1、选择题  4p轨道填充一半的元素，其原子序数是（　　）
A．15
B．33
C．35
D．51

参考答案：B

本题解析：

本题难度：简单

2、选择题  以下有关元素性质的说法不正确的是（　　）
A．具有下列电子式的原子中，①1s22s22p63s23p2②1s22s22p3③1s22s22p2④1s222s2p63s23p4原子半径最大的是①
B．下列原子的价电子排布中，①3s23p1②3s23p2③3s23p3④3s23p4对应的第一电离能最大是③
C．①Na，K，Rb②N，P，As③O，S，Se④Na，P，Cl元素的电负性随原子序数增大而递增的是④
D．某元素的逐级电离能分别为738、1451、7733、10540、13630、17995、21703，当它与氯气反应时可能生成的阳离子是X3+

参考答案：D

本题解析：

本题难度：一般

3、选择题  某元素原子的价电子构型为3s23p5，关于它的描述正确的是（　　）
A．它的元素符号为F
B．它在周期表中的位置是第3周期ⅤA族
C．它的核外电子排布式为1s22s22p63s23p5
D．该元素的单质不能和氢气反应

参考答案：元素原子的价电子构型为3s23p5，则核外电子排布式为1s22s22p63s23p5，应位于周期表第3周期ⅧA族，为Cl元素，对应单质性质活泼，可与氢气在点燃或光照条件下反应生成HCl，
故选C．

本题解析：

本题难度：简单

4、选择题  下列说法正确的是（　　）
A．Mg的第一电离能低于Al
B．ns、np、nd、nf能级的能量依次升高
C．ns、np、nd、nf能级拥有的轨道数分别为2、6、10、14
D．电子云图通常用小黑点的疏密表示核外空间的单位体积内电子出现的概率大小

参考答案：BD

本题解析：

本题难度：一般

5、填空题  Ga和As在一定条件下可以合成GaAs，GaAs是一种新型化合物半导体材料，其性能比硅更优越．多元化合物薄膜太阳能电池材料为无机盐，其主要包括砷化镓、硫化镉、硫化锌及铜锢硒薄膜电池等．
（1）Ga在元素周期表的位置是______，As的原子结构示意图______．
（2）Ga的原子核外电子排布式为：______．
（3）GaCl3和AsF3的空间构型分别是：GaCl3______，AsF3______．
（4）第IV?A族的C和Si也可以形成类似的化合物半导体材料SiC，其结构跟金刚石相似，则SiC属于______晶体，并写出其主要的物理性质______?（任2种）．
（5）第一电离能：As______Se（填“＞”、“＜”或“=”）．
（6）硫化锌的晶胞中（结构如图所示），硫离子的配位数是______．
（7）二氧化硒分子的空间构型为______，写出它的1个等电子体的分子式______．

参考答案：（1）Ga原子的原子结构示意图中，有四个电子层，最外层有3个电子，所以其属于第四周期第IIIA族，As是33号元素，其原子结构示意图为



；
故答案为：第四周期第IIIA族，



；
?（2）Ga是31号元素，所以Ga的原子核外电子排布式为1s22s22p63s23p63d104s24p1；
故答案为：1s22s22p63s23p63d104s24p1；
（3）GaCl3中价层电子对个数=3+12（3-3×1）=3，且没有孤电子对，所以其空间构型是平面三角形结构；
AsF3中价电子对个数=3+12（5-3×1）=4，有一个孤电子对，所以其空间构型是三角锥形；
故答案为：平面三角形，三角锥；
（4）SiC的结构跟金刚石相似，金刚石是原子晶体，则碳化硅是原子晶体，原子晶体的熔点高、硬度大；
故答案为：原子，硬度大、熔点高；
（5）同一周期中，第VA族元素第一电离能大于第VIA元素，As 和Se属于同一周期，As是第VA元素，Se是第V IA元素，所以第一电离能As＞Se；
故答案为：＞；
（6）根据图片知，每个S离子连接4个Zn离子，所其配位数是4；
故答案为：4；
（7）二氧化硒分子中价电子对个数=2+12（6-2×2）=3，含有一个孤电子对，所以其空间构型是V形，等电子体中含有相同的价电子数且原子个数相等，如果把硒原子换成氧原子或硫原子，二氧化硒变成臭氧或二氧化硫，其价电子数和原子个数都相等，所以是等电子体；
故答案为：V形，O3（或SO2）．

本题解析：

本题难度：一般