株洲中车时代电气股份有限公司（下称中车时代电气）是中国中车旗下股份制企业，其前身及母公司——中车株洲电力机车研究所有限公司创立于1959年。中车时代电气扎根株洲，走好两条钢轨，走出两条钢轨，2006年在香港联合交易所成功上市。2015年荣获第二届"中国质量奖"，2018年营业收入超过150亿元。
中车时代电气秉承"双高双效"高速牵引管理模式，坚持"同心多元化"发展战略，围绕技术与市场，形成了"基础器件+装置与系统+整机与工程"的完整产业链结构，产业涉及高铁、机车、城轨、轨道工程机械、通信信号、大功率半导体、传感器、海工装备、新能源汽车、环保、通用变频器等多个领域，业务遍及全球20多个国家和地区，与国内外多家知名企业建立了良好的合作关系，具有广阔的发展空间和前景。
中车时代电气具备国内唯一自主8英寸IGBT芯片产线，拥有新型功率半导体器件国家重点实验室，是全球第二大深海机器设计制造商。参与研制中国首台电力机车、交流传动机车、交流传动地铁、永磁高铁、中国标准动车组。拥有动车组和机车牵引与控制国家重点实验室、变流技术国家工程研究中心、五大研发中心（长沙、株洲、无锡、西安、伯明翰）。
一、招聘领域
中车时代电气"楚才无境"计划旨在为公司产业发展招募博士研究生200名，培育行业后备领军人才，打造事业合作伙伴生态圈。研究领域如下：
A轨道交通领域
列车先进变流技术、列车牵引控制技术、列车通信与网络控制技术、列车储能技术、高速磁浮牵引供电及其控制技术...
B智能化领域
牵引系统PHM技术、列车自动驾驶技术、图像识别技术、智能检修技术、数据分析与挖掘、感知算法...
C轨道工程领域
结构动力学分析、流体力学分析、液压元件与系统设计、伺服控制技术、轨道工程车体研发...
D半导体领域
芯片设计技术（IGBT/SiC）、新工艺技术（晶闸管/IGBT/SiC/MOSFET）、微电子可靠性及失效机理、先进封装技术、多物理场耦合设计及仿真技术、汽车芯片级电流传感器技术...
E检测试验领域
无损检测与失效分析技术、声学仿真与试验的一体化
F工业自动化领域
风电系统接入高压/柔性直流输电网的稳暂态特性分析、基于双馈/全功率变流器的风电系统稳定运行与振荡抑制
G汽车电驱领域
电机系统NVH设计技术、电驱系统EMC设计技术
H深海装备领域
电动ROV&AUV关键电气及其控制、主动波浪补偿技术
二、薪资福利
1、年薪：最高顶薪45W，根据公司薪酬政策评估。
2、购房补贴：公司补贴30W；政府购房补贴和生活补贴根据地方政策享受。
3、多元化激励：员工持股、限制性股票、股票期权、项目跟投、科技人才岗位分红、青年科技人才奖等。
4、社会保障：五险一金顶额缴纳，享受补充医疗保险金、企业年金。
5、其他福利：院士辅导、团队配置、国家级课题、协助申报国家/省/市级高层次人才及博士后工作站、境内外培养、人才公寓、车话餐补贴、寒暑补贴。
三、职位需求
应往届全日制博士研究生，研究方向属于如下学科：电气工程（0808）、电子科学与技术（0809）、信息与通信工程（0810）、控制科学与工程（0811）、计算机科学与技术（0812）、仪器科学与技术（0804）、机械工程（0802）、交通运输工程（0823）。
具体职位需求表附后。
四、招聘流程
简历投递—简历初筛—线上测评—电话面试—视频面试—终面—录用—体检—入职
公司人事部将于4月上旬启动第二轮面试，有意参与第二轮面试的应聘者请务必于2021年4月16日前投递个人应聘资料，第二批次招聘截止日期为2021年4月30日。
五、联系方式
联系人：李女士
联系方式：13503077519
简历投递邮箱：zcsdlt@163.com【邮件主题格式为：应聘职位+专业（学历）+姓名，例如：结构设计工程师+机械工程（博士）+姓名】
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序号
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职位名称
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招聘人数
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需求部门
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工作地点
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工作职责
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任职资格
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1
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器件工程师
（ASIC方向/MEMS方向/毫米波雷达方向）
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3人
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功率器件研发中心（传感器）
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浙江省
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芯片级/微型化/小型化电量传感器，追赶行业领先技术，实现技术突破与产业转型：
1、ASIC芯片级电流传感器开发
2、MEMS传感芯片/智能化传感器开发
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1、熟练掌握集成电路设计和仿真软件，有过成功流片经验者优先
2、熟练掌握MEMS芯片设计和仿真软件，具备超净间操作经验者优先
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2
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应用工程师（寿命预测）
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1人
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功率器件研发中心（半导体）
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湖南省
英国
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1、开展电动汽车综合应力加速寿命试验技术研究
2、开展电动汽车用IGBT剩余寿命数据采集和任务剖面选择
3、完成电动汽车用IGBT剩余寿命评估方法研究
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1、博士研究生学历，电气工程、电力电子与电力传动相关专业。
2、具备扎实的电力电子相关的基础知识；
3、熟悉电力电子变流器的相关硬件结构；
4、参与过IGBT应用寿命和可靠性方面研究项目者优先；
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3
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可靠性工程师（电子封装与失效机理）
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1人
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功率器件研发中心（半导体）
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湖南省
英国
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满足以下之一即可：
1、高速列车芯片核心关键技术项目子项封装互连界面失效机理研究；
2、汽车用IGBT模块振动寿命研究开放合作项目；
3、双面散热汽车IGBT模块功率循环试验方法及失效机理研究开放合作项目；
4、芯片可靠性、250℃高温灌封体系、IPM产品可靠性试验平台建设；
5、针对新型封装材料及结构，建立失效机理数据库和制样及表征方法库；
6、压接IGBT及双面散热模块等产品可靠性加速试验方法及寿命评价建模。
