18.硅光电池的结构是在N型硅片上渗入________型杂质，形成一个大面积________。

19.按光纤的作用，光纤传感器可分为________型和________型两种。

20.热电偶中热电势的大小仅与两电极的________和两接点的________有关，而与热电极尺寸、形状及温度分布无关。

21.按照把输入量转换成数字量的步骤，数字式传感器可分为________数字传感器和________数字传感器。

22.霍尔元件是N型半导体制成扁平长方体，扁平边缘的两对侧面各引出一对电极。一对叫________，用于引入激励电流；另一对叫________，用于引出霍尔电势。

23.电阻式半导体________传感器是利用其________值的改变来反映被测气体的浓度。

24.电容式传感器中，变面积式常用于较大的________测量,变介电常数式多用于________的测量。

25.涡流式传感器的配用测量电路有________电路和________电路。

四、名词解释(本大题共5小题，每小题3分，共15分)

26.光电流

27.理想测试系统

28.涡流效应

29.霍尔效应

30.光纤传感器

五、简答题(本大题共3小题，每小题5分，共15分)

31.常见的差模干扰有哪些？可采用什么方法来消除差模干扰？

32.简述三种电容式传感器的工作原理、结构及适用场合。

33.按照原理来分，热电式传感器有哪些分类?分别基于什么机理？

六、分析综合题（本大题共2小题，每小题10分，共20分）

34.如图为一直流应变电桥。图中E=4V，R₁=R₂=R₃=R₄=120Ω，试求：

题4图

(1)R₁为金属应变片，其余为外接电阻。当R₁的增量为ΔR₁=2.4Ω时，电桥输出电压U₀；(3分)

(2)R₁,R₂都是应变片，且批号相同，感受应变的极性和大小都相同，其余为外接电阻，电桥的输出U₀；(3分)

(3)题(2)中，如果R₁~R₄都是应变片，批号相同，且电桥相邻臂上的应变片感受应变的极性相反，大小|ΔR₁|=|ΔR₂|=|ΔR₃|=|ΔR₄|=2.4Ω，电桥的输出U₀。(4分)

35.说明差动变隙电感传感器的

1)主要组成（2分）

2)工作原理（4分）