1、单项选择题  如下不是降低光电倍增管的暗电流的方法（）。

A.直流补偿
B.选频和锁相缩小
C.冷却光电倍增管
D.增加电磁屏蔽

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本题答案：B
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2、问答题  简述PIN型的光电二极管的及特点？

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本题答案：特点：PIN管的最大特点是频带宽，可达10GHz。缺点
本题解析：试题答案特点：PIN管的最大特点是频带宽，可达10GHz。缺点：由于I层的存在，管子的输出电流小，一般多为零点几微安至数微安。

3、单项选择题  磁场垂直于霍尔薄片，磁感应强度为B，但磁场方向与原磁场强度相反（θ＝180°）时，霍尔电动势（），因此霍尔元件可用于测量交变磁场。

A.绝对值相同，符号相反
B.绝对值相同，符号相同
C.绝对值相反，符号相同
D.绝对值相反，符号相反

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本题答案：A
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4、单项选择题  为了实现均匀倍增，雪崩光电二极管衬底掺杂材料要求（）。

A.浓度均匀
B.浓度大
C.浓度小
D.浓度适中

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本题答案：A
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5、名词解释  光电传感器分类

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本题答案：直射式、反射式、辐射式
本题解析：试题答案直射式、反射式、辐射式

6、问答题  光电管、光电倍增管的光谱特性取决于什么、结构和原理？

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本题答案：光电管：光谱特性——阴极材料不
本题解析：试题答案光电管：光谱特性——阴极材料不同时，对不同波长的光敏感度不同工作原理和结构如图。光电倍增管：光谱响应宽特别是对红光和红外光。工作原理：阴极在光照下发射出光电子，光电子受到电极间电场作用而获得较大的能量，当电子以足够的速度打到倍增电极上时，倍增电极便会产生二次电子发射，使得向阳极方向运动的电子数目成倍的增加，经过多极倍增，最后到达阳极被收集而形成阳极电流随着光信号的变化、在倍增极不变的条件下，阳极电流也随光信号而变化达到把小的光信号变成大的电信号的目的。结构：光阳极K，倍增极D，阳极A。

7、问答题  试述光电二极管与光电池的区别？

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本题答案：区别有四：光电二极管电阻大、掺杂小、面积小、反偏工作；
本题解析：试题答案区别有四：光电二极管电阻大、掺杂小、面积小、反偏工作；光电池电阻小、掺杂大、受光面积大、电阻小、无偏状态工作。

8、问答题  为什么功能型光纤传感器在结构上是连续的？

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本题答案：功能型传感器利用光纤本身的特性，把光纤作为敏感元件既感
本题解析：试题答案功能型传感器利用光纤本身的特性，把光纤作为敏感元件既感知信息又传输信息，光纤与被测对象相互作用时光纤本身的结构参量（尺寸和形状）发生变化，光纤的传光特性发生相关变化，光纤中的光波参量受到相应控制即在光纤中传输的光波受到了被测对象的调制，空载波变为调制波，携带了被测对象的信息，另一层意思，光纤与被测对象作用时，光纤自身的结构参量并不发生变化，而光纤中传输的光波自身发生了某种变化，携带了待测信息。

9、填空题  能够产生光电发射效应的物体称为（）。

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本题答案：光电发射体
本题解析：试题答案光电发射体

10、填空题  摄像管的工作原理是先将输入的光学图像转换成（），然后通过电荷的积累和存储构成（），最后通过（）把电位图像读出。

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本题答案：电荷图像；电位图像；电子束扫描
本题解析：试题答案电荷图像；电位图像；电子束扫描

11、问答题  简述液晶的工作原理？

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本题答案：液晶分子的棒状结构具有偶极矩，在电场的作用下，偶极矩要
本题解析：试题答案液晶分子的棒状结构具有偶极矩，在电场的作用下，偶极矩要按电场的方向取向，使分子原有的排列方式受到破坏，从而使液晶的光学性能变化，如原来是透光的变成不透光，或相反。把这种因外加电场的作用导致液晶光学性能发生变化来源:91考试 网的现象称为液晶的电光效应。

12、单项选择题  ZnS的发光是（）。

A.自发辐射
B.受激 辐射
C.热辐射
D.电致发光

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本题答案：D
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13、填空题  由施主能级激发到导带中去的电子来导电的半导体，称为（）。

