浙江省2003年4月高等教育自学考试线性电子电路试题
课程代码：02340
一、填空题(每空1分，共20分)
1.利用晶体二极管的___________和___________特性，可以构成整流、稳压、限幅等各种功能电路。

2.半导体中，由浓度差引起非平衡载流子运动，形成___________电流，由外加电场引起载流子运动形成___________电流。

3.已知某晶体三极管的VBE=0.7V,VCE=1.0V,则该管工作在区，由___________材料制造。

4.晶体管工作在放大状态时，其发射结的结电容主要是___________电容，集电结的结电容主要是___________电容。

5.通常将反型层称为增强型MOS管的源区和漏区之间的___________沟道，其中由___________形成的沟道称为N沟道。

6.场效应管工作在非饱和区时，其ID和VDS之间呈___________关系，故又称该区为___________。

7.在晶体管放大器中，即能放大电压也能放大电流的是___________组态放大电路；可以放大电压但不能放大电流的是___________组态放大电路。

8.放大电路的失真分为___________和___________两大类。

9.放大电路中，引入直流负反馈的作用是___________，引入交流负反馈的目的是改善放大器的___________。

10.深度负反馈条件是___________，此时反馈放大器的增益近似等于___________。

二、单项选择题(在每小题的四个备选答案中，选出一个正确答案，并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题2分，共20分)
1.当PN结外加正向电压时，扩散电流(      )漂移电流。
A.大于      
B.小于      
C.等于      
D.近似等于

2.当P型半导体和N型半导体相接触时，在P型和N型半导体交界处，形成一个区域，下列的哪种名称不能描述该区域?(      )
A.阻挡层      
B.耗尽层      
C.空间电荷区      
D.突变层

3.有四个晶体三极管：已知它们的电流放大系数β及穿透电流ICEO的值，使用时选用哪个更合适?(      )
A.β=200,ICEO=10μA     
B.β=10,ICEO=0.1μA
C.β=50,ICEO=0.1μA     
D.β=100,ICEO=10μA

4.常温下，某晶体三极管在ICQ=1mA处，rbe=1.6KΩ，β=50,则 等于(      )。
A.200Ω      
B.300Ω      
C.400Ω      
D.500Ω

5.某场效应管的IDSS为6mA，而IDQ自漏极流出，大小为8mA，则该管是(      )。
A.P沟道结型管      
B.耗尽型PMOS管
C.耗尽型NMOS管      
D.增强型PMOS管

6.场效应管工作在放大状态时，其静态工作点应设置在输出特性曲线的(      )。
A.非饱和区      
B.饱和区      
C.截止区      
D.击穿区

7.具有相同参数的相同放大电路的两级放大器，在组成它的各个单级放大器的截止频率处，总的电压放大倍数下降(      )。
A.3dB      
B.6dB      
C.20dB      
D.9dB

8.集成运算放大器实质上是一种(      )。
A.交流放大器     
B.高电压增益的交流放大器
C.高电压增益的直接耦合放大器     
D.高增益的高频放大器

9.多级负反馈放大电路容易引起自激振荡的原因是(      )。
A.各级电路的参数很分散     
B.回路增益| |大
C.闭环增益大     
D.放大器的级数少

10.负反馈可以改善放大器的性能，下述哪种说法不准确?(      )
A.减少放大器增益      
B.改变输入电阻      
C.改变输出电阻      
D.改善噪声系数

三、简答题(每小题5分，共15分)

1.       设二极管为理想，试判断图三(1)电路中，各二极管是否导通，并求VAO的值。

2.       设图三(2)所示电路中三极管为硅管，β=50，试通过估算判断它的静态工作点位于哪个区?

3.       在图三(3)所示电路中，已知MOS管的,VGs(th)=1.0V,试求IDQ,VGSQ,VDSQ的值。