浙江省2005年4月高等教育自学考试线性电子电路试题
课程代码：02340
一、填空题(每小题2分，共20分)
1.P型半导体中多数载流子为__________，少数载流子为__________。

2.PN结的反向击穿有__________和__________两种击穿。

3.三极管工作在饱和状态时，其发射结__________，集电结__________。

4.当某三极管VBE=0.7V，VCE=0.3V，则该管工作在__________区，集电极电流和基极电流关系是__________。

5.场效应管的导电过程仅仅取决于__________载流子的运动；因而它又称做__________器件。

6.在场效应管放大电路中，就VGS而言，__________型MOS管是单极性的，而__________型MOS管可以是双极性的。

7.放大器的失真分为__________失真和__________失真两大类。

8.在相同条件下，阻容耦合放大电路的零点漂移__________，而直接耦合放大电路的零点漂移__________。

9.共发射极放大电路输出电压Uo与输入电压Ui的相位关系是__________，共基极放大电路输出电压Uo与输入电压Ui的相位关系是__________。

10.设计一个负反馈放大电路，要使输入电阻增大应引入__________型负反馈，若要稳定输出电压应引入__________型负反馈。

二、单项选择题(在每小题的四个备选答案中，选出一个正确答案，并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题2分，共20分)
1.杂质半导体中少数载流子浓度(      )。
A.只与温度有关                     
B.取决于掺杂浓度，几乎与温度无关
C.与温度无关                       
D.与掺杂浓度和温度都无关

2.判别晶体管是否工作在饱和状态，最简单的是测量(      )。
A.IB                               
B.VCE
C.VBE                              
D.IC

3.若三极管的发射极电流为1mA，基极电流为20μA，则集电极电流为(      )mA。
A.0.98                             
B.1.02
C.1.2                              
D.0.8

4.场效应管是(      )器件。
A.电流控制电流                     
B.电流控制电压
C.电压控制电流 &来源:91考试网nbsp;                   
D.电压控制电压

5.在差动式放大电路中，共模输入信号等于两个输入端信号的(      )。
A.和值                             
B.差值
C.平均值                           
D.乘积值

6.由PNP管组成的共射放大电路，若测得VCEQ=-VCC,-VCC为电源电压，则可判断该三极管处于(      )。
A.放大状态                         
B.饱和状态
C.截止状态                         
D.击穿状态

7.希望放大器具有大的输入电阻和稳定的输出电流，应引入(      )负反馈。
A.电压串联                         
B.电压并联
C.电流串联                         
D.电流并联

8.共集电极电路信号从(      )。
A.基极输入，集电极输出             
B.发射极输入，集电极输出
C.基极输入，发射极输出             
D.发射极输入，基极输出

9.集成运算放大电路的输入级通常采用(      )电路。
A.共集电极放大                     
B.共发射极放大
C.差动放大                         
D.共基极放大

三、简答题(每小题5分，共15分)

1.试分析图三(1)所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。设图中所有电容对交

流信号均可视为短路。

2.电路如图三(2)所示，已知MOS管的μnCox()=250μA/V2,VGs(th)=2.0V,试求ID,VGS,VDS的值。

3.图三(3)所示为某场效应管的转移特性，请说明其属于何沟道、何种类型?并指出它的VGS(th)或VGS(off)等于何值?(图中iD的假定正向为流进漏极)