1、填空题  氰(CN)2、硫氰(SCN)2的化学性质和卤素（X2）很相似，化学上称为拟卤素[如：（SCN）2+H2O==HSCN+HSCNO]，它们阴离子的还原性强弱顺序为：I-?>?SCN-?>?CN-?>?Br-?>?Cl-，试写出：
①（CN）2与KOH溶液反应的化学方程式_______________；
②NaBr和KSCN的混合溶液中加入（CN）2，反应的离子方程式为_____________。

参考答案：①（CN）2?+?2KOH?==?KCN?+?KCNO?+?H2O
②（CN）2?+?2SCN-?==?（SCN）2?+?2CN-

本题解析：

本题难度：一般

2、填空题  （12分）按要求进行书写：
　　（1）氯化钡的电离方程式：___________
　　（2）氢氧化亚铁在空气中被氧化的化学方程式：___________
　　（3）过氧化钠与水反应的化学方程式：___________
　　（4）在化学方程式上用双线桥法表示电子转移的方向及数目：
　　MnO2＋4HCl（浓） MnCl2＋2H2O＋Cl2↑

参考答案：（1）BaCl2 = Ba2+ + 2Cl－
　　（2）4Fe(OH)2 + O2 + 2H2O = 4Fe(OH)3
　　（3）2Na2O2 + 2H2O =" 4NaOH" +O2↑
　　（4）
　　

本题解析：略

本题难度：简单

3、选择题  元素周期表中ⅢA族的一种元素A与ⅥA族的一种元素B化合，下列情况不可能的是
A.形成A3+和B2-
B.形成化合物的化学式是A2B3
C.形成的化合物在常温下是气体
D.形成共价化合物

参考答案：C

本题解析：ⅢA的金属和ⅥA的非金属形成金属化合物，常温下不可能为气体．

本题难度：一般

4、选择题  下列叙述正确的是（　　）
A．生成物总能量一定低于反应物总能量
B．放热反应速率总是大于吸热反应速率
C．形成离子键的阴、阳离子间只存在静电吸引力
D．元素周期律是元素原子核外电子排布周期性变化的结果

参考答案：A、根据能量守恒得，当该反应放热时，反应物的总能量大于生成物的总能量，当吸热时，反应物的总能量小于生成物的总能量，故A错误；
B、影响反应速率的因素有浓度、温度、催化剂等，与是放热反应还是吸热反应无关，故B错误；
C、离子化合物中有同种离子间的排斥力，阴阳离子间的吸引力，故C错误；
D、元素周期律是元素原子核外电子排布周期性变化的结果，故D正确；
故选D．

本题解析：

本题难度：简单

5、简答题  针对下面10种元素，完成以下各小题．

参考答案：（1）地壳中含量最多的元素是氧；
故答案为：氧；
（2）Ne为零族元素，最外层电子数为8，处于稳定结构，化学性质最不活泼；
故答案为：Ne；
（3）铝原子核外电子数为13，有3个电子层，最外层电子数为3，原子结构示意图为：；
故答案为：；
（4）同周期随原子序数的增大，核电荷数对核外电子引力增大，原子半径减小，故原子半径C＞N；
故答案为：N；
（5）根同周期自左而右金属性减弱，同主族自上而下金属性增强，金属性最强的元素处于周期表的左下角，Na元素的金属性最强，故NaOH碱性最强；
故答案为：NaOH；
（6）MgO与酸反应生成盐与水，不与碱反应，不属于两性氧化物，Al2O3能与酸或碱反应生成盐与水，属于两性氧化物；
故答案为：Al2O3；
（7）同周期自左而右元素的非金属性增强，故非金属S＜Cl；
故答案为：Cl；
（8）制造光导纤维的物质是二氧化硅，晶体硅的主要用途是作半导体材料制作芯片或制造光电池等；
故答案为：二氧化硅，做半导体材料制作芯片或制造光电池．

本题解析：

本题难度：简单