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集成电路制造工艺员：集成电路制造工艺员（三级）在线测试（强化练习）
2017-09-30 15:38:14 来源:91考试网 作者:www.91exam.org 【大 中 小】
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1、单项选择题  在磁分析器中常用（）分析磁铁。

A.柱形
B.扇形
C.方形
D.圆形


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2、单项选择题  真空蒸发又被人们称为（）。

A.真空沉积
B.真空镀膜
C.真空外延
D.真空


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3、单项选择题  树脂的外形为（）的球状颗粒。

A.淡黄色或褐色
B.黑色或棕色
C.淡红色或褐色
D.淡蓝色或棕色


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4、单项选择题  用高能粒子从某种物质的表面撞击出原子的物理过程叫（）。

A.蒸镀
B.离子注入
C.溅射
D.沉积


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5、多项选择题  （）专指薄膜形成的过程中，并不消耗晶片或底材的材质。

A.薄膜成长
B.蒸发
C.薄膜沉积
D.溅射
E.以上都正确


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6、多项选择题  铜与铝相比较，其性质有（）。

A.铜的电阻率比铝小
91e xam.net B.铝的熔点较高
C.铝的抗电迁移能力较弱
D.铜与硅的接触电阻较小
E.铜可以在低温下淀积


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7、多项选择题  （）的方法有利于减少热预算。

A.高压氧化
B.湿氧氧化
C.掺氯氧化
D.氢氧合成氧化
E.等离子增强氧化


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8、单项选择题  如果固体中的原子排列情况是紊乱的，就称之为（）。

A.单晶靶
B.超晶靶
C.多晶靶
D.非晶靶


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9、单项选择题  多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对（）的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。

A.二氧化硅
B.氮化硅
C.单晶硅
D.多晶硅


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10、单项选择题  在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在950～1100℃的条件下，扩散时间大约（）为宜。

A.4～6h
B.50min～2h
C.10～40min
D.5～10min


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11、单项选择题  TCP/IP协议中的TCP相当于OSI中的（）。

A.应用层
B.网络层
C.物理层
D.传输层


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12、多项选择题  光刻胶主要由（）等不同材料混合而成的。

A.树脂
B.感光剂
C.HMDS
D.溶剂
E.PMMA


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13、多项选择题  涂胶之前，要保证晶片的质量以及涂胶工序的顺利进行，下列操作正确的是（）。

A.进行去水烘烤以保证晶片干燥
B.在晶片表面涂上增粘剂以保证晶片黏附性好
C.刚刚处理好的晶片应立即涂胶
D.贮存的晶片在涂胶前必须再次清洗及干燥
E.也可以直接使用贮存的晶片


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14、单项选择题  晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的（）使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。

A.n型掺杂区
B.P型掺杂区
C.栅氧化层
D.场氧化层


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15、多项选择题  离子注入的主要气体源中，剧毒的有（）。

A.砷化氢
B.二硼化氢
C.四氟化硅
D.三氟化磷
E.五氟化磷


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16、多项选择题  光刻胶的光学稳定通过（）来完成的。

A.红外线辐射
B.X射线照射
C.加热
D.紫外光辐射
E.电子束扫描


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17、单项选择题  由于离子交换树脂反应，它既可以去除水中杂质离子，又可以将失效树脂进行处理，恢复交换能力，所以称为（）反应。

A.置换
B.化学
C.不可逆
D.可逆


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18、单项选择题  决定吸附原子彼此间能否形成一个稳定的核团，以便于进行凝结的主要因素主宰于所形成的核团是否（）而定。

A.动能最低
B.稳定
C.运动
D.静止


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19、单项选择题  在半导体器件制造中，对清洗用水的纯度有比较高的要求，要用经过纯化的（）作为清洁用水。

A.蒸馏水
B.自来水
C.去离子水
D.矿泉水


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20、单项选择题  局域网中使用中继器的作用是（）。

A.可以实现两个以上同类网络的联接
B.可以实现异种网络的互连
C.实现信号的收集、缓冲及格式的变换
D.实现传递信号的放大和整形


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21、单项选择题  在空位扩散中，如果迁移的空位的原子是杂质原子，扩散称为（）。

