1、选择题  共价键、离子键和范德华力都是微粒之间的不同作用力，下列物质的晶体中含有上述两种作用力的是（?）
①Na2O2? ②SiO2?③石墨? ④金刚石? ⑤CaCl2? ⑥白磷
A．①③⑥
B．①②④
C．②④⑥
D．③④⑤

2、填空题  A、B、C、D、E都是元素周期表中前20号元素，其原子序数依次增大。B、C、D同周期，A、D同主族，E和其它元素既不在同周期也不在同主族。B、C、D的最高价氧化物的水化物均能互相反应生成盐和水。A和E可形成离子化合物，其晶胞结构如下图所示

（1）A和E所形成的化合物的电子式是______________
（2）A、B、C、D四种元素的原子半径由小到大的顺序为_____________（用元素符号表示）
（3）A和D的氢化物中，后者沸点较低，原因是__________________
（4）A和E的化合物晶体中，每个阳离子的周围与它最近且等距离的阳离子共有______个
（5）已知A和E所形成的化合物晶体的晶胞体积为1.6×10-22cm3，则A和E组成的离子化合物的密度为
___________（结果保留一位小数）

3、填空题  下图为一个金属铜的晶胞，请完成以下各题。


1）该晶胞“实际”拥有的铜原子数是?个。
2）该晶胞称为?。
A．六方晶胞? B．体心立方晶胞? C．面心立方晶胞
3）此晶胞立方体的边长为a cm，Cu的相对原子质量为64。阿伏加德罗常数为NA 。金属铜的晶体密度ρ为?g/cm3。(用a、NA?表示)。
4）铜原子采取的这种堆积方式的空间利用率为?。（填数值）

4、简答题  2010年上海世博会场馆，大量的照明材料或屏幕都使用了发光二极管（LED）．目前市售LED品片，材质基本以GaAs（砷化镓）、AlGaInP（磷化铝镓铟）、lnGaN（氮化铟镓）为主．已知镓是铝同族下一周期的元素．砷化镓的晶胞结构如图．试回答：
（1）镓的基态原子的电子排布式是______．
（2）砷化镓晶胞中所包含的砷原子（白色球）个数为______，与同一个镓原子相连的砷原子成的空间构型为______．
（3）N、P、As处于同一主族，其氢化物沸点由高到低的顺序是______．?（用氢化物分子式表示）
（4）砷化镓可由（CH3）3Ga和AsH3在700℃时制得．（CH3）3Ga中镓原子的杂化方式为______．
（5）比较二者的第一电离能：As______Ga（填“＜”、“＞”或“=”）．
（6）下列说法正确的是______（填字母）．
A．砷化镓晶胞结构与NaCl相同B．GaP与GaAs互为等电子体
C．电负性：As＞Ga?D．砷化镓晶体中含有配位键．

5、判断题  AX4四面体 (A为中心原子，如硅、锗；X为配位原子，如氧、硫) 在无机化合物中很常见。四面体T1按下图所示方式相连可形成一系列“超四面体”（T2、T3···）：

⑴ 上图中T1、T2和T3的化学式分别为AX4、A4X10和A10X20，推出超四面体T4的化学式。
⑵ 分别指出超四面体T3、T4中各有几种环境不同的X原子，每种X原子各连接几个A原子？在上述两种超四面体中每种X原子的数目各是多少？
⑶ 若分别以T1、T2、T3、T4为结构单元共顶点相连（顶点X原子只连接两个A原子），形成无限三维结构，分别写出所得三维骨架的化学式。
⑷ 欲使上述T3超四面体连接所得三维骨架的化学式所带电荷分别为+4、0和-4，A选Zn2+、In3+或Ge4+，X取S2-，给出带三种不同电荷的骨架的化学式（各给出一种，结构单元中的离子数成简单整数比）。