高考省级导航 | |
|
|
高中物理知识点大全《电磁感应中切割类问题》高频考点强化练习(2017年最新版)(四)
![]() 参考答案:D 本题解析: 本题难度:简单 2、选择题 如图所示,虚线框内的磁场在均匀增大,直虚线经过圆心。则 参考答案:AC 本题解析: 本题难度:一般 3、简答题 如图所示,在高度差h=0.5m的平行虚线范围内有匀强磁场,磁场的磁感应强度为B=0.5T,方向垂直于竖直平面向里.正方形线框abcd,其质量为m=0.1kg,边长为L=0.5m,电阻为R=0.5Ω,线框平面与竖直平面平行.线框静止在位置I时,cd边与磁场的下边缘有一段距离,现用一竖直向上的恒力F=4.0N向上拉动线框,使线框从位置Ⅰ无初速的向上运动,并穿过磁场区域,最后到达位置Ⅱ(ab边刚好出磁场).线框平面在运动过程中始终在竖直平面内,且cd边保持水平.设cd边刚进入磁场时,线框恰好开始做匀速运动. 参考答案:(1)由于线框cd边刚进入磁场时,线框恰好开始做匀速运动,故此时线框所受合力为零,分析可知 F-mg-FA=0 本题解析: 本题难度:一般 4、选择题 如图,在水平面(纸面)内有三根相同的均匀金属棒ab、ac和MN,其中ab、ac在a点接触,构成“V”字型导轨.空间存在垂直于纸面的均匀磁场.用力使MN向右匀速运动,从a位置开始计时,运动中MN始终与∠bac的平分线垂直且和导轨保持良好接触.下列关于回路中电流i与时间t的关系图线,可能正确的是( ) |
参考答案:设∠bac=2θ,单位长度电阻为R0
则MN切割产生电动势E=BLv=Bv?2vt×tanθ=2Bv2ttanθ
回路总电阻为R=(2vttanθ+2vtcosθ)R0=vtR0(2tanθ+2cosθ)
由闭合电路欧姆定律得:I=ER=2Bv2t?tanθvtR0(2tanθ+2cosθ)=2BvtanθR0(2tanθ+2cosθ)
i与时间无关,是一定值,故A正确,BCD错误,
故选:A.
本题解析:
本题难度:一般
5、简答题 如图所示,在光滑的水平桌面上,放置一两边平行的质量为M,宽为L的足够长的“U”开金属框架,其框架平面与桌面平行.其ab部分的电阻为R,框架其它部分电阻不计.垂直框架两边放一质量为m、电阻为R的金属棒cd,它们之间的动摩擦因数为μ,且接触始终良好.cd棒通过不可伸长的细线与一个固定在O点力的显示器相连,始终处于静止状态.现在让框架由静止开始在水平恒定拉力F的作用下(F是未知数),向右做加速运动,设最大静摩擦力和滑动摩擦力相等.最终框架匀速运动时力的显示器的读数为2μmg.已知框架位于竖直向上足够大的匀强磁场中,磁感应强度为B.求
(1)框架和棒刚运动的瞬间,框架的加速度为多大?
(2)框架最后做匀速运动时的速度多大?
参考答案:(1)对框架、cd棒受力分析如图:当框架匀速运动时,
对框架有:F=f+F安,
对棒cd有:2μmg=f+F安,
则得F=2μmg
框架和棒刚运动的瞬间,对框架,由牛顿纴第二定律得
? F-2μmg=Ma
解得 a=μmgM
(2)设框架最后做匀速运动时的速度大小为v,则感应电动势为E=BLv
回路中感应电流为 I=ER+R
对框架,由力的平衡得:F=BIL+μmg
联立以上各式得到:v=2μmgRB2L2
答:
(1)框架和棒刚运动的瞬间,框架的加速度为μmgM.
(2)框架最后做匀速运动时的速度为2μmgRB2L2.
本题解析:
本题难度:一般
|
||
【大 中 小】【打印】 【繁体】 【关闭】 【返回顶部】 | ||
下一篇:高考物理题《牛顿第二定律及应用.. |