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1、判断题 对于大马士革工艺,重点是在于金属的刻蚀而不是介质的刻蚀。
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本题答案:错
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2、判断题 APCVD反应器中的硅片通常是平放在一个平面上。
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本题答案:对
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3、填空题 淀积膜的过程有三个不同的阶段。第一步是(),第二步是(),第三步是()。
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本题答案:晶核形成;聚焦成束;汇聚成膜
本题解析:试题答案晶核形成;聚焦成束;汇聚成膜
4、填空题 用于热工艺的立式炉的主要控制系统分为五部分()、()、气体分配系统、尾气系统和()。
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本题答案:工艺腔;硅片传输系统;温控系统
本题解析:试题答案工艺腔;硅片传输系统;温控系统
5、判断题 离子注入物质必须以带电粒子束或离子束的形式存在。
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本题答案:对
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6、判断题 在晶片制造中,有两种方法可以向硅片中引入杂质元素,即热扩散和离子注入。
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本题答案:对
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7、填空题 制造电子器件的基本半导体材料是圆形单晶薄片,称为硅片或()。在硅片制造厂,由硅片生产的半导体产品,又被称为()或()。
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本题答案:硅衬底;微芯片;芯片
本题解析:试题答案硅衬底;微芯片;芯片
8、判断题 表面起伏的硅片进行平坦化处理,主要采用将低处填平的方法。
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本题答案:错
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9、判断题 扩散率越大,杂质在硅片中的移动速度就越大。
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本题答案:对
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10、填空题 单晶硅生长常用()和()两种生长方式,生长后的单晶硅被称为()。
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本题答案:CZ法;区熔法;硅锭
本题解析:试题答案CZ法;区熔法;硅锭
11、判断题 扩散运动是各向同性的。
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本题答案:错
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12、判断题 掺杂的杂质和沾污的杂质是一样的效果。
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本题答案:错
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13、判断题 接触是由导电材料如铝、多晶硅或铜制成的连线将电信号传输到芯片的不同部分。
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本题答案:错
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14、判断题 CD越小,源漏结的掺杂区越深。
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本题答案:对
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15、判断题 芯片上的物理尺寸特征被称为关键尺寸,即CD。
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本题答案:对
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16、名词解释 蒸发镀膜
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本题答案:加热蒸发源,使原子或分子从蒸发源表面逸出,形成蒸汽流并
本题解析:试题答案加热蒸发源,使原子或分子从蒸发源表面逸出,形成蒸汽流并入射到硅片(衬底)表面,凝结形成固态薄膜。
17、填空题 如果淀积的膜在台阶上过度地变薄,就容易导致高的()、()或者在器件中产生不希望的()。
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本题答案:膜应力;电短路;诱生电荷
本题解析:试题答案膜应力;电短路;诱生电荷
18、判断题 曝光后烘焙,简称后烘,其对传统I线光刻胶是必需的。
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本题答案:对
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19、填空题 集成电路制造中掺杂类工艺有()和()两种。
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本题答案:热扩散;离子注入
本题解析:试题答案热扩散;离子注入
20、名词解释 恒定表面源扩散
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本题答案:在整个扩散过程中,杂质不断进入硅中,而表面杂质浓度始终
本题解析:试题答案在整个扩散过程中,杂质不断进入硅中,而表面杂质浓度始终保持不变。
21、判断题 CZ直拉法是按照在20世纪90年代初期它的发明者的名字来命名的。
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本题答案:对
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22、判断题 人员持续不断地进出净化间,是净化间沾污的最大来源。
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本题答案:对
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23、判断题 硅中的杂质只有一部分被真正激活,并提供用于导电的电子或空穴(大约3%~5%),大多数杂质仍然处在间隙位置,没有被电学激活。
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本题答案:对
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24、问答题 其它表面组装元件主要是指哪些元件?这些元件各有什么特点?分别用在哪些场合?
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本题答案:磁珠,二极管。
磁珠特点:是由铁氧体材料和导
本题解析:试题答案磁珠,二极管。
磁珠特点:是由铁氧体材料和导体线圈组成的叠层型独石结构,因在高温下烧结而成,因而致密性好、可靠性高。
磁珠应用场合:广泛应用于开关电源、遥控玩具、传真机、激光打印机及电子钟表等通讯和消费类电子领域。磁珠是EMC设计中常使用的元件,在EMC对策中占重要位置。二极管特点:有单向导电性,片式封装,贴片焊接。
二极管应用场合:可分为开关二极管,变容二极管,稳压片式二极管,整流二极管,瞬间抑制二极管,发光二极管,适合于高频、大电流、低电压整流电路以及微波电子混频电路、检波电路、高频数字逻辑电路等。
25、判断题 纯净的半导体是一种有用的半导体。
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本题答案:错
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26、填空题 立式炉的工艺腔或炉管是对硅片加热的场所,它由垂直的()、()和()组成。
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本题答案:石英工艺腔;加热器;石英舟
本题解析:试题答案石英工艺腔;加热器;石英舟
27、判断题 硅片制造厂可分为六个独立的区域,各个区域的照明都采用同一种光源以达到标准化。
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本题答案:错
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28、问答题 集成电路测试的意义和基本任务?
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本题答案:意义:集成电路(IC.测试是伴随着集成电路的发展而发展
本题解析:试题答案意义:集成电路(IC.测试是伴随着集成电路的发展而发展的,它对促进集成电路的进步和应用作出了巨大地贡献。
任务:测试的基本任务是生成测试输入,测试系统的基本任务是将测试输入应用于被测器件,并分析其输出的正确性。
29、填空题 缩略语PECVD、LPCVD、HDPCVD和APCVD的中文名称分别是()、()、高密度等离子体化学气相淀积和()。
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本题答案:等离子体增强化学气相淀积;低压化学气相淀积;常压化学气相淀积
本题解析:试题答案等离子体增强化学气相淀积;低压化学气相淀积;常压化学气相淀积
30、判断题 二氧化硅是一种介质材料,不导电。
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本题答案:对
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