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1、选择题 半导体靠自由电子(带负电)和空穴(相当于带正电)导电,分为p型和n型两种。p型半导体中空穴为多数载流子;n型半导体中自由电子为多数载流子。现在一个学生研究小组用以下实验可以判定一块半导体材料是p型还是n型:将材料放在匀强磁场中,通以图示方向的电流I,用电压表比较上表面M和下表面N的电势高低,则
[? ]
A.若M电势高,就是p型半导体
B.若M电势高,就是n型半导体
C.若N电势高,就是p型半导体
D.若N电势高,就是n型半导体
参考答案:AD
本题解析:
本题难度:一般
2、填空题 有一匀强磁场,磁感应强度为0.5T,方向由南向北,并与水平面平行.如果有一速度为6.0×105m/s的质子沿竖直向下的方向进入磁场,质子受该磁场的洛仑兹力大小是______N,方向向______.(e=1.6×10-19C)
参考答案:洛伦兹力的大小F=qvB=1.6×10-19×6×105×0.5=4.8×10-14 N,根据左手定则,安培力的方向水平向东.
故答案为:4.8×10-14?N、水平向东.
本题解析:
本题难度:一般
3、选择题 两个电荷量分别为q和-q的带电粒子分别以速度va和vb沿射入匀强磁场,两粒子的入射方向与磁场边界的夹角分别为30°和60°,磁场宽度为d,两粒子同时由A点出发,同时到达B点,如图所示,则:
A.a粒子带负电,b粒子带正电
B.两粒子的轨道半径之比Ra∶Rb=∶1
C.两粒子的质量之比ma∶mb=1∶2
D.两粒子的速度之比va∶vb=1∶2
参考答案:AC
本题解析:根据左手定则可判定a带负电,同理可知b带正电,所以选项A正确;
由图可知,两个粒子在磁场中的半径之比为,所以选项B错误;圆弧所对应的圆心角分别为1200、600,故所用时间分别为,根据可知,所以可解得,故选项C正确;根据可知,,所以选项D错误;
本题难度:一般
4、选择题 长为 L 的正方形线框abcd电阻为 R ,以速度V匀速进入边长为L的正方形区域,该区域中磁场方向如图所示,磁感应强度大小均为 B ,则线框进入过程中(? )
A.线框中产生的感应电流方向不变
B.线框刚进入磁场瞬间ab两点间电势差
C.线框进入L/2时所受安培力为
D.线框进入L/2过程中电路中产生的电量为
参考答案:BD
本题解析:线框进入过程中,到L/2时方向改变,A错;线框刚进入磁场瞬间ab两点间电势差为路端电压,Uab=,B对;线框进入L/2时所受安培力为0,C错;由,,,联立得q=
D对。
本题难度:一般
5、填空题 粒子和氘核以相同的初动能自同一点垂直射入匀强磁场,在磁场中粒子和氘核运动半径之比为?,周期之比为?。?
参考答案:? 1:1
本题解析:粒子在磁场中轨迹半径,粒子,氘核因为动能相同,一算可得半径之比,运动周期可知周期之比1:1
本题难度:简单
We learn form the mistakes of others. 我们能从别人的错误中得到教训.