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实验题 单晶硅是信息产业中重要的基础材料。通常用碳在高温下还原二氧化硅制得粗硅(含铁、铝、硼、磷等杂质)，粗硅与氯气反应生成四氯化硅(反应温度450～500℃)，四氯化硅经提纯后用氢气还原可得高纯硅。以下是实验室制备四氯化硅的装置示意图。
相关信息如下：
a．四氯化硅遇水极易水解；
b．硼、铝、铁、磷在高温下均能与氯气直接反应生成相应的氯化物；
c．有关物质的物理常数见下表：
物质
| SiCl4
| BCl3
| AlCl3
| FeCl3
| PCl5
|
沸点/℃
| 57.7
| 12.8
| —
| 315
| —
|
熔点/℃
| －70.0
| －107.2
| —
| —
| —
|
升华温度/℃
| —
| —
| 180
| 300
| 162
请回答下列问题：
(1)写出装置A中发生反应的离子方程式______________________。
(2)装置A中g管的作用是________；装置C中的试剂是________；装置E中的h瓶需要冷却的理由是__________________________________。
(3)装置E中h瓶收集到的粗产物可通过精馏(类似多次 蒸馏)得到高纯度四氯化硅，精馏后的残留物中，除铁元素外可能还含有的杂质元素是________(填写元素符号)。
实验题 单晶硅是信息产业中重要的基础材料。通常用碳在高温下还原二氧化硅制得粗硅(含铁、铝、硼、磷等杂质)，粗硅与氯气反应生成四氯化硅(反应温度450～500℃)，四氯化硅经提纯后用氢气还原可得高纯硅。以下是实验室制备四氯化硅的装置示意图。
相关信息如下：
a．四氯化硅遇水极易水解；
b．硼、铝、铁、磷在高温下均能与氯气直接反应生成相应的氯化物；
c．有关物质的物理常数见下表：
物质
| SiCl4
| BCl3
| AlCl3
| FeCl3
| PCl5
| 沸点/℃
| 57.7
| 12.8
| —
| 315
| —
| 熔点/℃
| －70.0
| －107. 2
| —
| —
| —
| 升华温度/℃
| —
| —
| 180
| 300
| 162
请回答下列问题：
(1)写出装置A中发生反应的离子方程式______________________。
(2)装置A中g管的作用是________；装置C中的试剂是________；装置E中的h瓶需要冷却的理由是__________________________________。
(3)装置E中h瓶收集到的粗产物可通过精馏(类似多次蒸馏)得到高纯度四氯化硅，精馏后的残留物中，除铁元素外可能还含有的杂质元素是________(填写元素符号)。
本题答案：(1)MnO2＋4H＋＋2Cl－△Mn2＋＋Cl2↑＋2H2
本题解析：略
本题所属考点：【气体的净化、干燥、吸收与收集】
本题难易程度：【一般】
Man loves company even if it is only that of a small burning candle. 人喜欢伴侣,哪怕只是一根点着的小蜡烛也好. |
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