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1、博士研究生学历，微电子、材料、结构力学、可靠性工程、电气工程及应用数学等相关专业。
2、具备扎实的微电子、材料、仿真和电气相关的基础知识；
3、熟练掌握C语言、Comsol、Matlab等语言和工具；
4、参与半导体器件开发和可靠性研究项目者优先；
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4
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模块设计工程师（电气设计与多物理场仿真）
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2人
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功率器件研发中心（半导体）
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湖南省
英国
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高压轨道交通领域全球第一，电网产品全球第一、工业模块产品国内第一、汽车模块产品国内第一，矢志大功率半导体世界前三强。
1、完成电磁设计能力搭建与完善，建立仿真设计和验证流程
2、形成热—电—磁等多物理场的设计开发流程，完善相关软件和验证能力，形成整套设计流程
3、形成IGBT和SiC模块多物理场设计准则
4、培养一支模块多物理场设计团队
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1.博士研究生学历，微电子封装、半导体物理、电气工程（电力电子）、机械电子、材料学、热工程等相关专业；
2.具备扎实的功率半导体模块封装与互连技术基础理论，了解功率模块关键物料的生产工艺过程、材料选型、特性参数及相关测试标准，了解功率模块封装工艺、设备、测试等原理及方法；
3.熟悉功率半导体工作原理（IGBT/MOSFET等）和基本控制电路在电力电子中的应用，了解电磁场和高压绝缘设计。
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5
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芯片工艺工程师（晶闸管、IGBT、SICMOSFET）
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2人
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功率器件研发中心（半导体）
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湖南省
英国
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1、完成STMOS、RCMOS以及GaN等关键工艺技术调研和开发
2、完成相关工艺平台建设
3、建立合理工艺控制标准
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1、博士研究生学历，微电子、集成电路相关专业。
2、掌握功率器件和半导体器件工艺、功率半导体器件设计相关知识，了解半导体物理、固体物理等
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6
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SiC芯片设计工程师
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1人
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功率器件研发中心（半导体）
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湖南省
英国
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1、具备SiC芯片工艺模型设计和仿真能力，能独立开展工艺仿真和结构仿真；
2、攻克沟槽栅MOSFET离子注入保护工艺技术，实现沟槽栅MOSFET工艺控制技术
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1、博士研究生学历，集成电路设计、半导体物理、半导体器件与物理、半导体制造技术、固体物理数字、微电子制造技术。
2、性格阳光、快速融入团队；
3、心理健康，抗压能力及自我调节能力强；
4、自学能力强，积极主动；
5、有良好的沟通与表达能力、准确表达个人想法；
6、注重团队合作。
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7
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IGBT芯片产品开发工程师
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1人
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功率器件研发中心（半导体）
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湖南省
英国
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围绕IGBT细分领域，按照“量产一代、研发一代、预研一代”的布局，构建中车IGBT芯片第四代平面栅、第五代沟槽栅、第六代精细沟槽栅、第七代逆导的技术与产品布局，满足轨交&电网&电动汽车&新能源&高端工业五大核心领域的客户需求。
1、按轨交&电网&电动汽车&新能源&高端工业，分领域构建芯片产品与客户需求的匹配标准，为芯片设计提供精准输入；
2、执行并优化APQP流程，探索并构建产品全生命周期管理体系，为芯片产品开发过程提供高质量管理；
3、强化芯片产品的质量及长期可靠性管理；
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1、博士研究生学历，了解半导体物理、固体物理知识；了解功率半导体器件设计及工艺相关知识；
2、强大的产品定义能力；
3、较强的对客户需求（用户体验）识别能力、策划能力、解决问题能力；
4、能与客户进行应用需求——性能表现——器件机理层面的技术交流；
5、合作、抗压、责任感、沟通协调、时间管理能力强。
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8
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IGBT芯片设计工程师
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1人
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功率器件研发中心（半导体）
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湖南省
英国
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围绕IGBT细分领域，按照“量产一代、研发一代、预研一代”的布局，构建中车IGBT芯片第四代平面栅、第五代沟槽栅、第六代精细沟槽栅、第七代逆导的技术与产品布局，满足轨道交通&电网&电动汽车&新能源&高端工业五大核心领域的客户需求。
1、750V/1200V车轨级逆导IGBT技术&产品开发
2、3300V逆导IGBT技术&产品开发
3、5200V压接式逆导IGBT技术&产品开发
4、6500V逆导IGBT技术&产品研究
5、消费级逆导IGBT技术研究
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1、博士研究生学历，具有较强的物理及数学理论知识，掌握半导体物理、固体物理知识；掌握功率半导体器件设计及工艺相关知识；
2、熟悉试验设计方法；
3、熟悉功率半导体发展的前沿和总体趋势；
4、合作、抗压、学习、沟通、逻辑能力强。
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考试问吧
