两种方法可以向硅片中引入杂质元素,即热扩散和离子注入。


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7、填空题  制造电子器件的基本半导体材料是圆形单晶薄片,称为硅片或()。在硅片制造厂,由硅片生产的半导体产品,又被称为()或()。


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8、判断题  表面起伏的硅片进行平坦化处理,主要采用将低处填平的方法。


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9、判断题  扩散率越大,杂质在硅片中的移动速度就越大。


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10、填空题  单晶硅生长常用()和()两种生长方式,生长后的单晶硅被称为()。


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11、判断题  扩散运动是各向同性的。


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12、判断题  掺杂的杂质和沾污的杂质是一样的效果。


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13、判断题  接触是由导电材料如铝、多晶硅或铜制成的连线将电信号传输到芯片的不同部分。


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14、判断题  CD越小,源漏结的掺杂区越深。


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15、判断题  芯片上的物理尺寸特征被称为关键尺寸,即CD。


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16、名词解释  蒸发镀膜


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17、填空题  如果淀积的膜在台阶上过度地变薄,就容易导致高的()、()或者在器件中产生不希望的()。


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18、判断题  曝光后烘焙,简称后烘,其对传统I线光刻胶是必需的。


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19、填空题  集成电路制造中掺杂类工艺有()和()两种。


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20、名词解释  恒定表面源扩散


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21、判断题  CZ直拉法是按照在20世纪90年代初期它的发明者的名字来命名的。


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22、判断题  人员持续不断地进出净化间,是净化间沾污的最大来源。


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23、判断题  硅中的杂质只有一部分被真正激活,并提供用于导电的电子或空穴(大约3%~5%),大多数杂质仍然处在间隙位置,没有被电学激活。


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24、问答题  其它表面组装元件主要是指哪些元件?这些元件各有什么特点?分别用在哪些场合?


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25、判断题  纯净的半导体是一种有用的半导体。


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26、填空题  立式炉的工艺腔或炉管是对硅片加热的场所,它由垂直的()、()和()组成。


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27、判断题  硅片制造厂可分为六个独立的区域,各个区域的照明都采用同一种光源以达到标准化。


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28、问答题  集成电路测试的意义和基本任务?


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29、填空题  缩略语PECVD、LPCVD、HDPCVD和APCVD的中文名称分别是()、()、高密度等离子体化学气相淀积和()。


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30、判断题  二氧化硅是一种介质材料,不导电。


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