A.填隙扩散
B.杂质扩散
C.推挤扩散
D.自扩散


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22、多项选择题  沾污是指半导体制造过程中引入半导体硅片的任何危害微芯片（）的不希望有的物质。

A.功能
B.成品率
C.物理性能
D.电学性能
E.外观


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23、多项选择题  通常情况下，我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）的刻蚀速率尽量低。

A.光刻胶
B.衬底
C.表面硅层
D.扩散区
E.源漏区


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24、单项选择题  在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，CA的含义是（）。

A.化学增强
B.化学减弱
C.厚度增加
D.厚度减少


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25、单项选择题  在生产过程中必须使用（）来完成浅沟槽隔离STI。

A.单晶硅刻蚀
B.多晶硅刻蚀
C.二氧化硅刻蚀
D.氮化硅刻蚀


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26、多项选择题  一般来说，溅射镀膜的过程包括（）这几步。

A.产生一个离子并导向靶
B.被轰击的原子向硅晶片运动
C.离子把靶上的原子轰出来
D.经过加速电场加速
E.原子在硅晶片表面凝结


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27、单项选择题  半导体硅常用的受主杂质是（）。

A.锡
B.硫
C.硼
D.磷


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28、单项选择题  由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的，所以其（）就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。

A.刻蚀速率
B.选择性
C.各向同性
D.各向异性


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29、单项选择题  在各种离子源常用的放电方式中，EOS是指有（）。

A.电子振荡放电
B.离子自动放电
C.低电压弧光放电
D.双等离子电弧放电


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30、多项选择题  晶片经过显影后进行坚膜，坚膜的主要作用有（）。

A.除 去光刻胶中剩余的溶剂
B.增强光刻胶对晶片表面的附着力
C.提高光刻胶的抗刻蚀能力
D.有利于以后的去胶工序
E.减少光刻胶的缺陷


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31、多项选择题  清洁处理主要使用的是（）。

A.水
B.有机溶剂
C.碱
D.酸
E.盐酸


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32、多项选择题  下列有关曝光系统的说法正确的是（）。

A.投影式同接触式相比，掩模版的利用率比较高
B.接触式的分辨率优于接近式
C.接近式的分辨率受到衍射的影响
D.投影式曝光系统中不会产生衍射现象
E.投影式曝光是目前采用的主要曝光系统


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33、单项选择题  在靶片前方设一抑制栅，作用是将（）抑制回去，从而保证测量的准确性。

A.二次电子
B.二次中子
C.二次质子
D.无序离子


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34、多项选择题  在对层间绝缘膜进行CMP时，层间绝缘膜的表面会随下列那些因素产生变化（）。

A.电路图形结构的凹凸
B.尺寸大小
C.位置分布
D.高度
E.密集程度


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35、单项选择题  危害半导体工艺的典型金属杂质是（）。

A.2族金属
B.碱金属
C.合金金属
D.稀有金属


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36、多项选择题  按曝光的光源分类，曝光可以分为（）。

A.光学曝光
B.离子束曝光
C.接近式曝光
D.电子束曝光
E.投影式曝光


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37、单项选择题  由于水中阴阳离子都有导电能力，所以水的（）越高，水中离子数就越少。

A.电阻率
B.电导率
C.电阻
D.电导


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38、多项选择题  扩散工艺使杂质由半导体晶片表面向内部扩散，改变了晶片（），所以晶片才能被人们所使用。

A.内部的杂质分布
B.表面的杂质分布
C.整个晶体的杂质分布
D.内部的导电类型
E.表面的导电类型


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39、单项选择题  采用热氧化方法制备的二氧化硅从结构上看是（）的。

A.结晶形态
B.非结晶形态
C.可能是结晶形态的，也可能是非结晶形态的
D.以上都不对


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40、多项选择题  以（）等两层材料所组合而成的导电层便称为Polycide。

