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1、选择题 若aAn+与bBz-两种离子的电子层结构相同,其核外电子数为x,则下列说法正确的是:
A? a=b? B? a-n=b+z? C? b= x+z? D? a=x+z
参考答案:B
本题解析:上周期? B?
下周期? A?则:a-n=b+z=x
本题难度:一般
2、选择题 2001年11月,意大利科学家成功研制出一种新的氧分子(O4),关于O4说法正确的是(? )
A.与O2互为同位素
B.与O2互为同素异形体
C.是氧元素的新单质
D.它不是氧的一种单质
参考答案:BC
本题解析:O4是由氧元素组成的一种新的单质,是O2的同素异形体。
本题难度:简单
3、选择题 下列说法错误的是
A.在多电子的原子里,能量高的电子通常在离核近的区域内活动
B.元素周期表中,在金属与非金属的分界线附近可以找到半导体材料
C.含有离子键的化合物一定是离子化合物
D.全部由非金属组成的化合物可能是离子化合物
参考答案:A
本题解析:能量高的电子通常在离核远的区域内活动,故A错误;如:NH4Cl,故D正确;
本题难度:一般
4、填空题 2010年上海世博会场馆,大量的照明材料或屏幕都使用了发光二极管(LED)。目前市售LED晶片,材质基本以GaAs(砷化镓)、AlGaInP(磷化铝镓铟)、InGaN(氮化铟镓)为主。砷化镓的晶胞结构如图。试回答:

(1)镓的基态原子的电子排布式是_______。
(2)砷化镓晶胞中所包含的砷原子(白色球)个数为______,与同一个镓原子相连的砷原子构成的空间构型为______。
(3)下列说法正确的是_________(填字母)。
A.砷化镓晶胞结构与NaCl相同
B.第一电离能:As<Ga
C.电负性:As>Ga
D.GaP与GaAs互为等电子体
(4)N、P、As处于同一主族,其氢化物沸点由高到低的顺序是_________。
(5)砷化镓可由(CH3)3Ga和AsH3在700 ℃时制得。(CH3)3Ga中镓原子的杂化方式为________。
参考答案:(8分)(1)1s22s22p63s23p63d104s24p1(或[Ar]3d104s24p1)
(2)4?正四面体? (3)C、D
(4)NH3>AsH3>PH3
(5)sp2
本题解析:(1)镓位于周期表中第四周期第IIIA,故其核外电子排布式为1s22s22p63d104s24p1或[Ar]3d104s24p1,故答案为:1s22s22p63d104s24p1。
(2)根据“均摊法”:白色球个数为6×(1/2) +8×(1/8)=4.由晶胞图可知与同一个镓原子相连的砷原子构成的空间构型为正四面体,故答案为:4;正四面体。
(3)A.NaCl晶体中阴阳离子的配位数为6,而砷化镓晶胞中中阴阳离子的配位数为8,二者晶体结构不同,故A错误;
B.As和Ga处于同一周期,而处于VA的As外围电子处于半满的较稳定结构,故As的第一电离能大于Ga,故B错误;
C.周期表同周期元素从左到右元素的电负性逐渐增大,则As>Ga,故C正确;
D.根据等电子体的概念可知二者价电子数相等,属于等电子体,故D正确;
故答案为:CD.。
(4)由于NH3分子间存在氢键,所以NH3的沸点最高,由于AsH3的相对分子质量大于PH3,故AsH3的沸点高于PH3,
故答案为:NH3>AsH3>PH3;
(5)由于Ga原子周围只有3对成键电子对,故其杂化方法为sp2,故答案为:sp2。
点评:本题以第三代半导体砷化镓为背景,全面考查原子结构与性质、分子结构及晶体结构知识灵活掌握程度,另一方面通过LED推广使用形成节能减排价值取向和环境友好的消费情趣.这类试题常常是通过小背景作为生长点,融合物质的结构与性质大部分知识内容。
本题难度:一般
5、填空题 (12分)下图所示为血红蛋白和肌红蛋白的活性部分――血红素的结构式。

回答下列问题:
⑴血红素中含有C、H、O、N、Fe五种元素,C、N、O三种元素的第一电离能由小到大的顺序是?,写出基态Fe原子的核外电子排布式?。
⑵血红素中N原子的杂化方式为?,在右上方的方框内用“→”标出Fe2+的配位键。
⑶铁有δ、γ、α三种同素异形体,γ晶体晶胞中所含有的铁原子数为?,δ、α两种晶胞中铁原子的配位数之比为?。
参考答案:(1)C<O<N(2分)[Ar]3d64s2(2分)(2)sp2、sp3(2分)
(2分)
(3)4(2分)? 4:3(2分)
本题解析:(1)同周期元素的自左向右第一电离能依次增大(注意N原子的半充满特例):C<O<N;基态Fe原子的核外电子排布式:[Ar]3d64s2;
⑵根据结构图可看出N原子既有单键还有双键,连双键的两个N原子是sp2杂化,另两个N原子为sp3杂化;
(3)γ晶体晶胞中所含有的铁原子数:8×1/8 + 6×1/2=4
δ晶胞中铁原子的配位数为8,α晶胞中铁原子的配位数为6
本题难度:一般