中国科学院微电子研究所成立于1958年，通过长期不懈的努力，已成为国内微电子领域最重要的研发机构之一。为了加强学科的发展，博士后流动站现诚聘相关专业优秀博士入站从事科研工作。

一、研究方向

（一）硅器件与集成技术研发中心

该研究室面向半导体硅基器件及集成电路研究，以超大规模集成电路设计技术和产品研制为主。目前致力于SOI集成电路、功率器件的设计、产品研制、测试及可靠性等技术研究。研发中心下设SOI集成电路、功率器件、显示驱动、测试及可靠性技术四个课题组，拥有一个器件设计&仿真实验室、一个集成电路测试实验室、一个功率器件全参数测试实验室和一个可靠性检测&失效分析实验室。

（二）专用集成电路与系统研究室

该研究主要从事硅集成电路设计技术研究。研究室下设实时信号处理、混合信号电路、宽带通信系统、嵌入式与多核DSP、高可靠电路和汽车电子芯片等六个专业实验室。专用集成电路与系统研究室面向高速无线接入、高可靠低功耗无线传输、汽车电子、医疗电子和绿色节能等领域，开展超高速无线局域网协议与芯片、电力线与物联网通信芯片、高性能多核DSP、高性能数模混合IP核、智能传感器接口与预处理电路、绿色电源管理芯片的应用开发，以及极低功耗集成电路设计技术、高可靠集成电路设计技术、可编程逻辑器件架构与配套软件技术等前沿关键技术研究。

（三）纳米加工与新器件集成技术研究室

该研究室在国内最早开展亚微米微细加工技术研究，研究室以国家重大需求为导向，坚持自主创新的特色，开展广泛的国内外合作，积极推进科研成果的转化。主要研究方向为：纳米加工与先进掩模制造技术、新型存储器技术、纳米尺度衍射光学元件、有机器件和电路、微纳传感与应用等，同时对外提供光学掩模制版服务。

（四）微波器件与集成电路研究室

主要从事新型微波器件与集成电路技术研发，是我国化合物半导体器件和电路研究的开 创者之一。研究室下设4英寸化合物半导体工艺线、微波单片集成电路（MMIC）设计和测试、超高频大功率微波模块与系统集成、新型太阳能电池制造技术、新型纳米集成电路工艺等实验室和科研平台。

（五）通信与多媒体SOC研究室

该研究室主要围绕通信与多媒体SOC芯片开展研究。目前主要研究内容包括：GPS/伽利略等卫星导航接收机SOC芯片、TD-SCDMA基带SOC芯片、WiMax基带芯片、IPTV多媒体处理器SOC芯片等前沿领域，嵌入式处理器设计以及数模混合电路设计。

（六）电子系统总体研究室

该研究室主要从事现代新型通信、高端导航定位、无线传感网以及移动数字电视等系统的关键技术、核心芯片、模块与系统的研究开发，提供国家急需的上述各种集成系统的解决方案，协调微电子所内各研究室完成从天线、微波高频芯片到基带芯片的系统级专题项目研究。主要研究方向包括：现代通信系统、集成电路设计、高端卫星导航定位、微波器件及模块等。

（七）电子设计平台与共性技术研究室

该研究室主要在纳米级芯片设计方法学及EDA技术、SoC/IP核共性技术、物联网系统架构及核心芯片技术等领域开展研究。研究室作为中国科学院EDA中心核心技术资源提供单位，开展中国科学院EDA中心技术服务业务所需的核心共性技术研究，以提升EDA中心的技术服务能力和水平。同时针对微电子行业的产业共性技术进行研究。

（八）微电子设备技术研究室

该研究室综合利用本所微电子工艺优势和多年的设备研制经验进行微电子成套设备技术研究，以实现微电子设备国产化。主要的科研方向包括：新型集成电路制造与测试装备、新型太阳能电池制造技术和装备、高效率LED制造技术和装备、MEMS加工技术和装备及关键的射频功率源系统技术。

（九）系统封装技术研究室

该研究室专门从事先进电子封装与集成技术的研究与开发。针对后摩尔时代集成电路向三维集成技术发展，以及电子系统对小型化、多功能、高性能、高可靠、低成本、低能耗的需求，研究室开展了三维集成、系统级封装、高密度封装、特种封装等关键技术研发，同时进行先进高密度光互连集成技术研究与产品开发。

（十）集成电路先导工艺研发中心

该研发中心围绕集成电路先导工艺技术研究，致力于CMOS前沿工艺技术、MEMS器件与集成技术研究、新原理的微细加工技术和设备研发，该中心拥有一条完整的8英寸研发线，采用工业级设备，并在多个关键模块上拥有特色工艺能力。主要研究方向包括CMOS先导工艺技术研究，MEMS器件与集成技术研究，新原理半导体设备研发等。

（十一）射频集成电路研究室

该研究室主要从事RFIC和MMIC设计及相关模块开发的研究，已开发出多款具有自主知识产权的射频集成电路和模块，部分成果已经在国家工程中获得应用，致力于先进通信技术研发及相关产业发展，与国内外多家相关研究机构保持良好而稳固的合作关系。主要研究方向包括：射频、微波及毫米波集成电路设计和模块研制，同时致力于射频新技术、新产品的研发和产业化推广。

二、应聘条件

符合国家关于博士后入站条件，所学专业、主要研究方向和研究特长适合研究所博士后课题研究需要，并能保证入站后集中精力在研究所从事博士后研究工作。

三、应聘材料

1）个人简历。

2）发表的论著目录、论著引用情况及3～5篇代表性论文。

3）相关证明材料（已取得的重要科研成果（含专利）证明、国内外任职情况证明、最高学位证书、身体健康状况证明等）。

4）对开展应聘学科科研工作的设想、计划和要求。

四、联系方式

电话：010-82995846

传真：010-62049837

地址：北京市朝阳区北土城西路3号微电子研究所人教处

邮政编码：100029

E-mail：hr@ime.ac.cn

网址：http://www.ime.cas.cn

http://www.ime.ac.cn/zszp/zpxx/201411/t20141117_4253748.html