A. 91Exam.net单晶硅
B.多晶硅
C.硅化金属
D.二氧化硅
E.氮化硅


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41、单项选择题  我们可以通过简单的结深测量和（）测量来获得扩散层的重要信息。

A.横向电阻
B.平均电阻率
C.薄层电阻
D.扩展电阻


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42、单项选择题  （）是以物理的方法来进行薄膜沉积的一种技术。

A.LPCVD
B.PECVD
C.CVD
D.PVD


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43、单项选择题  光刻的主要工艺流程按照操作顺序是（）。

A.涂胶、前烘、曝光、坚膜、显影、去胶
B.涂胶、前烘、坚膜、曝光、显影、去胶
C.涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、去胶
D.前烘、涂胶、曝光、坚膜、显影、去胶


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44、单项选择题  不可以对SiO2进行干法刻蚀所使用的气体是（）。

A.CHF3
B.C2F6
C.C3F8
D.HF


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45、单项选择题  在IC芯片生长中浅沟槽隔离技术STI逐渐取代了局部氧化LOCOS所制成的（）而成为相邻电子元件的绝缘体

A.栅氧化层
B.沟槽
C.势垒
D.场氧化层


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46、单项选择题  在VLSI工艺中，常用的前烘方法是（）。

A.热空气对流法
B.真空热平板传导法
C.红外线辐射法
D.射频感应加热法


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47、单项选择题  ESD产生（）种不同的静电总类。

A.1
B.4
C.3
D.2


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48、单项选择题  下列关于曝光后烘烤的说法正确的是（）。

A.烘烤的目的是除去光刻胶中的水分
B.烘烤可以减轻曝光中的驻波效应
C.烘烤的温度一般在300℃左右
D.烘烤的时间越长越好


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49、多项选择题  树脂使用过程中需保持一定温度，阳树脂和阴树脂分别不能高于（）度，使用温度不能过低，低于0度会使树脂冻裂。

A.80
B.60
C.40
D.20
E.10


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50、单项选择题  （）的气体源中一般包含H+，C+，B+，Cl+，O+等离子。

A.Cl2
B.BCl3
C.CO2
D.H2


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51、单项选择题  奉献社会的实质是（）。

A.获得社会的好评
B.尽社会义务
C.不要回报的付出
D.为人民服务


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52、单项选择题  在新一代的CMP中，有使用（）磨料在金属表面上形成软质皮膜并加以去除的趋势。

A.二氧化锰
B.铝
C.氧化铬
D.金刚石


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53、单项选择题  企业的战略一般由四个要素组成，即经营范围、资源配置、竞争优势以及协同合作，其中协同合作是指企业通过共同的努力达到（）。

A.分力之和大于简单相加的结果
B.分力之和等于简单相加
C.共享开发工具、共享信息
D.共同分担着开发失败的风险


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54、多项选择题  电气测量仪表若按照电流的种类来分，有（）。

A.低压仪表
B.高压仪表
C.直流仪表
D.交流仪表
E.交直流仪表


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55、单项选择题  通常选熔断器熔断电流为电路额定电流的（）。

A.1～1.8倍
B.1.3～1.8倍
C.1.3～2.1倍
D.1.5～2.3倍


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56、单项选择题  采用热氧化方法制备的二氧化硅从结构上看是（）的。

A.结晶形态
B.非结晶形态
C.可能是结晶形态的，也可能是非结晶形态的
D.以上都不对


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57、单项选择题  真空镀膜室中的钟罩与底盘构成（）。

A.衬底加热器
B.抽气系统
C.真空室
D.蒸气源加热器


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58、单项选择题  对于浓度覆盖很宽的杂质原子，可以采用（）方法引入到硅片中。

A.离子注入
B.溅射
C.淀积
D.扩散


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59、单项选择题  在空位扩散中，如果迁移到空位的原子是基质原子，扩散属于（）。

A.推挤扩散
B.杂质扩散
C.填隙扩散
D.自扩散


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60、单项选择题  电离气体与普通气体的不同之处在于：后者是由电中性的分子或原子组成的，前者则是（）和中性粒子组成的集合体。

