全国2006年4月高等教育自学考试电子技术基础（一）试题
课程代码：02234
一、单项选择题（本大题共16小题，每小题2分，共32分）
在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。
1．要得到P型杂质半导体，在本征半导体硅或锗的晶体中，应掺入少量的（      ）
A．三价元素 
B．四价元素
C．五价元素 
D．六价元素

2．理想二极管构成的电路如题2图，其输出电压u0为（      ）
A．-6V
B．0V
C．+3V
D．+9V

3．某锗三极管测得其管脚电位如题3图所示，则可判定该管处在（      ）
A．放大状态
B．饱和状态
C．截止状态
D．无法确定伏态

4．场效应管的转移特性如题4图所示，则该管为（      ）
A．P沟道增强型FET
B．P沟道耗尽型FET
C．N沟道增强型FET
D．N沟遭耗尽型FEI

5．三种组态的放大电路中，共基极放大电路的特点是（      ）
A．u0与ui反相能放大电流 
B．u0与ui同相能放大电压
C．u0与ui同相能放大电流 
D．u0与ui反相能放大功率

6．已知某基本共射放大电路的ICQ=1mA，UCEQ=6V，管子的饱和压降Uces=1V，Rc=RL=
4KΩ，则该放大电路的最大不失真输出电压幅值为（      ）
A．1V 
B．2V
C．5V 
D．6V

7．在双端输入单端输出的差动放大电路中，差模电压放大倍数Ad2=50，共模电压放大倍数Ac=0.5，若输入电压uil=80mV，ui2=60mV，则输出电压uo2为（      ）
A．-1.035V 
B．-0.965V
C．+0.965V 
D．+1.035V

8.题8图所示电路，集成运放的最大输出电压为±12V，下列说法正确的是（      ）
A．ui=1V，u0=-12V
B．ui=2V，u0=-12V
C．ui=4V，u0=-12V
D．ui=5V，u0=+12V

9．单相桥式整流电路变压器次级电压为15V(有效值)，则每个整流二极管所承受的最大反向电压为（      ）
A．15V 
B．21.21V
C．30V 
D．42.42V

10.十进制数(67)10所对应的十六进制数为（      ）
A．(43)16 
B．(61)16
C．(86)16 
D．(C2)16

11．函数F(A，B，C)=AB+ 的最小项表达式为（      ）
A．F=∑(0，2，4，6，7) 
B．F= B+AC
C．F=∑(1，3，5) 
D．F=∑(0，1，2，3，7)

l2．函数F=AB+A C+A + DE的最简与或式为（      ）
A．F来源:91 考试网=A 
B．F=BC+A
C．F=A+DE 
D．F=A+ DE

13．题13图所示电路中，次态方程Qn+1为（      ）
A．(A+B) +AQn
B．(A+B) +  Qn
C． + +AQn
D．AQn

14．由与非门构成的基本RS触发器，要使Qn+1=1输入信号应为（      ）
A．SD=RD=0 
B．SD=RD=1
C．SD=1，RD=0 
D．SD=0，RD=1

15．有一个稳态和一个暂稳态的电路是（      ）
A．多谐振荡器 
B．单稳态触发器
C．施密特触发器 
D．双稳态触发器

二、填空题（本大题共14小题，每小题1分，共14分）请在每小题的空格中填上正确答案。错填、不填均无分。
17．场效应晶体管与双极型晶体管比较，场效应晶体管属于________控制器件。

18．场效应晶体管与双极型晶体管比较，输入电阻大的是________晶体管。

19．基本共射放大电路，若使其偏置电阻RB增大(电路其他参数不变)，则ICQ将________。

20．要放大频率f=0.5Hz的正弦信号，应选用________耦合的放大电路。

2l．在共射放大电路中，若负载电阻RL愈大，则其电压放大倍数的值______。

22．差动放大电路两个输入端的信号分别为ui1和ui2，当ui1=ui2时，则为______输入信号。

23．要使放大电路的输入电阻小输出电阻增大，在放大电路中应引入______负反馈。

24．正弦波振荡器起振的幅值条件是________。

25．单相桥式整流电路输出平均电压为20V，负载RL=40Ω，则变压器副边电压有效值为______V。

26．构成七进制计数器最少要用_______个触发器。

27．T触发器的特征方程为______。

28．逻辑函数F=A⊙B的与或表达式为________。

29．二进制数(1101.1011)2转换为八进制数为______。

30．由555构成的施密特触发器，若电源电压Ucc=9V，电压控制端5脚经0.01μF电容接地，则上限触发电压UT+=________V。