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1、填空题 某离子晶体晶胞结构如图所示，X位于立方体的顶点，Y位于立方体的中心。试分析：
(1)在一个晶胞中有____个X，____个Y，所以该晶体的化学式为________。
(2)晶体中距离最近的2个X与一个Y所形成的夹角∠XYX角度为____（填角的度数）。
2、填空题 (15分)图1是
、
、
、
、
、
等元素单质的熔点高低的顺序，其中c、d均是热和电的良导体。 (1)图中d的单质对应元素原子的电子排布式是?
(2)单质a、b、f对应的元素以原子个数比1：1：1形成的分子中含?个
键，?个
键。
(3)a与b的元素形成的10个电子中性分子X的空间构型为?；将X溶于水后的溶液滴入到含d元素高价离子的溶液中至过量，生成d元素的离子化学式为?，其中X与d 高价离子之间以?键相结合。
（4）图2是上述六种元素中的一种元素形成的含氧酸的结构，请简要说明该物质易溶于水的原因：?。
（5）图中C单质的晶体堆积方式类型是?，这种堆积方式晶胞中原子的配位数为?。
?
?
图1?图2
3、选择题 已知X、Y、Z三种元素组成的化合物是离子晶体，其晶胞如图所示，则下面表示该化合物的化学式正确的是
[? ]
A．ZXY3
B．ZX2Y6
C．ZX4Y8
D．ZX8Y12
4、填空题 参考下表中物质的熔点，回答有关问题：
物质
| NaF
| NaCl
| NaBr
| NaI
| NaCl
| KCl
| RbCl
| CsCl
|
熔点/℃
| 995
| 801
| 755
| 651
| 801
| 776
| 715
| 646
|
物质
| SiF4
| SiCl4
| SiBr4
| SiI4
| SiCl4
| GeCl4
| SnCl4
| PbCl4
|
熔点/℃
| -90.4
| -70.4
| 5.2
| 120
| -70.4
| -49.5
| -36.2
| -15
|
? (1)钠的卤化物、碱金属的氯化物的熔点与卤离子、碱金属离子的________有关，随着________的增大，熔点依次降低。
(2)硅的卤化物的熔点及硅、锗、锡、铅的氯化物的熔点与__________有关，随着_________增大，_________增大，故熔沸点依次升高。
(3)钠的卤化物的熔点比相应的硅的卤化物的熔点高得多，这与________有关，因为_______，故前者的熔点远高于后者。
5、选择题 某固体仅由一种元素组成，其密度为5.0g·cm-3。用X射线研究该固体的结构得知：在边长为10-7cm的正 方体中含有20个原子。则此元素的相对原子质量最接近于下列数据中的
[? ]
A．32
B．120
C．150
D．180
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