A.离子
B.原子团
C.电子
D.带电粒子


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61、单项选择题  在热扩散工艺中的预淀积步骤中，砷和锑的扩散温度为（）。

A.1050～1200℃
B.900～1050℃
C.1100～1250℃
D.1200～1350℃


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62、单项选择题  涂胶以后的晶片，需要在一定的温度下进行烘烤，这一步骤称为（）。

A.后烘
B.去水烘烤
C.软烤
D.烘烤


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63、多项选择题  空气污染物按照处理性质来分：有（）。

A.酸碱性气体
B.有机性气体
C.特殊毒性气体
D.水蒸汽
E.中性气体


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64、单项选择题  为了保证保护装置能可靠地动作，27.5A的接地电流只能保证断开动作电流不超过多少的继电保护装置。（）

A.18.3A
B.13.8A
C.11A
D.9.2A


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65、单项选择题  硅-二氧化硅系统中含有的最主要而对器件稳定性影响最大的离子是（）。

A.钠
B.钾
C.氢
D.硼


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66、多项选择题  在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，它的优点在于（）。

A.CA光刻胶对深紫外光吸收小
B.CA光刻胶将吸收的光子能量发生化学转化
C.CA光刻胶在显影液中的可溶性强
D.有较高的光敏度
E.有较高的对比度


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67、多项选择题  关于正胶和负胶的特点，下列说法正确的是（）。

A.正胶在显影时不会发生膨胀，因此分辨率高于负胶
B.正胶的感光区域在显影时不溶解，负胶的感光区域在显影时溶解
C.负胶在显影时不会发生膨胀，因此分辨率不会降低
D.正胶的感光区域在显影时溶解，负胶的感光区域在显影时不溶解
E.负胶在显影时会发生膨胀，导致了分辨率的降低


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68、多项选择题  直流二极管辉光放电系统是由（）构成。

A.抽真空的玻璃管
B.抽真空后再充入某种低压气体的玻璃管
C.两个电极
D.加速器
E.增益管


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69、多项选择题  晶片表面上的粒子是通过（）到达晶片的表面。

A.粒子扩散
B.从气体源通过强迫性的对流传送
C.化学反应
D.被表面吸附
E.静电吸引


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70、多项选择题  净化室将硅片制造设备与外部环境隔离，免受诸如（）的沾污。

A.颗粒
B.金属
C.有机分子
D.静电释放（ESD）
E.水


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71、单项选择题  当二氧化硅膜很薄时，膜厚与时间（）。

A.t2成正比
B.t2成反比
C.t成正比
D.t成反比


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72、单项选择题  大硅片上生长的（）的不均匀和各个部位刻蚀速率的不均匀会导致刻蚀图形转移的不均匀性。

A.薄膜厚度
B.图形宽度
C.图形长度
D.图形间隔


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73、单项选择题  在集成电路工艺中，光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是（）。

A.刻蚀
B.氧化
C.淀积
D.光刻


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74、多项选择题  下列物质的等离子体适合用以刻蚀铝合金中硅的有（）。

A.CF4
B.BCl3
C.Cl2
D.F2
E.CHF3


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75、单项选择题  离子束垂直进入均匀的正交磁场后，将同时受到电场力和（）的作用。

A.洛仑兹力
B.反向的电场力
C.库仑力
D.重力


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76、单项选择题  （）是指每个入射离子溅射出的靶原子数。

A.溅射率
B.溅射系数
C.溅射效率
D.溅射比


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77、单项选择题  沾污引起的电学缺陷引起（），硅片上的管芯报废以及很高的芯片制造成本。

A.不会影响成品率
B.晶圆缺陷
C.成品率损失
D.晶圆损失


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78、多项选择题  二氧化硅薄膜厚度的测量方法有（）。

A.比色法
B.双光干涉法
C.椭圆偏振光法
D.腐蚀法
E.电容-电压法


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79、单项选择题  （）主要是以化学反应方式来进行薄膜沉积的。

