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1、选择题 如图是氯化铯晶体的晶胞示意图(晶体中最小的重复结构单元),

已知晶体中2个最近的Cs+核间距为a cm,氯化铯(CsCl)的相对
分子质量M,NA为阿伏加德罗常数,则氯化铯晶体的密度为( )
A.
g· cm-3
B.
g· cm-3
C.
g· cm-3
D.
g· cm-3
2、填空题 (11分) 铬同镍、钴、铁等金属可以构成高温合金、电热合金、精密合金等,用于航空、宇航、电器及仪表等工业部门。
(1)钴原子的基态电子排布式为_____________________? _____________。
(2)金属铬的堆积方式属于A2型,其晶胞示意图为________(填序号)。


(3)氯化铬酰(CrO2Cl2)常温下为暗红色液体,熔点-96.5 ℃,沸点117 ℃,能与丙酮(CH3COCH3)、CCl4、CS2等互溶。
①固态CrO2Cl2属于______?__晶体;
②丙酮中碳原子采取的杂化方式为_?__;
③CS2属于____?_?___(填“极性”或“非极性”)分子。
(4)+3价铬的配合物K[Cr(C2O4)2(H2O)2]中,配体是________________,与C2O42—互为等电子体的分子是(填化学式)___?_____。
(5)CrCl3·6H2O(相对分子质量为266.5)有三种不同颜色的异构体:[Cr(H2O)6]Cl3、[Cr(H2O)5Cl]Cl2·H2O和[Cr(H2O)4Cl2]Cl·2H2O。为测定蒸发CrCl3溶液析出的暗绿色晶体是哪种异构体,取2.665 g CrCl3·6H2O配成溶液,滴加足量AgNO3溶液,得到沉淀1.435 g。该异构体为_________?___________(填化学式)。
3、填空题 通常人们把拆开1 mol某化学键所吸收的能量看成该化学键的键能。键能的大小可以衡量化学键的强弱,也可用于估算化学反应的反应热(ΔH),化学反应的ΔH等于反应中断裂旧化学键的键能之和与反应中形成新化学键的键能之和的差。
化学键
| Si—O
| Si—Cl
| H—H
| H—Cl
| Si—Si
| Si—C
|
键能/kJ·mol-1
| 460
| 360
| 436
| 431
| 176
| 347
|
?
请回答下列问题:
(1)比较下列两组物质的熔点高低(填“>”或“<”)。SiC____________Si;SiCl4____________SiO2。
(2)下图立方体中心的“●”表示硅晶体中的一个原子,请在立方体的顶点用“●”表示出与之紧邻的硅原子。

(3)工业上高纯硅可通过下列反应制取:SiCl4(g)+2H2(g)
Si(s)+4HCl(g)该反应的反应热ΔH=________ kJ·mol-1。
4、填空题 A、B、C、D、E都是周期表中前四周期的元素。已知A原子的p轨道中有3个未成对电子,其气态氢化物在水中的溶解度在同族元素所形成的氢化物中最大。B 的基态原子占据两种形状的原子轨道,且两种形状轨道中的电子总数均相同,B位于元素周期表的s区。C元素原子的外围电子层排布式为nsn—1npn—1。 D原子M能层为全充满状态,且最外层无成对电子,E为第四周期未成对电子数最多的元素。请回答下列问题:
(1)写出E基态原子的电子排布式?;E在周期表中的位置是??,其基态原子有?种能量不同的电子。
(2)某同学根据上述信息,推断B的核外电子排布如右图所示,

该同学所画的电子排布图违背了?。
(3)已知A和C形成的化合物X中每个原子的最外层均为8电子稳定结构,则X的化学式为 ?,X是一种超硬物质,耐磨损、抗腐蚀能力强,推测X的晶体类型为??。
(4)B的单质与A的最高价含氧酸的稀溶液反应,能将A还原至最低价态,写出该反应的化学方程式 ?。
(5) 已知D晶体的粒子堆积方式为面心立方最密堆积,若该晶体中一个晶胞的边长为a cm,则D晶体的密度为?g/cm3(写出含a的表达式,用NA表示阿伏加德罗常数的值)。若D的原子半径为r ,则在D晶胞中用r表示出这种堆积模型的空间利用率为??。(列式表示,不需化简)
5、选择题 石墨晶体是层状结构,在每一层内;每一个碳原于都跟其他3个碳原子相结合,如图是其晶体结构的俯视图,则图中7个六元环完全占有的碳原子数是

[? ]
A.10个?
B.18个?
C.24个?
D.14个