浙江省2003年7月高等教育自学考试线性电子电路试题
课程代码：02340
一、填空题(每小题2分，共20分)
1.杂质半导体中的多数载流子是由_______产生的，少数载流子是由_______产生的。

2.一般而言，击穿电压在6V以下的属于_______击穿，6V以上的主要是_______击穿。

3.三极管工作在放大区时，各电极之间的电流关系是IC=_______IB，IE=_______IC.

4.根据外加电压的不同，晶体三极管的输出特性曲线族可划分为放大区、区、饱和区和_______区。

5.已知场效应管VGS(th)=4V，当VGS=6V时，ID=1mA，试写出饱和区转移特性的表达式ID=_______，当VGS=3V时，ID=_______。

6.在JFET中，沟道的导电能力受VGS和VDS的控制与MOS管类似，不同的是这种控制是通过改变PN结_______中的_______来实现的。

7.放大器中的线性失真可分为_______失真和_______失真两类。

8.直接耦合放大电路中因温度变化引起的漂移称为_______。采用电容耦合方式是否存在这种现象?_______。

9.若希望减小放大电路从信号源索取的电流，则可采用_______负反馈；若希望负载变化时输出电压稳定，则应引入_______负反馈。

10.若引入反馈减弱了输入信号的作用，使放大倍数_______，这样的反馈称为_______。

二、单项选择题(在每小题的四个备选答案中，选出一个正确答案，并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题2分，共20分)
1.当PN结反向工作时，其结电容主要是(     )。
  A.势垒电容     
  B.扩散电容
  C.平板电容     
  D.势垒和扩散电容并存
2.温度升高时，晶体二极管的VD(on)将(     )。
  A.增大       
  B.减小
  C.不变       
  D.近似不变

3.晶体管的混合π型等效电路模型在下列哪种情况下才能应用?(     )
  A.小信号，管子处在饱和区   
  B.大信号，管子处在放大区
  C.小信号，管子处在放大区   
  D.大信号，管子处在饱和区

4.某晶体三极管的iB从20μA变化到40μA时来源:91exam .org，对应的iC从2mA变化到5mA，则该管的β等于(     )。
  A.100       
  B.150
  C.200        
  D.300

5.P沟道增强型MOS管工作在饱和区的条件是(     )。
  A.VGS>VGS(th),VDS>VGS-VGS(th)   
  B.VGS>V GS(th),VDS  C.VGSVGS-VGS(th)   
  D.VGS6.当场效应管工作在(     )区且限制VDS为小值时，可作为阻值受VGS控制的线性电阻器。
  A.饱和     
  B.截止
  C.非饱和     
  D.击穿
7.在差动放大电路中，共模输入信号等于两个输入信号的(     )。
  A.和值      
  B.差值
  C.迭加      
  D.平均值
8.多级放大电路放大倍数的波特图是(     )。
  A.各级波特图的叠加    
  B.各级波特图的乘积
  C.各级波特图中通频带最窄者  
  D.各级波特图中通频带最宽者

9.已知某一放大器的A=100，现要求引入反馈以后增益Af=10，问反馈系数kf应为多少?(     )
  A.0.01      
  B.0.05
  C.0.09      
  D.0.10

三、简答题(每小题5分，共15分)

1.如图三(1)所示电路中的二极管为理想，试画出电路的传输特性曲线(v0～vi的关系曲线)，并写出分析过程。

2.设图三(2)所示电路中的三极管为硅管，β=50，试通过估算判断它的静态工作点位于哪个区?

3.图三(3)所示电路中，设两管特性相同，T1管的(W/L)是T2管的5倍，=1000cm2/V·S，Cox=3×10-8F/cm2，(W/L)1=10,VGS(th)=2V，求ID2的值。