A.PVD
B.CVD
C.溅射
D.蒸发


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80、多项选择题  溅射的方法非常多其中包括（）。

A.直流溅射
B.交流溅射
C.反应溅射
D.二级溅射
E.三级溅射


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81、单项选择题  离子源的作用是使所需要的杂质原子电离成（）离子，并通过一个引出系统形成离子束。

A.正
B.负
C.中性
D.以上答案都可以


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82、单项选择题  为了防止抽气设备对离子注入系统的油污染，可在靶室前增加一个（）或采用无油泵。

A.液氮冷阱
B.净化阱
C.抽气阱
D.无气泵


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83、单项选择题  固体中的扩散模型主要有填隙机制和（）。

A.自扩散机制
B.杂质扩散机制
C.空位机制
D.菲克扩散方程机制


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84、单项选择题  当热氧化的最初阶段，（）为限制反应速率的主要原因。

A.温度
B.硅-二氧化硅界面处的化学反应
C.氧的扩散速率
D.压力


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85、单项选择题  为了避免（）在经过氯化物等离子体刻蚀之后的残留物使其发生腐蚀，必须在刻蚀完毕之后再增加一道工序来除去这些表面残留物。

A.多晶硅
B.单晶硅
C.铝硅铜合金
D.铜


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86、单项选择题  降低靶的温度，有利于非晶层的形成，所以临界注入量随之（）。

A.增大
B.减小
C.不变
D.变为0


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87、单项选择题  在确定扩散率的测结深实验中，结深的测量是采用HF和（）的混和液对磨斜角进行化学染色的。

A.乙醇
B.HCL
C.H2SO4
D.HNO3


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88、单项选择题  离子散射方向与入射方向的夹角，称为（）。

A.渐近角
B.偏折角
C.散射角
D.入射角


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89、单项选择题  电子束蒸发的设备中产生电子束的装置称为（）。

A.电子源
B.电子泵
C.电子管
D.电子枪


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90、单项选择题  用真空蒸发与溅射法在硅片或二氧化硅膜上涂敷金属材料，是形成电极的（）。

A.重要步骤
B.次要步骤
C.首要步骤
D.不一定


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91、单项选择题  （）由钟罩、蒸气源加热器、衬底加热器、活动挡板和底盘构成。

A.真空镀膜机
B.真空镀膜室
C.真空镀膜器
D.真空镀膜仪


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92、单项选择题  Torr是指（）的单位。

A.真空度
B.磁场强度
C.体积
D.温度


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93、单项选择题  下列哪些因素不会影响到显影效果的是（）。

A.显影液的温度
B.显影液的浓度
C.显影液的溶解度
D.显影液的化学成分


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94、多项选择题  静电释放带来的问题有哪些（）。

A.金属电迁移
B.金属尖刺现象
C.芯片产生超过1A的峰值电流
D.栅氧化层击穿
E.吸引带电颗粒或极化并吸引中性颗粒到硅片表面


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95、多项选择题  下列可作为磷扩散源的是（）。

A.磷钙玻璃
B.三氯氧磷
C.三氯化磷
D.磷烷
E.掺磷二氧化硅乳胶源


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96、多项选择题  关于正胶和负胶在显影时的特点，下列说法正确的是（）。

A.负胶的感光区域溶解
B.正胶的感光区域溶解
C.负胶的感光区域不溶解
D.正胶的感光区域不溶解
E.负胶的非感光区域溶解


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97、单项选择题  半导体硅常用的施主杂质是（）。

A.锡
B.硫
C.硼
D.磷


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98、单项选择题  干氧氧化法有一些优点，但同时它的缺点有（）。

A.生长出的二氧化硅中引入很多可动离子
B.氧化的速度慢
C.生长的二氧化硅缺陷多
D.生长的二氧化硅薄膜钝化效果差


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99、单项选择题  point defect的意思是（）。

A.点缺陷
B.线缺陷
C.面缺陷
D.缺失的点


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100、多项选择题  有关光刻胶的显影下列说法错误的是（）。

A.负胶受显影液的影响比较小
B.正胶受显影液的影响比较小
C.正胶的曝光区将会膨胀变形
D.使用负胶可以得到更高的分辨率
E.负胶的曝光区将会膨胀变形


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