1、选择题  aAn+.bB(n+1)+.cCn-.dD(n+1)-均具有相同的电子层结构，关于A、B、C、D四种元素的叙述正确的是
A．原子半径：A＞B＞C＞D?B．原子序数：b＞a＞c＞d
C．离子半径：D＞C＞B＞A?D．金属性：B＞A，非金属性：D＞C

参考答案：B

本题解析：
正确答案：B
aAn+.bB(n+1)+.cCn-.dD(n+1)-均具有相同的电子层结构，aAn+.bB(n+1)+.为阳离子，在下一周期，且序号b>a, cCn-.dD(n+1)-在上一周期，且序号c>d,故B正确。A．不正确，原子半径：A＞B＞D＞C；C．不正确，离子半径：D＞C＞A＞B；D．金属性：A＞B，非金属性：C＞D

本题难度：简单

2、选择题  除去下列物质中所含少量杂质的所选试剂不正确的是
A.A
B.B
C.C
D.D

参考答案：B

本题解析：分析：根据原物质和杂质的性质选择适当的除杂剂和分离方法，所谓除杂（提纯），是指除去杂质，同时被提纯物质不得改变，不得引入新杂质，加入的试剂只与杂质反应，不与原物反应；反应后不能引入新的杂质．
解答：A、Cl2不溶于饱和食盐水，而HCl溶于饱和食盐水，所以可以除杂，故A正确；
B、CO2气体中含有少量HCl气体，加入饱和Na2CO3溶液，CO2能与饱和Na2CO3溶液会把二氧化碳也除去，所以不可以除杂，故B错误；
C、金属镁与稀NaOH溶液不反应，金属铝能与稀NaOH溶液反应，所以可以除杂，故C正确；
D、FeCl3能与铁粉反应生成FeCl2，FeCl2与铁粉不反应，因此可以除杂，故D正确；
故选：B．
点评：进行物质除杂时，要根据物质的性质进行，要求选用的除杂试剂反应后不能产生新的杂质且不能与原有物质反应．

本题难度：简单

3、选择题  W、X、Y、Z四种短周期元素在元素周期表中的相对位置如图所示，W的气态氢化物可与其最高价含氧酸反应生成离子化合物，下列说法不正确的是(　　)。

参考答案：B

本题解析：因为W的气态氢化物可与其最高价含氧酸生成离子化合物即铵盐，W是N元素，则X、Y、Z依次是O、S、Cl。则其氢化物中H2S最不稳定，A正确；只有氯元素的最高价含氧酸一定比Y的含氧酸酸性强，B错；阴离子还原性S2－＞O2－，C正确；SCl2分子中S和2个Cl分别共用一对电子，各原子的最外层均满足8e－稳定结构，D正确。

本题难度：简单

4、填空题  （18分）有A、B、C、D、E、F六种短周期元素，原子序数依次增大，B、C、D的阳离子、A的阴离子均具有与氖原子相同的电子层结构；A、B可形成离子化合物B2A；D的最高价氧化物既能与强酸反应，又能与强碱反应；E的原子结构示意图为：?；F的最外层电子数是电子层数的2倍。
试回答下列各问题：
（1）B元素为?（填元素符号）
（2）F元素位于元素周期表中第?周期第?族
（3）化合物B2A的电子式____________________
（4）D的最高价氧化物与B的最高价氧化物对应的水化物溶液反应的离子方程式：
?
（5）将C、D用导线相连浸入B的最高价氧化物对应的水化物的溶液中，形成原电池，正极的电极反应为?

参考答案：（1）Na?（2）3，ⅥA?（3）（4）Al2O3+2OH-=2AlO2-+H2O
（5）2H2O-2e-=H2↑+2OH-?或2H++2e-=H2↑?（每空3分，共18分）

本题解析：略

本题难度：简单

5、填空题  （10分）W、X、Y、Z是四种常见的短周期元素，其原子半径随原子序数变化如图所示。已知W的一种核素的质量数为18，中子数为10；X和Ne原子的核外电子数相差1；Y的单质是一种常见的半导体材料；Z是同周期中非金属性最强的元素。

（1）W原子的结构示意图为_______________。
（2）X位于元素周期表第_____周期第_____族。
（3）Y的最高价氧化物对应的水化物的化学式为__________。
（4）Z单质与溴单质相比，更易与氢气发生化合反应的是______（写化学式）。
（5）X与W能形成两种化合物，其化学式为________ 、________。

参考答案：（1）??（2分）?（2）三；ⅠA（2分）?
（3）H2SiO3（2分）?（4）Cl2（2分）?（5）Na2O、Na2O2（2分）

本题解析：W的一种核素的质量数为18，中子数为10，则W思维原子序数是8，即W是O。X和Ne原子的核外电子数相差1，且X的原子半径最大，所以X是Na。Y的单质是一种常见的半导体材料，所以Y是Si。Z是同周期中非金属性最强的元素，又因为Z的原子半径大于O的原子半径，所以Z是Cl，非金属性强于溴的，和氢气更容易化合。

本题难度：一般