1、填空题  

（1）图1所示一些晶体的结构（晶胞），其中代表干冰的是______；
（2）MgO晶胞空间构型与NaCl晶体相同，MgO晶体中Mg2+的配位数为______．与同个Mg2+等距且最近的O2-围成的空间几何构型是______．MgO晶体熔点高于NaCl晶体，原因是______；
（3）若C、D代表某种元素中的两种同分异构体，C中原子的杂化类型是______，属于______晶体．D中原子的杂化类型是______，D能导电的原因是______；
（4）原子晶体能否形成最密堆积结构？______，原因是______；
（5）偏钛酸钡的热稳定性好，介电常数高，在小型变压器、话筒和扩音器中都有应用．偏钛酸钡晶体中晶胞的结构示意图如
图2所示，它的化学式是______．

2、填空题  (1)氧化物MO与SiC属于等电子体，则M2+的核外电子排布式为____；MO的熔点比CaO的高，原因是___。
(2)K3[Fe(CN)6]晶体中含有的化学键类型为___；CN-中碳原子的杂化轨道类型是____，其电子式为____。
(3)金属钛被称为继铁和铝之后崛起的第三金属，如图为高温超导领域中 的一种化合物钙-钛矿（氧化物）晶体结构中具有代表性的最小重复 单元，在该晶体中每个钛离子周围与它最近且距离相等的钛离子有 ____个。该晶体的化学式为____。

3、填空题  已知A、B、C、D、E、F都是周期表中前四周期的元素，它们的核电荷数A<B<C<D<E<F。其中B、D、F原子最外电子层的p能级(轨道)上的电子处于半满状态。通常情况下，A的一种氧化物分子为非极性分子，其晶胞结构如下图所示。E的电负性在该周期中最大。镓(Ga)与元素B形成的一种化合物是继以C单质为代表的第一代半导体材料和GaF为代表的第二代半导体材料之后，在近10年迅速发展起来的第三代新型半导体材料。?
试回答下列问题：(答题时，A、B、C、D、E、F用所对应的元素符号表示)

（1）基态Ga原子的核外电子排布式为________________。
（2）A、B、C的第一电离能由大到小的顺序为________。
（3）B元素的单质分子中有______个π键。
（4）上述A的氧化物分子中心原子采取______杂化，其晶胞中微粒间的作用力为______?
（5）FH3沸点与比BH3_____(填“高”或“低”)，原因是________________。
（6）当0.01摩尔CrE3·6H2O在水溶液中用过量的AgNO3溶液处理时，常产生0.02摩尔的AgE沉淀，已知配离子配位数为6，此样品中配离子最可能是_______________。

4、选择题  下列分子中的碳原子采取sp2杂化的是
[? ]
A.C2H2
B.C2H4
C.C3H8
D.CO2

5、填空题  2011年是伟大的化学家、1954年诺贝尔化学奖得主、著名的化学结构大师、20世纪的科学怪杰鲍林(Linus Pauling)教授诞辰110周年(1901～ 1994)。1994年这位世纪老人谢世，人们打开他的办公室，发现里面有一块黑板，画得满满的，其中一个结构式如图，老人为什么画这个结构式？它是生命前物质吗？它有什么性质？这是鲍林留给世人的一个谜，也许这是一个永远无法揭开的谜，也许你有朝一日能揭开它。不管结果如何，让我们对这个结构式试作一番考察

(1)它的分子式是__________。
(2)它的所有原子是否处于同一个平面上？__________
(3)它是否带有电荷？____________。
(4)该分子中sp杂化的N原子有____个；sp2杂化的N原子有______个；sp3杂化的N原子有____个。