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本题答案：N型半导体
本题解析：试题答案N型半导体

14、问答题  简述三种主要光电效应的基本工作原理？

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本题答案：当半来源:91考试网 91Exam.org导体材料受光照时，由于对光子的吸收引起载流子浓度增
本题解析：试题答案当半导体材料受光照时，由于对光子的吸收引起载流子浓度增大，因而导致材料电导率增大，这种现象称为光电导效应，是一种内光电效应。材料对光的吸收有本征型和非本征型，所以光电导效应也有本征型和非本征型两种。当光照射PN结时，只要入射光子能量大于材料禁带宽度，就会在结区产生电子－空穴对。光生电子——空穴对就被内建电 场分离开来，空穴留在P区，电子通过扩散流向N区，这种光照零偏PN结产生开路电压的效应，称为光伏效应.当光照射到某种物质时，若入射的光子能量足够大，那么它和物质中的电子相互作用，可致使电子逸出物质表面，这种现象称为光电发射效应，又称为外光电效应。

15、填空题  施主能级和导带底之间的能量差，称为（）。

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本题答案：施主电离能
本题解析：试题答案施主电离能

16、填空题  S（λ）＝U（λ）/Ф（λ），S（λ）称为光电器件的（）

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本题答案：光谱灵敏度
本题解析：试题答案光谱灵敏度

17、单项选择题  彩色CCD有（）种。

A.1
B.2
C.3
D.4

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本题答案：C
本题解析：暂无解析

18、单项选择题  线阵CCD主要是通过（）工作。

A.电荷
B.电压
C.电流
D.电阻

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本题答案：A
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19、问答题  什么叫光伏效应？

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本题答案：半导体受光照，产生电子－空穴对，在结电场作用下，空穴流
本题解析：试题答案半导体受光照，产生电子－空穴对，在结电场作用下，空穴流向P区，电子流向N区，在结区两边产生势垒的效应。

20、问答题  热释电器件必须在什么样的信号的作用下才会有电信号输出？

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本题答案：交变辐射。
本题解析：试题答案交变辐射。

21、名词解释  内光电效应

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本题答案：物体受到光照后所产生的光电子只在物质内部而不会逸出物体外部。
本题解析：试题答案物体受到光照后所产生的光电子只在物质内部而不会逸出物体外部。多发生在半导体。

22、单项选择题  硅光电二极管与硅光电池比较，后者（）。

A.掺杂浓度低
B.电阻率低
C.反偏工作
D.光敏面积小

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本题答案：B
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23、填空题  CCD的基本功能就是电荷存储和（）。CCD的工作过程就是信号电荷的（）、（）、（）和检测的过程。

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本题答案：电荷转移；产生；存储；转移
本题解析：试题答案电荷转移；产生；存储；转移

24、问答题  APD光电二极管在结构上有什么优点，为什么？

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本题答案：雪崩式光电二极管（APD.结构特点：在光照时，P+层受
本题解析：试题答案雪崩式光电二极管（APD.结构特点：在光照时，P+层受光子能量激发的电子从价带跃迁到导带，在高电场作用下电子从高速通过P层产生碰撞电离形成的大量新生电子空穴对，并且它们也从电场中获得高能量，与从P+层来的电子一起再次碰撞P区的其他原子，又产生大批新电子。

25、单项选择题  光电探测器单位信噪比的光功率，称为光电探测器的（）。

A.电流灵敏度；
B.光谱灵敏度；
C.噪声等效功率；
D.通量阈；

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本题答案：C
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26、填空题  在P型衬底MOS结构的金属电极上施加正电压时，接近半导体表面处的（）被排斥，留下（）形成（）。

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本题答案：空穴；受主离子；耗尽区
本题解析：试题答案空穴；受主离子；耗尽区

27、多项选择题  固体发光器件有（）。

A.LCD
B.PDP
C.ECD
D.EPD
E.VFD

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本题答案：A, B, C, D, E
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28、单项选择题  充气白炽灯主要充入（）。

A.氩气
B.氙气
C.氖气
D.氪气

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本题答案：A
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29、填空题  自由空穴浓度大于自由电子浓度的半导体是（）型半导体

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本题答案：P
本题解析：试题答案P

30、单项选择题  PN结光生伏特效应（）。

A.电子集中的P区
B.电子集中的N区结表面
C.电子集中的P区表面
D.电子集中的N区表面

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本题答案：B
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